电沉积Sn对In2O3薄膜透光和导电性能的影响

室温下利用射频磁控溅射粉末靶制备In_2O_3薄膜,并在其上电沉积Sn制备Sn/In_2O_3复合薄膜。采用扫描电镜、X射线衍射仪、紫外可见分光光度计和霍尔效应仪等手段表征和分析了复合薄膜的微观结构和光电性能。结果表明:电压为2 V时,制备的Sn/In_2O_3薄膜光电性能最佳,透光率为92.86%,电阻率0.19 mΩ·cm。氧化退火后,3 V电压制备的Sn/In_2O_3复合薄膜电阻率增大,透光率得到明显改善。     

高温制备非晶五氧化二钒薄膜的光学减反特性

采用超高真空磁控溅射在Al_2O_3/Si基底上制备非晶五氧化二钒(V_2O_5)薄膜,并研究了高温退火对其晶体结构、表面形貌和光学特性的影响.扫描电子显微镜观察表明样品表面平滑致密具有连续性.在可见光波范围内,制备态薄膜在波长497 nm处出现反射率的最小值(约18%).经15 min高温退火处理后,样品X射线衍射光谱中除基底衍射峰外无其他衍射峰出现,表明样品依旧为非晶态.高温退火后的样品反射率最小值可进一步降低至约6%.上述结果对于以V_2O_5薄膜为基础的高温光学器件制备和应用有一定借鉴价值.     

退火时间对纳米CoFe2O4/SiO2复合薄膜结构和磁性的影响

利用溶胶-凝胶旋涂法制备了纳米CoFe2O4/SiO2复合薄膜.利用X射线衍射仪、原子力显微镜、振动样品磁强计对样品的结构和磁性进行了研究.结果表明,随着退火时间的延长,样品中CoFe2O4的晶粒尺寸和晶格常数变大.随着晶粒尺寸的增加,样品的矫顽力变大,当退火温度为3 h时,样品垂直和平行膜面的矫顽力分别为246 kA...     

旋涂次数对NiO薄膜结构和光透过性能的影响

以乙酸镍为前驱体溶液采用溶胶-凝胶旋涂法按不同旋涂次数(1~5次)在玻璃衬底上制备NiO薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见分光光度计(UV-VIS)等表征手段对样品的晶格结构、表面形貌、透射光谱进行测试.结果表明旋涂次数的适当增加并不能使薄膜厚度明显增加而是有助于修复所制备薄膜的结晶质量;并且随着旋涂次数的增加晶粒尺寸变大使薄膜的晶界和缺陷增多,增强了薄膜的光散射性能降低了光透过性能.当旋涂次数为3次时,所制备的NiO薄膜的结晶质量较高、表面光滑致密并具有较好的光透过性能,在可见光范围内平均透过率达到80%以上.     

温度和He累积损伤对Er2O3薄膜相结构及结晶度的影响

采用反应磁控溅射法制备Er_2O_3薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD),场发射扫描电子显微镜(SEM)对含He的Er_2O_3薄膜的结晶情况、截面和表面形貌进行表征,结果表明:无He的Er_2O_3薄膜在500℃退火时相结构基本保持稳定,在700℃退火时Er_2O_3薄膜发生明显的单斜相向立方相的转变.而含He的Er_2O_3薄膜的结晶度可能与He的存在形式有关.掺氦量较小时,未形成He泡,由于He的引入Er_2O_3薄膜的结晶度下降;随着掺氦量增加,He泡形成带来很高的内压,而在高压下Er_2O_3单斜相更易保持稳定.     

