衬底负偏压热灯丝CVD金刚石薄膜在锥体上核化的研究

以ＣＨ４和Ｈ２为反应混合气体,用衬底负偏压热灯丝ＣＶＤ法在Ｓｉ（１００）面上制备金刚石膜,使用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）,Ｒａｍａｎ谱和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对在硅尖上的金刚石核化进行了研究,并着重讨论了沉积在硅尖上的金刚石颗粒的生长机理。     

CMOS/SOD抗核加固电路辐照后的恢复特性

以金刚石膜作为绝缘埋层, 利用金刚石膜上的薄层硅（ Ｓ Ｏ Ｄ）技术, 制作 ５４ Ｈ Ｃ Ｔ０３ Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ／ Ｓ Ｏ Ｄ 结构的集成电路． 对该电路在辐照后的恢复特性进行研究． 结果表明, Ｓ Ｏ Ｄ 电路在大剂量辐照后的恢复能力明显强于体硅电路; 常规非辐照环境下的高温退火工艺更有利于辐照后的 Ｓ Ｏ Ｄ 电路的快速恢复     

衬底材料对直接光化学汽相淀积类金刚石碳膜成膜初期的影响

以微波激励氙（Ｘｅ）发射的真空紫外（ＶＵＶ）光作光源,乙炔（Ｃ２Ｈ２）作反应气体,氮（Ｎ２）、氩（Ａｒ）和氢（Ｈ２）气为稀释气体,采用直接光化学汽相淀积（ＣＶＤ）工艺,在硅（Ｓｉ）、钼（Ｍｏ）及玻璃衬底上进行了类金刚石碳（ＤＬＣ）膜的淀积生长。通过光电子能谱（ＸＰＳ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）的测试与观察,研究了在同样工艺条件下不同衬底材料对ＤＬＣ膜成膜初期碳原子的吸附、凝聚及成核过程。实验结果表     

离子束轰击法金刚石薄膜抛光

本文采用氩离子束轰击法，对不同晶体学表面形貌的ＣＶＤ金刚石膜进行抛光处理。结果表明，对不同表面开貌的金刚石膜，应合理选择离子束轰击入射角，提高离子束加速电压有利于提高抛光效率，（１００）择优生长的金刚石膜最容易得到高的表面平整度。     

微波ECR等离子体化学汽相沉积金刚石膜的研究

本文利用微波电子回旋共振（ＥＣＲ）等离子体化学气相沉积（ＣＶＤ）法在较低气压下进行了金刚膜的沉积工艺研究，发现ＣＨ４气体的浓度可适当提高至ＣＨ４／Ｈ２＝０．８。所得的Ｒａｍａｎ谱图证实在该条件下得到的膜比在ＣＨ４／Ｈ２较小情况下得到的膜含有更多的金刚石相。     

YBCO膜上形成类金刚石膜研究

为防止高Ｔｃ超导探测器的超导电性退化或失超，用Ｃ＾＋注入、ＸｅＣｌ准分子激光辐照形成类金刚石（ＤＬＣ）保护膜。该膜结合紧密，克服了ＤＬＣ／ＹＢＣＯ两种材料晶格失配、线胀系数与热导率相差太大的矛盾。对ＤＬＣ膜的Ｒａｍａｎ谱所表征的Ｃ内部结构进行了分析，阐述了石墨态Ｃ转化为ＤＬＣ结构的机制，提出了激光所造成的瞬时高温、高压模型。     

钢基底上预镀中间层沉积金刚石膜

利用表面预镀中间层在４５号钢上化学气相沉积（ＣＶＤ）得到了金刚石膜。钢基底表面金刚石涂层具有许多潜在应用价值，但直接在钢上沉积生长金刚石面临长的形核期，铁原子的触媒作用和热膨胀不匹配等严重问题。文中采用钢基底表面预镀中间层的方法，阻止碳向基底中扩散，增强膜基结合和抑制ＳＰ２杂化碳的沉积。分别研究了直接在钢基底上、表面预镀铜膜和表面预镀硅膜钢基底上热丝法沉积金刚石膜的工艺特点。通过ＳＥＭ、Ｒａｍａｎ谱和划痕法检验表明，钢基底表面预镀硅膜作为中间层，是一种在钢上沉积金刚石膜的有效方法。     

