高压淬态Al—Mn合金晶体结构的研究

本文对在静高压的条件下,熔融淬火的Al_4M_n合金形成的晶体相进行了结构分析.实验分析表明:该晶体属四方结构,晶格常数为:a=1.3769nm;c=0.9991nm.在较大的温度范围内结构稳定.     

钠钨青铜（NaxWO3）晶体的制备及其成分,结构测试

文中采用熔盐电解法，电解钨酸钠与三氧化钨熔盐制备出系列钠钨青铜晶体，选用离子选择电极分析法快速、简便、可靠地测定了晶体中的钠含量，并通过Ｘ－射线粉末衍射确定了晶体的晶型结构及晶格常数ａ．     

不同压力和温度下Rh3Ta金属间化合物的 热弹性、硬度与热力学性质研究

通过基于DFT的第一性原理,研究了不同压力和温度下金属间化合物Rh3Ta的热弹性、硬度和热力学性质.通过总能量与晶胞体积的关系得到了Rh3Ta的平衡晶格参数.获得了优化的晶格常数a0、体积V0,此外,0GPa下的内聚能Ec、焓H和密度ρ也通过计算得到,计算结果与实验结果和其他的理论结果一致.计算了该化合物的弹性参数Cij、体积模量B、剪切模量G、杨氏模量E、B/G、泊松比υ、各向异性因子A、硬度H、压缩率K.除此之外,通过准谐德拜模型,成功地获得了广泛压力(0～60GPa)和温度(0～1 800K)范围下的热力学性质,如热膨胀系数α、热容CV、CP、熵S、吉布斯能G、内能U、德拜温度Θ.     

聚丁二炔晶体中三阶非线性光学特性的研究

本文研究聚丁二炔（ｐｏｌｙｄｉａｃｅｔｙｌｅｎｅ）晶体中的三阶非线性光学过程；从激子模型出发，建立了一套描述聚丁二炔晶体中的三阶非线性光学过程的数学公式；对三阶极化率Ｘ（３）进行了数值计算，与实验符合．对其产生三阶非线性光学过程的微观机理进行了详细的讨论．     

不同压力和温度下Rh_3Ta金属间化合物的热弹性、硬度与热力学性质研究（英文）

通过基于DFT的第一性原理,研究了不同压力和温度下金属间化合物Rh3Ta的热弹性、硬度和热力学性质.通过总能量与晶胞体积的关系得到了Rh3Ta的平衡晶格参数.获得了优化的晶格常数a0、体积V0,此外,0GPa下的内聚能Ec、焓H和密度ρ也通过计算得到,计算结果与实验结果和其他的理论结果一致.计算了该化合物的弹性参数Cij、体积模量B、剪切模量G、杨氏模量E、B/G、泊松比υ、各向异性因子A、硬度H、压缩率K.除此之外,通过准谐德拜模型,成功地获得了广泛压力(0～60GPa)和温度(0～1 800K)范围下的热力学性质,如热膨胀系数α、热容CV、CP、熵S、吉布斯能G、内能U、德拜温度Θ.     

Semi-Heusler合金NiCrP和NiVAs半金属铁磁性稳定特性的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的全势能线性缀加平面波方法对semi-Heusler合金NiCrP和NiVAs的电子结构进行自旋极化计算.semi-Heusler合金NiCrP和NiVAs处于平衡晶格常数时都具有半金属性质,它们自旋向下子能带的带隙分别是0.59 eV和0.46eV,合金分子的总磁矩分别为3.00/formula和2.00/formula.在晶体相对于平衡晶格发生各向同性形变的情况下,计算semi-Heusler合金NiCrP和NiVAs的电子结构.计算结果表明,在相对于平衡晶格的各向同性形变分别为-6%～2%和-2%～4%时,semi-Heusler合金NiCrP和NiVAs的总磁矩稳定,并且能保持其半金属铁磁性.     

压力对金属化合物Mg_2Si光学性能影响的第一性原理研究

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了压力对Mg_2Si光学性质的影响。计算结果表明,0GPa压力环境下,其晶格参数与试验值吻合较好。同时,进一步计算分析了在0～40GPa高压作用下Mg_2Si的折射率、反射率、吸收系数、能量损失函数和光电导率的变化情况。结果表明,压力可以有效调制Mg_2Si的电子结构并改变其光学性能。     

压力对Cr_3Si机械稳定性和韧脆性影响的第一性原理研究

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对不同压力下Cr_3Si的机械稳定性和韧脆性进行研究。通过计算Cr_3Si在不同压力下的弹性常数、体积模量、剪切模量、泊松比来分析Cr_3Si的机械稳定性和韧脆性质。根据波恩准则判断,Cr_3Si在研究压力范围内,满足机械稳定性条件。结果表明,当压力为0～4GPa时,Cr_3Si化合物表现为脆性,当压力大于4GPa以后,Cr_3Si化合物表现为韧性。     

二维正方晶格各向异性光子晶体缺陷模的计算

选择单个模式(TM模),用FDTD方法计算了二维正方晶格各向异性碲圆柱光子晶体的单点缺陷模与多点缺陷模,获得完全禁带中缺陷模频率与点缺陷半径、多点缺陷模半径之间的变化关系,并从理论上给予了解释.     

LiNH2晶体结构和电子结构的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的赝势——平面波方法,应用LDA的CA-PZ泛函和GGA的PBE、RPBE和PW91泛函对LiNH2晶体结构进行优化,计算电子结构.结果表明,GGA-PW91泛函更适于描述LiNH2晶体的结构和性质.LiNH2晶体为四面体结构,空间群I-4,晶格常数a=b=0.501 9 nm,c=1.034 9 nm,N-H键长为0.103 1 nm,H-N-H键角为103°.电子态密度和电子局域密度分析表明,N-H键呈明显的共价键特性,Li和N-H之间为离子键相互作用.     

