双极型三极管饱和状态的探讨

建立三极管的物理模型，分析讨论了三极管饱和时的偏置状态和载流子的运动规律，进一步说明了此时三极管集电结正偏的正确性。     

集、基短路三极管研究

集电极与发射极短接的三极管仍是一只三极管，能够产生放大作用，但有时我们可以把它看成是一只二极管。     

制造工艺对三极管特性的影响分析与工艺控制实践研究

三极管生产工艺过程直接影响三极管的质量和特性－ 通过产品统计分析与实验研究，找出三极管漏电流异常变化、放大倍数、饱和电压、ＣＥ 反向击穿电压、ＣＢ 反向击穿电压漂移等特性参数不确定甚至失效的原因，并提出了工艺控制改善措施，进而提高了产品的可靠性和稳定性－图２ ，表１ ，参５－     

并联三极管的电流分配与稳定性

本文作者讨论用并联三极管的方法来代替较大功率PCM及较大集电极电流ICM的三极管的问题，同时对集电极电流分配的不稳定性提出解决方法。     

三极管饱和时集电结的偏置状态

本文通过实验和理论分析指出了三极管饱和时“发射结、集电结都正偏”的说法的欠妥处，并指出此时三极管集电结弱反偏或正偏，且集电结弱反偏的情况更常见．     

晶体管特性测试电路的改进

半导体三极管是电子电路中的核心器件。在半导体三极管特性测试过程中，经常会出现烧坏电阻器和晶体管的现象。通过分析测试电路的工作原理，结合电子实验室配备的仪器，对其进行改进，以便更快、更安全地完成实验。     

零泛器在模拟电路中的应用

本文是在文献《４》的基础上，进一步介绍在高频下工作的三极管零泛器模型，并应用该模型来计算调频放大器的高频特性。同时介绍了用三极管零泛器模型计算放大电路的某些参数的方法。     

二极管、三极管的识别和检测

二极管和三极管是电子电路中重要的半导体器件,二极管和三极管的判别是电子技术初学者的一项基本功,为了帮助学生们掌握判别方法,笔者根据自己多年积累的经验,较全面地阐述了判别二极管和三极管的方法。     

共射输入特征曲线相交的理论诠释

在晶体三极管的试验或使用中,不时要涉及到一些晶体三极管共射输入特性曲线的相交。对于为什么会相交这个问题,本文从理论上进行分析,从而给出这些晶体三极管共射输入特性曲线相交的理论诠释。     

虚拟三极管伏安特性测试仪的设计

在传统的三极管参数测试实验中,通常需要使用多种测量仪器来测量三极管的伏安特性曲线和其他参数。为了降低实验成本,简化实验操作过程,采用虚拟仪器技术设计了一种三极管伏安特性测试仪。可以在PCI-1200数据采集卡和PC机所构建的平台上实现三极管主要参数的测量。通过对2SC9014三极管进行实际测量,证明其能够满足测试实验要求。     

三极管的偏置电路

本文首先概述了晶体管的发展历程和重要性,继而讨论了三极管作为晶体管的重要组成部分在电子电路中发挥的放大作用,最后以典型的三极管的偏置电路为例介绍了其电路原理,从而指出了在三极管的应用中设置偏置电路的重要意义。     

射极耦合型数字分频器输出信号的相位波动研究

通过对射极耦合型（简称ECL型）数字分频器的研究指出：ECL型数字分频器输出信号一次谐波相位波动是由组成分频器的ECL电路的时间延迟决定的。而ECL电路的时间延迟是与电路中的晶体三极管等效电路的参数有关。为此，给出晶体三极管基极电阻闪砾效应波动模型。     

在射极偏置放大器中PNP型晶体三极管工作状态的确定

根据PNP型晶体三极管的工作原理,借助等效电源电压和射极偏置放大器中晶体三极管静态工作点电压、基射极导通电压之间大小关系,研究了确定射极偏置放大器中PNP型晶体三极管工作状态的方法,提出了一种简易可行的判据.     

测量晶体管特性的新方法

给出了测量晶体二极管伏安特性，三极管输入特性的一种简单，直观的方法，分析了此方法的线路连接，操作及原理。     

半导体三极管的特性与应用

本文分析了三极管的工作原理、导电特性、工作状态、好坏及极性判别方法,并介绍了三极管的类型、参数以及应用.     

锗合金结及合金扩散结晶体管低频h参数的温度关系

一、引言晶体三极管电学参数随温度变化而发生的剧烈变化是限制它们在无线电设备中更广泛应用的重要原因之一.因此,研究晶体三极管电学参数的温度关系能为晶体管的更广泛应用提供有价值的参考资料;同时,把实验结果与理论计算相比较,还可检验理论的正确性.锗合金结P-N-P晶体三极管小讯号参数的温度关系已有一部分实验及理论工作,锗合金扩散结P-N-P晶体三极管小讯号参数温度关系的资料目前还较零星.本     

"三极管特性曲线描绘"实验的新设计

阐述运用电位差描绘三极管特性曲线的实验方案,力求避免因测量仪器接入电路而引起的较大误差,使实验结果能真实反映三极管的工作特性.     

AEC—Ⅱ型模拟电子技术学习机的研制

本文利用集成电路Ｗ７８１２、Ｗ７９１２、Ｗ１１７、Ｗ１３７、μＡ７４１和三极管，二极管，稳压管等元器件，研制模拟电子技术学习机。     

半导体管温度传感器的研究

根据半导体三极管的热敏特性，研制了温度传感器，对其测温原理和电路设计进行了理论及应用的讨论，并将其用于高温脱毒工艺中的温度监控．     

基于晶体管GP模型的Multisim仿真建模方法

在现代电子电路设计中,先对电路进行前期软件仿真已经是必不可少的环节,然而仿真结果的可信度和真实度又取决于建立的仿真模型正确与否.Multisim仿真软件提供了部分型号三极管的仿真模型,但不够全面.对于特定三极管,需要在仿真软件中建立相应的仿真模型,以得到较理想的仿真结果.利用三极管的数据手册,介绍在Mulitism仿真软件中建立三极管GP模型的方法,并对2N3903型三极管的仿真模型与实物分别进行了直流扫描和交流特性对比分析.从直流扫描分析结果中可以看出:在饱和区,仿真曲线与实测曲线基本上一致;在放大区,仿真曲线与实测之间有一定的差异,但是平均相对误差小于10%.主要原因是晶体管存在分散性,而数据手册提供的是平均特性.从波特图仿真与实测结果中可以看出仿真的3dB通频带要比实际3dB通频带宽,主要原因是仿真模型中只考虑了三极管的极间电容影响,没有考虑三极管衬底电容的影响.实验结果表明利用该方法建立的仿真模型与实测数据基本上一致.