直流反应溅射α-C:H薄膜

用直流平面磁控反应溅射制备了含氢非晶态碳膜（α－Ｃ：Ｈ），在０．３５－２．５μｍ波长范围内确定了它的光学常数ｎ，ｋ与禁带宽度，包括刚沉积（ＡＤ）与经真空烘烤４５０℃４０ｍｉｎ（ＨＴ）的α－Ｃ：Ｈ膜。红外透射谱、拉曼光谱与电子衍射等分析表明：α－Ｃ：Ｈ为无定形碳与金刚石共存物。热处理后，Ｃ－Ｈ与Ｃ＝Ｏ键减少，而Ｃ＝Ｃ键增加。α－Ｃ：Ｈ作为减反射膜的α－Ｃ：Ｈ／渐变ＳＳ－Ｃ／Ａｌ选择性吸收表面，具有太阳吸收率α≈０．９３（ＨＴ）．发射率ε≈０．０６（８０℃）。     

火焰法沉积金刚石薄膜的组织结构

用透射电镜（ＴＥＭ）对大气中火焰法沉积（ＣＦＤ）金刚石薄膜的组织结构进行了分析研究。结果表明，所沉积的金刚石晶体中（１１１）面上存在着大量层错及显微孪晶，在（１１１）面上晶粒边界处的位错密度较低，此外，在金刚石薄膜中还观察到存在于金刚石颗粒间的非金刚石型碳（Ｃ），即无定形碳及微晶石墨。     

微波CVD法合成金刚石薄膜的生长规律

用微波等离子化学气相沉积方法（ＣＶＤ片）用丙酮－氢气混合气体作为原料,在单晶硅的（１１１）面和人造单晶金刚石的（１００）面上,生长出了优质金刚石薄膜,并对薄膜的生长规律进行了研究。     

廉价制备大面积金刚石膜的高功率直流等离子体喷射设备的研制

本文介绍了在８６３新材料领域资助下最新研制成功的１００ｋｗ级高功率直流等离子体喷射（ＤＣＰｌａｓｍａＪｅｔ）金刚石膜沉积系统。利用该系统在氩气—氢气—甲烷气体系中进行了初步的工艺试验，经过４０小时的连续运行，在Φ１１０ｍｍ的基片上沉积出中心厚１．９ｍｍ，边沿厚１．６ｍｍ的金刚石膜。平均生长速率达４４μｍ／ｈ。     

美科学家研究出用C_（60）生产金刚石膜新技术

美科学家研究出用Ｃ_（６０）生产金刚石膜新技术据英国《新科学家》１９９４年７月３０日报道，美国的一个科研小组用布基球（即Ｃ６０分子）作碳源生产出优质的金刚石膜，比用传统方法生产的金刚石膜质量更好，且生成速率更快。这种技术一旦能进行商业规模生产，就能使?..     

化学气相沉积（CVD）金刚石薄膜的主要制备方法及应用

介绍了化学气相沉积金刚石薄膜的主要制备方法：热灯丝法、微波法、等离子体喷射法、火焰燃烧法。 Ｃ Ｖ Ｄ 金刚石膜的应用。     

￣（45）Ca跨膜流动测定技术用于中药钙拮抗作用的研究

应用￣（４５）Ｃａ跨膜流动测定技术研究钙拮抗剂ｖｅｒａｐａｍｉｌ、中药西红花（ＣｒｏｃｕｓＳａｔｉｖｕｓＬ．）、“地奥心血康”（ＤＡＸＸＫ）、川红花（ＣａｒｔｈａｍｕｓｔｉｎｃｔｏｒｉｕｓＬ．）及银杏叶（ＧｉｎｋｇｏｂｉｌｏｂａＬ．）等对大鼠主动脉￣（４５）Ｃａ跨膜内流的作用，以确定其对细胞膜Ｃａ￣（２＋）通道影响。实验结果表明：西红花、川红花、ＤＡＸＸＫ对平滑肌细胞膜上电压依赖Ｃａ￣（２＋）通道（ＰＤＣ）和受体操纵Ｃａ￣（２＋）通道（ＲＯＣ）都有阻滞作用，并以西红花的阻滞作用最强；而银杏叶对细胞膜Ｃａ￣（２＋）通道无阻滞作用。     

