a-C:H/a-Se合金/Al感光体的设计和研制

本文设计制作了一种静电复印技术中使用的新型感光体a—C:H/a—Se合金/Al.它是在硒感光体上沉积一层含氢非晶碳(a—C:H)而制成的。非晶碳膜的硬度高(显微硬度可达3000Kg/mm~2以上),化学惰性高,能抵抗强酸、强碱和许多有机溶剂的侵蚀,无毒等。a—C:H膜覆盖在硒感光体上既保持了硒感光体的优良的电摄影性能,又可大大增加硬度和耐磨性,延长使用寿命。     

a-SiC:H/a-Si:H复合膜对半导体器件钝化作用的研究

本文简述了用α-SiC:H/α-Si:H复合膜钝化硅平面器件的钝化机理,并成功地应用于硅平面小功率晶体管的表面钝化,实验表明,钝化后的器件反向漏电流降低了2～3个数量级;小注入下的电流放大系数提高了3～4倍;室温—200℃的BT实验表明,未钝化的器件200℃时的电流放大系数比室温时增加了300％,而钝化后的器件只增加了75％。这些结果主要归因于钝化膜中原子态氢在到达SiO_2-Si界面处与界面处悬挂键结合,降低了界面态密度。     

等离子体表面氮掺杂对非晶碳膜场发射特性的影响

氢化非晶碳膜作为一种场致阴极电子发射材料已被广泛研究,通过对薄膜进行掺杂以提高其场发射特性已被证明是行之有效的方法之一.利用常规等离子体化学气相淀积技术制备了氢化非晶碳薄膜材料,在原位利用氮等离子体对碳膜表面进行N型掺杂.通过不同手段研究了氮表面掺杂前后非晶碳膜的微结构和化学键的变化,对表面掺杂前后的薄膜的场电子特性的测量表明,在氮表面掺杂后其场电子发射特性有了明显改善,特别是场发射的阈值电场从掺杂前的3.2 V/μm下降到掺杂后的1.0 V/μm.初步实验分析表明:由于氮表面掺杂后,在碳膜表面形成N-H键,从而导致碳膜表面的有效功函数降低使场电子发射特性得以提高.     

a-C:H膜及其退火的激光喇曼光谱研究

用高频阴极辉光放电沉积在控制基片温度来制备氢化非晶态碳(a—C:H)膜,退火温度上升到600℃,这些膜的喇曼光谱在波区1000～1800cm~(-1)进行的,a-C:H膜的喇曼光谱是一个非对称的简单的谱带。随着退火温度的升高,a—C:H膜出现两个峰值,也观察了金刚石和天然石墨的喇曼光谱,这些光谱与现代研究的模型进行了讨论,其结果认为非晶态碳具有三次配位和四次配位原子的网状结构模型相一致。     

射频功率对反应磁控溅射法沉积的a-C:F薄膜的影响

以高纯石墨作靶、CHF3／Ar作源气体，采用反应磁控溅射沉积法制备了具有低介电常数(k～2．18)的氟化非晶碳(a—C：F)薄膜．薄膜的结构和性质由红外吸收光谱、紫外可见光光谱、沉积速率及介电常数等作了表征，有关数据显示，薄膜的沉积速率随着射粒输入功率的增大而上升，所沉积的a—C：F薄膜中存在着一定比例的苯环结构，改变射频功率可以改变薄膜中的F／C比值，调制薄膜中环式结构与链式结构的比例，从而影响薄膜的介电常数和光学带隙等性能。     

a—C：H膜与宁强陨石有序度的比较研究

利用Ｒａｍａｎ谱与退火关系研究ａ－Ｃ：Ｈ与宁强陨石的有序度。非晶碳是宁强陨石的主要组成结构２；陨石与非晶碳样品的有序度随退火温度的变化规律类似，只是出现的温度范围不同，并且陨石与Ｔｓ＝１００℃的ａ－Ｃ：Ｈ在经过４５０℃退火后Ｒａｍａｎ谱形状类似。     

磁集成器件的界面扩散及钝化影响

 为了解决铁与砷化镓界面形成过程中,存在砷原子向金属层中扩散的现象,导致界面磁性减弱影响该结构的物理性能问题,采用钝化工艺改善界面磁性的方法,利用电子能谱技术测量了界面形成过程中铁与砷化镓界面的价带谱和砷原子的3d芯能级谱,从电子能谱的角度得到了砷原子扩散的相关数据。通过对比清洁界面和钝化界面的实验结果,证明了钝化可以减弱砷原子的界面扩散,铁原子3d能级的磁性交换劈裂也得到加强,价带峰被展宽,界面的磁性得到改善。依据价带谱的展宽现象和相关的研究报导表明:将硫钝化界面技术应用于磁集成器件制造工艺是有益的。     

a—Si_(1-X)C_X∶H 钝化膜热稳定性的研究

采用外耦合电容式射频辉光放电等离子体 CVD 系统,在低于300℃的衬底温度下,制备出了 a—Si(1-x)C_x∶H 钝化膜.对含碳量不同的3种样品作了热稳定性实验(即高温存放、温度循环和退火).另外,还对同一号样品做了在不同温度下退火30min 的实验.结果表明,此钝化膜的释氢温度高于600℃.具有很好的热稳定性.     