锆钛酸钡钙铁电薄膜的制备及性能研究

利用溶胶-凝胶(sol-gel)法,在Pt/TiO_2/SiO_2/Si衬底上制备出无铅钙钛矿结构薄膜Ba_(0.8)Ca_(0.2)-Zr_(0.05)Ti_(0.95)O_3。溶胶液旋涂后进行前烘时,温度由室温缓慢上升至200℃有利于得到表面较为平整的薄膜。通过XRD、铁电测试仪和AFM对薄膜微观结构及电学性能进行表征,研究退火温度、退火时间等退火工艺对薄膜晶体结构与电学性能的影响。实验结果表明在退火温度和退火时间分别为700℃、11 min时,得到具有饱和极化值、剩余极化值分别为19.6μC/cm~2和5.6μC/cm~2的BCZT钙钛矿结构铁电薄膜。     

退火温度对铁酸铋薄膜阻变特性的影响

在氧化铟锡衬底上利用溶胶凝胶法,分别在500℃和600℃退火条件下,制备了锰掺杂的铁酸铋薄膜。两种退火温度下制备出来的薄膜均具有典型的钙钛矿晶体结构,但高温退火的薄膜晶粒尺寸要比低温退火的薄膜大。此外,随着退火温度的升高,薄膜的介电常数增大,漏电流也随之增加。通过测量约120个电流电压循环曲线,研究了这两种退火温度下锰掺杂铁酸铋薄膜的阻变效应,发现高温退火下薄膜的阻变性能稳定性要比低温退火的薄膜好。最后,基于氧空位相关的导电丝理论,进一步讨论分析了退火温度对薄膜介电、漏电性能和阻变特性的影响。     

Sb~(3+)掺杂对Bi_2Ti_2O_7薄膜性能的影响

采用Sol-gel法,以Pt/Ti/SiO_2/Si为衬底在700℃下退火20 min制备了Sb~(3+)摩尔含量分别为0.1、0.2、0.3、0.4、0.5和0.6的Bi_(2-x)Sb_xTi_2O_7薄膜.通过对薄膜进行XRD、SEM和C-V、J-V曲线测试,详细讨论了不同Sb~(3+)含量对Bi2Ti2O7薄膜在结构、表面形貌、电容和漏电流等方面的影响.研究结果表明:Sb~(3+)的掺杂在没有改变Bi_2Ti_2O_7薄膜焦绿石结构的基础上提高了薄膜的稳定性;Sb~(3+)的掺杂提高了薄膜的电容值,尤其是当Sb~(3+)摩尔含量为0.3时,电容峰值达到3.8×10~(-9)F;同时,Sb~(3+)的掺杂显著改善了薄膜的漏电流性能,使薄膜的漏电流密度可以低至1.1×10~(-10)A/cm~2.     

RGO/NiCo_2O_4复合电极材料制备及电化学性能研究

采用层-层自组装法制备了前驱体RGO/Ni-Co@Ni-foam(泡沫镍负载石墨烯/镍-钴金属化合物),并在高温下煅烧得到RGO/NiCo_2O_4@Ni-foam复合电极材料。运用X射线衍射仪、扫描电子显微镜以及能谱仪对多孔RGO/NiCo_2O_4@Ni-foam复合材料进行结构表征,并通过循环伏安、恒流充放电等测试方法考察了其作为电极材料的电化学性能。结果表明,制备的多孔RGO/NiCo_2O_4@Ni-foam复合电极材料的比电容在电流密度为0.5A/g时可达到444F/g,并且在经过1 000次循环实验后,比电容仍有342F/g。这表明多孔RGO/NiCo_2O_4@Ni-foam复合材料在超级电容器领域具有广阔的应用前景。     

柠檬酸为配位剂对Pr3+掺杂CaTiO3薄膜发光性能的影响

主要研究了配位剂柠檬酸对溶胶-凝胶法制备CaTiO3：Pr^3＋薄膜发光性能的影响．以乙酸、乙二醇甲醚为溶剂,合成了加入柠檬酸为配位剂和未加入柠檬酸的Pr^3＋掺杂CaTiO3溶胶,并使用旋涂法在硅基片上制备了不同退火温度下的CaTiO3：Pr3^3＋发光薄膜．用X射线衍射和原子力显微镜分析了薄膜的相组成及表面形貌,并使用荧光光谱仪对薄膜的发光性能进行表征．研究发现硅基上制备CaTiO3：Pr^3＋薄膜在1000℃发光性能最佳,而柠檬酸的加入有效地改变了薄膜的表面形貌,较高的表面粗糙度和较大的颗粒大小使得CaTiO3：Pr^3＋薄膜具有更好的发光性能．     

