Pt在DBA表面的化学吸附能和电荷转移

采用格林函数方法和Anderson Newns(AN)模型研究原子Pt在无序二元合金(DBA)表面的化学吸附能和电荷转移,其中普遍的去耦合方法被采用以消除Pt的不同d电子之间通过与DBA表面相互作用而产生的耦合效应·结果表明:Pt对DBA表面偏析有很大的抑制作用;化学吸附系统Pt/NixCu1-x随Ni的体内原子分数的增加而趋于稳定·化学吸附促进了吸附离子Pt与合金衬底间的电荷转移浓度·     

过渡金属原子在半导体表面上化学吸附理论

本文研究了过渡金属原子d轨道同衬底半导体SP杂化轨道之间存在两种不同耦合系数的化学吸附问题，采用自洽的格林函数方法，计算了吸附原子d电子在强、弱耦合态的占据数，化学吸附能、电荷转移及磁性解磁矩。     

化学吸附与表面多层偏析的相互影响:H/Au-Ag

采用格林函数(GF)方法和多重耦合自洽相干势近似(CPA)方法,研究了氢在Au Ag多层偏析无序二元合金表面的化学吸附,详细地讨论了DBA表面的多层偏析和化学吸附间的相互影响·结果表明,化学吸附引起的表面偏析能够在很大程度上改变合金表面成分和化学吸附能·对于H/Au Ag系统,可以看到随着计入的原子层数的增加,化学吸附能值表现出波动的特征·     

pH值对铕(Ⅲ)在氧化铝表面的吸附和化学形态影响的研究

采用荧光时间衰减光谱法研究了pH值对铕(Ⅲ)在氧化铝上吸附过程及其化学形态的影响.实验条件为在氮气环境下,摩尔浓度为0.1M的高氯酸钠溶液.研究结果表明,铕(Ⅲ)在氧化铝上的吸附随pH值升高而增强,在pH4~pH8的范围内,吸附在氧化铝表面的铕(Ⅲ)周围第一层水分子的数目并不随pH值升高而减少,即吸附在氧化铝表面的铕(Ⅲ)化学形态不随pH值的改变而变化.     

简立方晶体(110)面的化学吸附能及由吸附所引起的表面态密度变化

本文利用W.HO等人所用的LCAO及Green Function(GF)方法计算了简立方晶体(110)面的化学吸附能及由吸附所引起的表面态密度变化,并对它们随吸附原子与表面之间的相互作用势v′及孤立吸附原子能级Ea而变化的特征进行了分析,而且还与简立方晶体(100)面的结果进行了比较。     

Sb(Ⅲ)在高岭土表面的吸附及氧化?

研究了Sb(Ⅲ)在高岭土表面的吸附及氧化.研究结果表明Sb(Ⅲ)在高岭土表面的吸附反应为快速反应.吸附在高岭土表面的Sb(Ⅲ)易被氧化为Sb(V),一部分Sb(V)会从高岭土表面解吸进入溶液中.溶液的pH值对Sb(V)的解吸有显著的影响,且pH越高,Sb(V)越容易从高岭土表面解吸.吸附前后高岭土样品的X-射线光电子能谱(XPS)的分析表明,高岭土表面的≡Al—OH、≡Mg—OH及≡Si—OH基团参与了Sb的吸附.     

Eu(Ⅲ)在泥炭上的吸附行为研究

采用静态法研究了Eu(Ⅲ)在泥炭上的吸附行为.探讨了固液比、离子强度、pH、腐殖酸等因素对吸附的影响,并测定了不同温度下的吸附等温线.实验结果表明,pH对Eu(Ⅲ)吸附过程影响较大;离子强度有一定影响;低pH情况下腐殖酸会促进Eu(Ⅲ)吸附的进行,高pH情况下腐殖酸会抑制吸附的进行;吸附反应的吉布斯自由能变小于零说明吸附过程自发进行;吸附过程符合Freundlich吸附模型.     

CO在hcp(0001)和fcc(111)面上吸附的间接相互作用

本文采用格林函数方法,用单电子理论在紧束缚近似下研究了一氧化碳在过渡金属六角密排(0001)面和面心立方(111)面上吸附的间接相互作用。计算中采用复能积分方法避免了由于存在分裂态与共振态给计算带来的困难。计算得到一氧化碳在hcp(0001)面及fcc(111)面上的吸附结构。     

酒石酸化学改性松针粉对Cr(VI)的吸附性能

本文选用松针粉(PNP)为原料,通过酒石酸化学改性制备出了一种新型生物吸附材料(TA-PNP).考察不同pH值、吸附反应时间和Cr(VI)溶液初始浓度等因素影响下,TA-PNP对Cr(VI)的吸附性能;并建立了动力学模型和等温线模型.实验结果表明:室温条件下,pH=2.0,吸附反应时间是60 min,Cr(VI)初始体积质量为750 mg/L时,TA-PNP对Cr(VI)吸附效果最佳.此外,TA-PNP吸附方式为化学吸附,颗粒内扩散模型表明总吸附反应速率为膜扩散和内扩散两者共同控制.TA-PNP对Cr(VI)的吸附行为符合Langmuir等温吸附模型,其最大吸附量为98.62 mg/g.     