钝化多孔硅光致发光谱的时间演化特性

通过改变溶液的组成成份,用水热腐蚀技术原位制备出具有不同表面钝化状况的四类多孔硅样品.将上述样品室温下存放于空气中,其光致发光谱的时间演化特性差异很大.其中,氢钝化多孔硅的发光强度衰减最快,峰位蓝移量也最大,而铁钝化多孔硅的发光强度和峰位则几乎不发生变化.红外吸收谱实验揭示出这种差异可能来源于样品表面钝化成份的不同.此发现为一步原位制取具有稳定发光性能的多孔硅提供了新的思路.     

介质对高压硅半导体器件表面的钝化作用

本文研究高压硅半导体器件P-N结表面与表面保护材料的界面问题,作者分析了反向漏电流随电压的变化规律,在此基础上提出钝化系数B_(ID)、B_K,用以定量地讨论钝化作用和鉴别保护材料的质量。同时,用这些参数作者实验研究了现今用于PN结表面钝化的硅漆和硅橡胶中聚合物结构、侧基的组成、纯度及填料对钝化作用的影响,结果表明侧基中苯基较多,纯度较高的改性硅漆对于表面钝化作用是比较优良的。     

PECVD技术生长氮化硅钝化膜的条件控制

不同的工艺条件会对薄膜的生长产生影响。使用等离子体增强化学气相淀积方法,对PECVD生长氮化硅钝化膜的工艺条件进行了实验研究,阐述了几种工艺参数对钝化膜生长的影响,获得了生长氮化硅钝化膜的较佳工艺条件,制作出了高质量的氮化硅钝化膜。     

硫钝化对Fe、Co/GaAs(100)界面形成和磁性质的影响

利用同步辐射和铁磁共振研究了经硫代乙酰胺硫钝化处理的ＧａＡｓ（１００）表面生长的Ｆｅ，Ｃｏ超薄膜与衬底的界面形成及磁性。实验结果表明，硫钝化能阻止Ａｓ向Ｆｅ，Ｃｏ超薄膜扩散，减弱Ａｓ和Ｆｅ，Ｃｏ的相互作用并增强在ＧａＡｓ（１００）表面生长的铁磁金属薄膜的磁性。     

一种优越的钝化膜(a-Si:O:H)

本文报道了用等离子放电SiH_4+H_2+H_2O混合气体淀积氢化非晶硅氧合金膜,均匀、致密、耐腐蚀、半绝缘、电中性、富含氢,是较理想的半导体器件钝化膜。兼有SiO_2和a-Si:H的优点,而又克服了它们各自的缺点。用它钝化的平面晶体管放在盐水里几小时后,特性不变。     

a-C∶H做硅太阳电池AR膜的研究

本文报道了低压气相直流辉光放电沉积a-C:H膜和膜的部分物理、化学性质.这些性质非常接近于硅电池AR膜的最佳要求.在硅单晶太阳电池表面沉积1000(?)左右的a-C:H膜作为AR膜,在部分电池上获得了与SiO AR膜可比的结果.     

不同钝化介质层对AlGaN/GaN异质结二维电子气密度的影响

试验用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)测定了不同介质层钝化后异质结势垒层AlGaN的附加应变,用范德堡霍尔效应测量法测定了不同介质层钝化后异质结二维电子气密度,发现AlN钝化层尽管给势垒层带来附加的压应变.但依然使二维电子气密度增大,借此讨论了钝化对势垒层表面态产生的影响,分析了钝化机制.     

用SEM研究氯离子对铁的钝化膜的作用

利用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）研究酸性溶液中氯离子对铁钝化过程的作用，ＳＥＭ实验结果表明：氯离子破坏了在铁的阳极钝化区域内形成的钝化膜，并引起孔蚀；硝酸根离子能够抑制氯离子引起的孔蚀，并使铁恢复钝化状态。这些实验结果与电化学方法获得的结果相一致．     

镍钝化多孔硅表面形貌的控制和光致发光性能的改善

利用水热技术制备了系列镍钝化多孔硅样品,并对其表面形貌和光致发光谱进行了研究。实验表明,样品的表面形貌与其光致发光特性之间存在强烈的关联:采用具有较低Ni~(2 )浓度的腐蚀液所制备的样品表面形貌更为均匀,并具有相对较强的发光和较窄的发光峰。初步探索了通过对样品表面形貌的控制来改善样品发光性能的有效途径。