p-n结正向不稳态的异常衰减

本文从结电容放电的观点探讨注入电流脉冲结束后p—n结不稳态的异常衰减过程。分析指出:在小注入条件下,结暂态电压有两种异常衰减,都形成驼峰曲线。势垒区复合中心导致开路驼峰出现;结并联漏电通道则诱发非开路驼峰。这两种驼峰的发生都归结于势垒电容放电。开路驼峰曲线的拐点为V_t(t_i)=V_D-(2KT/q)(突变结)及V_g-(4KT/3q)(线性缓变结);非开路驼峰曲线的拐点则为V_t(t_i)=(2/3)V_D(突变绪)及(3/4)V_g(线性缓变结)。两种驼峰曲线的初段均可用来测量结型器件的少子寿命。     

用开路电压衰减法测量p-n结太阳电池少子寿命的若干问题

本文根据p-n结电容放电理论为采用开路电压衰减法测量太阳电池异常少子寿命提出修正计算公式,分析指出,电池光致注入与电致注入少于寿命不同是由于p-n结基区少于寿命中的有效分量不同造成的。此外,还讨论了电致注入少子寿命测量技术。     

硅扩散p-n结势垒宽度和势垒电容的计算

p-n结势垒宽度和势垒电容在半导体器件的设计与制造工作中是经常需要计算的。这两者都是外加电压的函数,同时还与p-n结中的杂质分布有关。对于单边突变结和线性缓变结近似的情形,由势垒区电位所满足的一维泊松方程求解,所得到的势垒宽度和电容随外加电压和杂质浓度(或浓度梯度)而变化的关系,是简单的解析表达式。而对于实际的扩散p-n结,把它作为上述两种情形的近似,其范围是比较狭窄的。在不同的扩散条件下,p-n结杂质的分布情况也不同,有时往往是很复杂的。Lawrence和     

p—n结击穿电压蠕变饱和陷阱理论的改进

在深入分析击穿电压蠕变时间常数τ物理机构的基础上,进一步改进了p-n结击穿电压蠕变饱和陷阱理论,使理论与实验结果更为吻合。     

电压互感器和电流互感器暂态特性对距离保护算法的影响

对距离保护暂态超越产生的原因进行了详细分析，并给出了结论．对于采用解微分方程算法的距离保护，当电容式电压互感器（CVT）和电流互感器（CT）暂态特性一致时，它们对解微分方程算法没有影响，反之则会引起暂态超越．通过建立两者的数学模型，分析并比较两者在传递非周期分量时暂态特性的差异发现，由于CVT和CT的传变特性不一致而引起的二次侧电压和电流中非周期分量无法平衡是导致距离保护暂态超越的根本原因．EMTP故障仿真和现场录波试验表明，CVT和CT的非周期分量衰减时间分别为10ms和40ms，即CVT后非周期分量比CT后非周期分量衰减快，因而会导致距离保护因为暂态超越而误动作．     

掩埋双p-n结波长探测器的弱光探测

为提高掩埋双p-n结(BDJ)波长探测器对弱光探测的信噪比,不采用其一般的光电导工作模式,而应用它的光伏工作模式,并借助锁相放大技术,测量上下2个p-n结的光生电压,不仅得到了光生电流比与波长的关系曲线,而且抑制了大量噪声,更有利于弱光的探测.     

活性炭电极材料的有效电阻和放电电压随时间变化规律研究

论述了测试活性炭超级电容器材料充放电性能的方法步骤和测试结果,在此基础上,用微分方程非线性响应理论,研究材料放电电压随时间的变化规律,并得到材料的有效电阻和电容的数值以及放电电压随放电时间变化的解析式.结果表明:电容器不是线性元件,而是非线性元件;活性炭超级电容器材料放电电压随时间的变化并不遵从简单的负指数规律,而是非线性变化;用微分方程非线性响应理论得到的结果与实验测试结果符合较好.     

利用微分法解函数方程

在现行的数学分析教材中,关于函数方程的介绍很少;即使谈到函数方程,也主要限于用极限的方法进行处理,解法严谨但显得复杂。本文主要着眼于用微分法将某些函数方程化为微分方程,然后用微分方程的方法来解函数方程。这样,尽管对函数方程的解的附加条件要高一些,但解法简便,而在多数场合,尤其对一些重要的函数方程,其结果与极限法是一致的。     

EBIC测定GaP的少子扩散长度和表面复合速度

应用扫描电子显微镜（SEM）对GaP半导体材料的p-n结进行线扫描,得出电子束感生电流（EBIC）的线扫描曲线,给出一简单模型,对GaP样品n区的EBIC线型进行计算,拟合实验曲线,得出少子扩散长度和表面复合速度。     

La0.67 Sr0.33 MnO3/GaN异质结的光电效应研究

利用脉冲激光沉积技术制备了p-n型的La0.67Sr0.33MnO3/GaN异质结.在室温下测量了La0.67Sr0.33MnO3/GaN异质结的电流-电压特性曲线,结果表明该异质结具有较好的整流效应.对该异质结的光电效应进行了测量,发现该异质结还具有明显的光电效应:当用光功率为6mW、波长520nm的光照射该异质结时该异质结的光电压可达33μV.还发现异质结的光电压与入射光的功率及光子能量有依赖关系:入射光功率或光子能量越大,光电压越高.根据La0.67Sr0.33MnO3/GaN的能带结构对实验结果作了解释.结果表明La0.67Sr0.33MnO3/GaN异质结可用作光电器件.     

