浅谈高压变频器的电路拓扑结构

文章基于高压变频器的发展,论述了高压变频器的电路拓扑结构的分类,比较了高压变频器两电平电路拓扑结构和三电平电路拓扑结构的优缺点,并对两种拓扑结构进行了分析比较。     

半同胚空间类和半拓扑性质

一、引言半同胚与半拓扑性质的概念是由Crossley等人于1972年引入并随后进行一系列研究的。本文较深入地分析了与某个拓扑空间(X,U)具有相同半开集族的全体拓扑空间组成的拓扑族[U]的结构,得到了[U]中最强拓扑的两种新的结构形式。另一方面,我们研究了[U]中存在最弱拓扑的条件。在此基础上,给出了拓扑空间半同胚的两个充要条件,并     

浅谈高压变频器在火电厂的应用

随着交流变频调速技术快速发展,以及新型电力电子器件如绝缘栅双极晶体管(IGBT)、集成门极换向晶闸管(IGCT)等的出现,计算机技术的发展和新型的控制理论的应用,高压变频器也得到了快速发展。在电厂的应用已相当普遍,节能效果及控制水平已被电力系统所认识。文章就西门子高压变频器的原理、特点,以及在火力发电厂中的节能应用进行了分析。     

浅谈高压变频器在火电厂的应用

随着交流变频调速技术快速发展,以及新型电力电子器件如绝缘栅双极晶体管(IGBT)、集成门极换向晶闸管(IGCT)等的出现,计算机技术的发展和新型的控制理论的应用,高压变频器也得到了快速发展.在电厂的应用已相当普遍,节能效果及控制水平已被电力系统所认识.文章就西门子高压变频器的原理、特点,以及在火力发电厂中的节能应用进行了分析.     

考虑机械连接载荷和疲劳性能的装配结构拓扑优化设计方法

针对工程中常见的多钉连接装配结构,提出了一种同时考虑钉载和疲劳性能的拓扑优化设计方法.一方面,将钉载约束考虑到装配结构的拓扑优化设计中,针对结构中大量的钉载约束,采用约束凝聚技术,简化了多约束问题灵敏度求解过程,提高了优化的计算效率.另一方面,将疲劳准则作为设计约束引入到拓扑优化问题中,为了避免因多钉连接结构建模方法引起的不真实应力状态对优化问题产生影响,采用组合单元对连接结构进行建模,用被连接件壳单元上的应力衡量结构疲劳性能,采用P范数凝聚方法对疲劳约束进行凝聚,在此基础上研究了拓扑优化设计中疲劳性能对结构拓扑形式和承载性能的影响.最后通过两个数值算例验证了所提方法的有效性.     

高压诱导拓扑绝缘体Bi2Te3超导性研究取得进展

最近，中科院物理所赵忠贤、孙力玲、周兴江等合作，利用自主研制的先进的低温一高压一磁场综合测量系统对拓扑绝缘体Bi加，单晶进行了系统研究。通过高压原位磁阻和交流磁化率的双重测量．研究了压力诱导的拓扑绝缘体至超导体的转变。并通过高压实时霍尔系数的测量，给出了压力下超导临界温度与载流子浓度及类型转变之间的定量关系。     

雕画迹的拓扑结构及其形态功能分析

一个树网电路结构,经过两种不同的部分拓扑等价变化,其电流或电压效应也随之发生变化,对应于拓扑同构部分的电流、电压效应则无变化(图1)。在对我国华南、新疆泥盆纪雕画迹的研究过程中,我们也发现了同样的规律。 雕画迹是一类具有装饰特征和复杂图案由高度组织行为形成的生物遗迹,通常发育于复理石相、深水或缺氧环境中。Seilacher等曾对雕画迹的分类、形态功能、行为习性和环境意义等方面进行过研究。这些研究均是以欧氏几何学为基础的,难以认清不同雕画迹之间的形态谱系、行为习性关系和生态环境意义。     

基于开关信号理论的三值nMOS电路设计

1 引言在指导二值逻辑电路设计的布尔代数中,二值变量仅用于表示电路中二种信号(如高低电平),而变量之间的诸基本运算则在电路中用基本门予以实现,并且在电路的逻辑设计中并不理会基本门的内部结构,因此说,布尔代数仅用于指导二值电路在门级的逻朝设计.类似地,在多值逻辑中的Post代数也只反映电路中多值信号的处理,也限于指导门级的逻辑设计.     

一类局部紧半群上不同分布的组合乘积的极限性质

一般拓扑代数结构上概率测度卷积序列的研究本质上就是相互独立而不同分布随机变量乘积的性质的研究。Maksimov在紧群情况下研究了这个问题,做出了较为完整的结果,但当拓扑结构或代数结构的条件减弱时,相应的完整的结果还比较少。Mukheazea,Csiszr以及刘锦萼和徐侃等分别在局部紧群,紧交换半群和紧L-X半群上做了一些工作。本文中我     

电路QED晶格及光力阵列系统中光子拓扑绝缘体研究进展

拓扑绝缘体是一种新的量子物质态.与传统绝缘体类似,拓扑绝缘体也具有体能隙以及绝缘的体态.不同之处在于,拓扑绝缘体的表面或边界处存在导电的边界态.这些特殊的边界态受拓扑保护,因此对局域的无序和微扰免疫.这些特性使得拓扑绝缘体在量子信息处理和量子计算等方面有着重要的潜在应用.基于此,本文对拓扑绝缘体的发展进行大致梳理,并且对电路QED晶格以及光力阵列系统中光子拓扑绝缘体的最新研究进展进行概括和总结.