CoAl_xFe_(2-x)O_4/SiO_2纳米复合薄膜材料的结构和磁性研究

利用溶胶—凝胶旋涂法制备了CoAl_xFe_(2-x)O_4/SiO_2(x=0.1,0.3,0.5,0.7,0.9)纳米复合薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和振动样品磁强计(VSM)对样品的结构、形貌和磁性进行了研究.结果表明,样品中CoAl_xFe_(2-x)O_4具有尖晶石结构,铁氧体纳米晶粒尺寸在24~34 nm之间.随着Al~(3+)含量的增加,CoAl_xFe_(2-x)O_4的晶格常数减小,样品的饱和磁化强度先增大后减小,当x=0.3时具有最大值;而矫顽力单调减小.     

AF2400-SiO2疏水复合光学薄膜制备及其表征

采用溶胶-凝胶工艺制备低折射率二氧化硅(SiO2)增透薄膜,用AF2400(Telflon)对薄膜进行表面处理得到AF2400-SiO2疏水复合光学薄膜.对薄膜的表面形貌、疏水性能、光学性能等进行测试,结果显示AF2400-SiO2复合光学薄膜表面平整,折射率为1.21,疏水角可以达到110°~120°.     

魔芋葡甘聚糖/纳米四氧化三铁复合溶胶的流变性能

为了研究魔芋葡甘聚糖/纳米Fe_3O_4_静电纺丝膜,运用流变仪分析纳米Fe_3O_4对KGM溶胶流变性能的影响,以期为制备复合的纺丝液的浓度和配比提供了指导。结果表明:KGM/纳米Fe_3O_4复合溶胶是一种假塑性流体;复合溶胶的粘度、线性粘弹区域范畴、屈服应力值、模量等四个指标均与纳米Fe_3O_4掺杂比的掺杂比呈正比关系,从剪切性质分析其体系纳米Fe_3O_4质量浓度不应超过1.2%。通过频率扫描分析,纳米Fe_3O_4与KGM之间存在相互作用,随着纳米Fe_3O_4粒子含量的增加使得与KGM作用增加,从而使体系形成稳定网络结构,使复合溶胶的稳定性更高,因此将魔芋葡甘聚糖/纳米Fe_3O_4制备静电纺丝膜具有一定可行性。     

退火方式对镍钛钪合金薄膜微结构的影响

选用具有氮化硅镀层的硅片做为基片,采用磁控溅射方法制备了近等原子比镍钛钪合金薄膜,分别采用快速热处理和传统热处理对合金薄膜进行了退火,使用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分析了薄膜的微结构和表面形貌。结果显示薄膜呈现柱状生长,不同的退火方式影响薄膜的析出相,快速退火处理后,随着钪含量的增加,B2奥氏体相占优并伴随Ni4Ti3析出相;而传统热处理过程还会析出Ti2Ni相。     

退火温度对钽基RuO2·nH2O电沉积薄膜电容性能的影响

以RuCl3·xH2O的水溶液为电沉积溶液, 通过恒流电沉积法在钽箔上电沉积一层RuO2·nH2O薄膜, 研究退火温度对RuO2·nH2O薄膜的电容性能的影响;采用CHI660B电化学测试仪和循环伏安法对薄膜的电容性能进行测试;分别采用扫描电子显微电镜、能谱仪及X射线衍射仪对薄膜的形貌和微孔形态、薄膜元素及薄膜的物相进行分析. 结果表明, 未经退火处理的RuO2·nH2O薄膜的电容性能不稳定, 在循环伏安法测试中电容量随循环次数的增加而降低;将RuO2·nH2O薄膜分别在不同温度(100, 150, 200, 250和300 ℃)下进行的2 h的退火处理, 经退火处理后的RuO2·nH2O薄膜的电容性能经过60次的循环后趋于稳定, 其中, 经过100 ℃退火处理的RuO2·nH2O薄膜的比电容最大, 其比电容为0.083 8 F/cm2.     