基于非线性迭代的开关功率变换器仿真

开关功率变换器仿真的关键是精确确定开关元件换相的时刻,而一般开关函数为超越方程,很难求得其解析解。采用将超越方程转化为微分方程,然后利用微分方程的数值解法求取超越方程的零点,同时用精细历程积分法求取方程的指数矩阵。相对传统方法,非线性迭代法具有收敛范围宽、求解精度高、求解过程不需要使用导数,迭代效率高的优点。典型开关功率变换器仿真实例表明了该方法的正确性及迭代效率,是开关电路仿真的一种新思路。     

关于一类高阶微分方程的复振荡结果

运用微分方程复振荡理论,研究了系数是整函数的高阶微分方程解的零点分布问题,在对方程的某个系数做小的扰动的情况下,得到了方程的超越解的零点收敛指数都为无穷.     

超突变结变容二极管C-V特性研究

对超突变结器件的杂质分布模型进行了研究并加以改进,导出不同杂质分布的新的电容电压方程,方程中的主要参数与实际工艺参数一致．理论结果与实验曲线符合得很好,证明假设的杂质分布模型是合理的,由此导出的电容电压方程是正确的和实用的。     

带有记忆项的多孔弹性方程解的衰减

研究了带有记忆项的多孔弹性方程在初始条件和第一类边界条件下解的衰减。通常一个记忆项足以使方程稳定,这与记忆项的核和方程的波速有关。本文证明了该方程解的一般衰减结果只与记忆项的核有关。在一些适当的假设下,用乘子法证明了方程解的一般衰减。     

超导约瑟夫森结直流I-V曲线的数值计算

基于超导约瑟夫森结的RCSJ模型的解析式为一非线性的二阶微分方程，对于该微分方程直接求解析解比较困难，故采用四阶龙格库塔法进行数值计算求解。经反复调用龙格库塔函数可得出约瑟夫森结的I—V曲线。并且，对这一求解过程及其关键部分进行了阐述，数值计算结果定性地解释了实验结果。     

关于一类复差分方程的超越亚纯解

利用亚纯函数的NevanLinna值分布理论,研究了一类复差分方程有限级超越亚纯解的存在性问题,推广了2010年Yang和I.Laine研究非线性微分方程和差分方程关系所得结论,以及2004年Yang和Li研究微分方程超越解所得结论,进而得到了更一般的结果。     

不对称转子系统的非线性振动

对不对称转子系统的非线性振动问题进行了研究，首先用哈密顿原理导出运动微分方程，这是刚度系数周期性变化的激励和强迫激励振动方程，然后用多尺度法研究1／3亚谐共振，主共振，求得平均方程，分叉响应方程和定常解，讨论了刚度不对称性，质量偏心以及外阻尼对幅频响应的影响，结果表明，刚度不对称性，质量偏心都使不稳定区增大，而外阻尼能使共振振幅减小，最后用奇异性理论分析分叉响应方程和定常解的稳定性，得到了局部分叉集和不同区域的不同的分叉响应曲线。     

线性系统孤立奇点分类的一个注记

我们用分析上研究曲线性质的熟知方法和常微分方程定性理论中常用的比较斜率的手段,从方程本身出发(而不是从方程的解的表达式出发),对线性系统孤立奇点的分类进行了处理,从而容易地得到了原来所有的结果。     

约瑟夫逊结中磁通量子运动的分析

在有恒定的注入电流和线性损耗的情况下,一维有限长结的约瑟夫逊位相方程为: 其中α为恒定的注入电流密度,以约瑟夫逊电流密度的最大值i_J为单位,γ是无量纲的衰减参量,x和t分别以穿透深度λ_J和等离子振荡频率的倒数ω_l~(-1)为单位。方程(1)是一个非线性偏微分方程,无法得到严格的解析解。近年来有不少作者采用     

阻力对惯性秤摆动幅度和周期的影响

为了解释惯性秤实验中,摆动幅度随时间的增长而明显减少的实验现象,推导了具有阻力作用的惯性秤摆动的动力学方程,得到了摆动幅度逐渐衰减的周期波解,分析讨论了阻力对振幅的衰减和对周期的增大作用。所得结果对提高学生认识惯性秤,观察分析实验现象,培养应用理论解决实际问题的能力,具有一定的意义。