冠醚—TBP—PVC固态膜输送Li^＋的电渗析法研究

分别以苯并１２－冠－４（Ｂ１２－Ｃ－４）苯并１５－冠－５（Ｂ１５－Ｃ－５）苯并１８－冠－６（Ｂ１８－Ｃ－６）和二苯并１８－冠－６（ＤＢ８－Ｃ－６）为载体,磷酸三丁酯（ＴＢＰ）或邻苯二甲酸二丁酯（ＤＢＰ）为增塑剂,聚氯乙烯（ＰＶＣ）为基质,制备了冠醚－ＴＢＰ（ＤＢＰ）－ＰＶＣ固态膜（ＣＴＰ膜）实验考察了各种膜对碱金属盐混合溶液中Ｍ＾＋电渗析膜输送的特性,实验表明,随冠醚环腔半径增加和溶液中Ｍ＾＋浓度     

热阴极辉光PACVD金刚石厚膜的生长特性

对用热阴极辉光ＰＡＣＶＤ方法合成的金刚石厚膜，采用扫描电子显微镜进行了观察，研究了金刚石的生长机制．     

微波等离子体CVD金刚石薄膜的显微结构

用扫描电镜（ＳＥＭ）和透射电镜（ＴＥＭ）对６种微波等离子体ＣＶＤ金刚石薄膜的表面形貌和显微结构进行了研究，结果表明：在金刚石晶粒长大过程中，（１１１）面方向长大时产生密度很高的微挛晶缺陷，而（１００）面方向长大时产生的晶体缺陷较少。     

织构金刚石薄膜生长特性与研究

目前利用气相法得的金刚石薄膜多为晶膜，性能远不如天然金刚石，严重地影响了它在光学、电子学等方面的应用。因此，如何控制合成条件，实现金刚石薄膜的均匀定向生长是目前金刚石薄膜研究中急需解决的课题。本工作利用电子促进ＨＦＣＶＤ技术成功的得到了织构生长的金刚石薄膜，研究了合成的优化工艺条件。实验中钨丝温度为２０００℃，ＣＨ４／Ｈ２浓度０．４—２％，基片温度控制在７５０－９００℃，基片与钨丝之间加偏压１３０Ｖ。对合成的薄膜用扫描电子显微镜（型号ＳＥＭ１０００Ｂ—２）观察薄膜的形貌。结果表明，当碳源浓度为的０．８％，基片温度为８７０℃时，晶粒晶形好，样品上金刚石颗粒已经连成了薄膜，每个晶粒顶部呈现和衬底平行的（１００）面。ＣＨ４浓度高时，晶性变差，呈粗糙的球状多晶状。基片温度过低时晶形较差。温度过高因相变和气化不能成膜。基片温度在８５０℃－９００℃范围内可连续成膜。加衬底偏压可以提高基底表面能和降低原子团界面自由能，因而可以促进成核。综上，我们利用偏压促进成核ＨＦＣＶＤ技术，在优化工艺条件下得到了织构生长金刚石薄膜，为揭示其外延生长机理提供了实验数据     

^4^5Ca跨膜流动测定技术用于中药钙拮抗作用的研究

应用４５Ｃａ跨膜流动测定研究的钙拮抗剂ｖｅｒａｐａｍｉｌ，中药西红花（Ｃｒｏｃｕｓ ＳａｔｉｖｕｓＬ．），“地奥心血康”（ＤＡＸＸＫ），川红花及银杏叶等对大鼠主动脉４５Ｃａ跨膜内流的作用，以确定其对细胞膜Ｃａ＾２＾＋通道影响。实验结果表明：西红花，川红花，ＤＡＸＸＫ对平滑肌细胞膜上电压依赖Ｃａ＾２＾＋通道（ＰＤＣ）和受体操纵Ｃａ＾２＾＋通道（ＲＯＣ）都有阻滞作用，并以西红花的阻滞作用最强；而银杏叶     

氮气流量对金刚石膜生长的影响

采用电子辅助热灯丝化学气相沉积（EA-CVD）方法沉积大面积金刚石膜,在金刚石膜的沉积过程中,氮气流量对金刚石膜沉积的影响会直接影响着金刚石膜的生长和质量。用Raman等手段对金刚石膜的生长特性进行了表征。