过渡金属原子在无序二元合金表面上的化学吸附

本文采用相干势近似(CPA)和Anderson-Newns(AN)模型研究了过渡金属原子在无序二元合金(DBA)表面上的化学吸附。普遍的去耦合方法被用来消除过渡金属吸附原子不同d电子之间通过与衬底表面相互作用所产生的耦合效应。对于DBA,考虑了表面偏析现象,尤其研究了因化学吸附而导致表面偏析的变化。计算结果表明:(1)过渡金属吸附原子对DBA表面偏析有很大的抑制作用;(2)化学吸附系统Pt/Ni_xCU_(1-x)随Ni原子体浓度的增加而趋于稳定。     

Si在Si（111）表面吸附过程的分子动力学模拟

利用Tersoff半经验多体相互作用势和分子动力学模拟方法研究了荷能的硅原子在Si(111)表面的吸附过程.对100K时,初始入射动能分别为5,15,25,30eV的硅原子从6个不同位置轰击Si(111)表面进行了模拟,观察到了硅原子在Si(111)表面形成的吸附结构,并讨论了不同入射位置和入射能量对吸附结构的影响.结果表明,硅原子相对于表面不同的局部构型发生不同的碰撞过程,而硅原子入射能量的提高有利于成键过程的发生,从原子尺度模拟了沉积机制.     

Ag在Si(100)表面化学吸附特性研究

本文应用自洽TB-LMTO方法研究银原子在理想Si（100）表面的化学吸附,计算不同位置的吸附能量（Ead）,发现相比Si（100）表面其他吸附位置而言被吸附的银原子更趋附于C位置（四重位）,在Ag原子和表面Si原子之间形成极性共价健,在Ag-Si（100）界面不存在Ag和Si的混合层而是形成突变界面,这与实验结果是一致,计算了层投影态密度并与清洁表面比较,对电子转移情况也进行了研究.相对Au/Si（100）而言,Ag和Si相互作用比Au和Si相互作用要弱.     

稀磁半导体Zn_(1-x)Co_xS光谱的理论解释

以Co2 + 自由离子的 3d电子径向波函数为基础 ,对Zn1-xCoxS中的电子云延伸效应进行了理论研究 .引入了电子云延伸效应系数κ ,得到了Zn1-xCoxS中Co2 + 离子的最优化 3d电子径向波函数 ,并由此得到了Zn1-xCoxS的光谱 .结果表明 :应用晶体场理论 ,考虑到电子云延伸效应的修正 ,对于研究稀磁半导体的光谱性质是方便有效的 .同时也从物理学本质上解释了电子云延伸效应 .     

Cu(Ⅱ)对Burkholderia vietnamiensis C09V生物降解废水中结晶紫的影响

选用结晶紫(CV)与重金属Cu(Ⅱ)作为污染物,发现Burkholderia vietnamiensis C09V不仅可以降解CV且对重金属Cu(Ⅱ)有吸附作用.单独存在30 mg·L-1CV时,菌株的生长量OD600最高达0.735,CV脱色率可达到93.4%;单独存在50 mg·L-1Cu(Ⅱ)时,OD600为0.068,Cu(Ⅱ)吸附率为32.6%.同时存在30 mg·L-1CV和50 mg·L-1Cu(Ⅱ)时,OD600降低到0.312,CV的脱色率为34.9%,Cu(Ⅱ)的吸附率为41.3%.结果说明利用微生物Burkholderia vietnamiensis C09V去除废水中染料和重金属的复合污染具有很好的前景.     

基于密度泛函理论的KDP(100)表面吸附水分子研究

基于密度泛函理论中的第一性原理计算方式,开展KDP(100)面表面吸附水分子的性质研究。结合Bader电荷、电子密度、差分电子密度和电子局域函数等参数进行电子密度拓扑分析,结果显示水分子在KDP(100)表面的最佳吸附位点为氢钾桥位,吸附能为–0.809eV,表明KDP(100)表面可以自发地吸附水分子;水分子中的氧原子通过吸附,与KDP(100)表面磷酸根基团上的氢原子形成含共价效应的强氢键O—H...O_w,拟合键能为–18.88 kcal/mol。     

ZL109激光表面改性处理--激光表面重熔

采用连续ＣＯ２激光器并选择不同激光束输出功率Ｐ和扫描速度ｖｂ,对ＺＬ１０９合金进行了激光重熔处理,通过ＳＥＭ,ＸＲＤ,ＥＤＸ,显微硬度试验及磨损试验等测试方法研究了工艺参数对改性层组织和性能的影响。结果表明,ＬＳＭ改性层的显微组织随着工艺参数的变化发生明显改变;随着Ｐ增大,呈现由树枝晶向胞状晶过渡的现象,且胞晶尺寸随ｖｂ的增大显著减小。