坐标变换法对Newman方程参数的确定

由一次曝光得到背射赝Kossel线,然后通过坐标变换和非线性最小二乘法,可以得到Newman方程参数,从而计算出样品相应的晶面间距.本实验测量了硅单晶d{533}晶面间距,其精度可达8×10^-6nm.本文讨论了背射赝Kossel一次曝光法的实验步骤及实验的主要误差来源.     

碳在Mn-Al-C永磁合金中的行为

用X射线衍射等方法研究了碳在Mn-Al-C合金中的行为.发现碳能提高强磁性相的稳定性、降低共析温度、影响合金相点阵参数和长程有序度,高C(>1%)合金还能析出碳化物相.本文从强磁性相的单轴应变、有序度、弥散碳化物以及晶体不完整性等几方面讨论了碳对磁性的贡献.实验研究了合金的潮解效应,提出了碳化物水解和次级裂纹产生的高碳合金的粉化机理.     

T8钢表面激光熔覆钴基硬面合金层的相组织与性能的研究

应用横流式连续ＣＯ２激光器,采用不同的激光工艺参数在Ｔ８钢表面上熔覆钴基硬面合金,然后用Ｘ射线衍射法、电解萃取法、比色法、耐磨试验及理论计算等研究了合金层的组织结构及性能．研究表明：激光熔覆的钴基硬面合金层,其显微硬度提高主要由ｒ（ＣｏＣｒ）基体相的过饱和度所贡献,而耐磨性能提高主要是Ｍ７Ｃ３碳化物析出量增加起了更大的作用．     

六方氮化钼电子结构的第一性原理研究

基于密度泛函理论的第一性原理方法,采用vasp计算程序包,计算六方氮化钼的晶胞参数,在此基础上计算它的能带结构、总态密度和局域态密度,分析了六方氮化钼的电子结构,并阐明了其具有高导电性的原因.     

Ce掺杂对BaTiO3陶瓷微观结构的影响

采用溶胶-凝胶法制备了稀土元素Ce掺杂的BaTi1-xCexO3（x=0.001,0.002,0.005,0.01）陶瓷.研究了Ce掺杂对BaTi1-xCexO3物相结构、晶粒生长和微观结构的影响.结果表明BaTi11-xCexO3为单一钙钛矿结构,随Ce掺杂量增加,晶格参数c/a逐渐减小;在烧结过程中,Ce掺杂可以抑制晶粒生长,有效的控制晶粒尺寸;陶瓷密度随Ce掺杂量增加而逐渐增大,最高可达理论密度的94.1%.     

ZnO压电薄膜的多晶模型研究

本文考虑了ZnO压电薄膜的晶格畸变和多晶结构,建立了ZnO压电薄膜的多晶膜模型,计算了ZnO/K9 glass和ZnO/fused quartz的SAW速度和有效机电耦合系数,测量了ZnO/K9 glass的SAW速度v₀和v₁,结果表明:多晶模型的计算值与实验值较接近,比单晶模型的结果有明显改善.计算结果还表明:分散度σ<6°时它对ZnO膜的SAW性能影响较小,而晶格畸变对SAW性能影响较大.     

轴对称挤压过程中速度和温度关系的计算

建立了轴对称挤压过程热平衡的有限差分模型，在该模型中采用了动可容球形速度场，综合考虑了塑性变形，摩擦、热声望地以及材料流动等引起的挤压温升，利用该模型分析了等速挤压的温度变化、模拟等温挤压和等温挤压的速度，温度的变化关系，其结果与实验数据相符，可用于热挤压工艺参数的优化设计。     

氖和亚铜等离子蒸气系统中的负离子和电子能量分配函数

计算了激光产生铜等离子体蒸气中的物理和动力学参数，通过数值分析近似地求解玻尔兹曼动力学方程，发现存在一些具有各向同性和固定值物理量。在气体放电系统中观察了HBr混合物对其物理参数和电子能量分配函数的影响，利用交叉区电子碰撞激发过程计算了反应速度系数，表明具有HBr混合物的3d^94s^22D能级的共振激发更好。     

头孢他啶与牛血清白蛋白结合的光谱法研究

用荧光光谱法、紫外-可见吸收光谱法和傅立叶红外光谱法研究了牛血清白蛋白与头孢他啶间的相互作用机制.结果表明:在人体生理条件下头孢他啶可使牛血清白蛋白的荧光强度显著降低,二者在不同温度下的结合常数分别为KLB=1.399×106(24℃),KLB=7.501×105(37℃).头孢他啶与牛血清白蛋白主要以疏水作用力和氢键相结合而非单一作用力,为探讨药物头孢他啶在生物体内与蛋白质的作用机理和生物学效应提供了理论依据.     

CoSi2／Si结构中杂质离子注入及自对准硅化物MOS器件技术

研究了一种新型自对准硅化物ＭＯＳ晶体管制备技术，通过Ｃｏ／Ｓｉ固相反应在源漏区和栅电极表面形成一层自对准的低电阻率ＣｏＳｉ＿２薄膜，在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中进行杂质离子注入，用计算机模拟程序对离子注入杂质分布及损伤进行计算，选择适当的注入能量，使注入的杂质浓度峰值位于ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ界面附近，经快速退火，可获得界面载流子浓度较高、性能优良的增强型和耗尽型ＮＭＯＳ晶体管。该文还研究了注入在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中的杂质在不同的热处理条件下的分布变化，结果表明，磷在热处理过程中，存在向硅衬底较强的扩散趋势，而硼则明显不同。