α-Fe_2O_3/ZnFe_2O_4复合薄膜光生电荷分离与光电性质研究

采用溶胶-凝胶法分别制备出α-Fe_2O_3和Zn Fe2O_4两种胶体,在ITO透明导电玻璃上制备成不同厚度配比的α-Fe_2O_3/ZnFe_2O_4异质结.XRD检测结果表明,复合薄膜两种组分都达到了良好的结晶状态;而且,各复合薄膜体系都呈现出了异质结复合结构的光吸收特性,但光吸收性质差异不明显.稳态表面光电压谱测试结果表明,两组分的厚度分别在1.3μm(α-Fe_2O_3)和1.8μm(ZnFe_2O_4)时达到最佳光伏响应强度.在正的外电场诱导下,组分厚度分别为1.3μm(α-Fe_2O_3)和1.8μm(Zn Fe_2O_4)的复合薄膜具有更为优越的光伏响应特性.     

离子束溅射Ta_2O_5薄膜光学性质的热处理研究

使用离子束溅射法,在熔融石英衬底上沉积Ta_2O_5薄膜,并将Ta_2O_5薄膜置入100℃到500℃的环境中退火.通过XRD、透过率光谱、面吸收测试,研究了热退火温度对Ta_2O_5薄膜折射率与面吸收的影响.总结了退火温度与薄膜折射率与面吸收的对应关系,并给出简单的理论解释.该结论对Ta_2O_5薄膜的制备及光学性能调控提供一定的参考价值.     

乙醇氛围热退火法制备高性能钙钛矿太阳能电池

采用两步旋涂法制备钙钛矿甲胺碘铅(CH3NH3Pb I3)薄膜,再通过乙醇蒸气氛围热退火的方法处理薄膜.扫描电镜图像、X线衍射谱、紫外可见吸收光谱等表征结果表明,乙醇热氛围退火促进CH3NH3Pb I3晶体的生长,增大晶体尺寸,增强薄膜结晶性.将使用乙醇蒸气热退火方法制备的薄膜组装成太阳能电池,器件短路电流从15.59 m A/cm~2增大到17.17 m A/cm~2,光电转换效率从10.32%提高至11.07%.     

旋涂法制备二氧化钛纳米薄膜的光催化性能研究

采用溶胶-凝胶法和旋涂法在普通玻片上制备了具有锐钛矿相结构的TiO2纳米薄膜,系统研究了退火时间对薄膜中TiO2纳米晶粒的尺寸和TiO2薄膜光催化效率的影响。结果表明,随着退火时间的增加,薄膜中TiO2纳米晶粒的尺寸增加,但TiO2薄膜的光催化效率降低。据此从理论上分析了引起上述实验现象的物理机制。     

Fe~(3 )-TiO_2复合纳米薄膜的制备及光催化特性的研究

通过射频磁控溅射工艺制备了TiO2复合纳米薄膜并分析了薄膜的结构及光催化特性.退火温度在350-550℃时Fe3 -TiO2复合薄膜均为锐钛矿相,以石英玻璃为基片的掺铁TiO2复合膜在(101)面有一定的择优取向.复合膜晶粒为锥形颗粒,薄膜表面积大于同温度退火时的纯二氧化钛薄膜,晶粒结晶过程中Fe3 替位Ti4 在晶粒中形成分离的P型杂质能级,TiO2的禁带宽度受到Fe3 杂质能级的影响使TiO2复合纳米膜的光吸收阈值有明显的“红移”的现象,在模拟日光环境光催化甲基橙试验中,Fe3 -TiO2复合纳米膜的催化活性高于二氧化钛薄膜.