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本文研究了高阻(80-110Ω.cm)NTD-FZ-Si-P^+n结中经电子辐照缺陷态在真空条件下的等时,等温退火特性,获得了5个缺陷能级,结果表明其中,E3,E4,能级是主要的复合中心。 相似文献
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采用Tersoff势对硅掺杂石墨烯薄膜的拉伸过程进行了分子动力学模拟,研究了不同硅掺杂比对扶手椅型和锯齿型石墨烯薄膜拉伸力学性能的影响,得到了相应的应力-应变关系以及拉伸破坏形态.研究结果表明,硅原子的替换掺杂对石墨烯薄膜杨氏模量的影响明显,其拉伸极限应变和拉伸强度随着硅原子掺杂比的增大而显著减小. 相似文献
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根据区熔硅CGD法的生长模式,进一步推算出其掺杂浓度的轴向分布及其均匀分布所需的预掺杂时间,所得计算结果与实验值非常接近。 相似文献
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浅谈影响机械加工精度的因素 总被引:1,自引:0,他引:1
在机械加工中,影响工件的最终加工精度因素有很多,如何去减少对加工精度的影响因素,让工件的加工精度达到要求,成为加工前重点考虑的事情,下面我结合自己多年的教学实践经验,就影响机械加工精度的因素作简单阐述。 相似文献
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中子嬗变掺杂硅(NTD-Si)等时热退火特性的研究,国内开始于80年代初,到1986年,认为其规律已经基本清楚.但是1988年发现NTD直拉Si退火中电阻率的变化不同于以往的报道,还存在一种800—1000℃温区的中子辐照施主,因而必须进行不同于NTD区熔Si的退火处理.以往对于NTD区熔Si的辐照都选择了大致相同的 相似文献
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为预测加工误差对微靶装配精度的影响,开展了加工误差对硅臂刚度及应力分布的影响研究. 基于PRO/E逆向工程对实际加工的硅臂样品建模,并搭建实验平台,建立微力与微位移关系的数学模型. 采用仿真与实验相结合的方法,对硅臂存在加工误差与无加工误差的情况下的刚度进行对比,定量预测微靶的装配精度. 研究表明为提高装配精度,必须充分考虑装配力和形位误差形成的非线性误差和非均匀应力场的影响. 相似文献
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:The research and development history of silicon Neutron Transmutation Doping (NTD) technology and its applications at home and abroad are introduced in this paper. The advantages of NTD, compared with conventional technology of doping, are narrated. The principle of NTD as well as the implementation of the main procedures related to Si NTD is explained. The market demand tendency is prospected, and the advanced measures on NTD quality control are described. 相似文献
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Wen Xiang-e Li Shi-qing Ma Li Yan He-ping Wang Zhu Wang Shao-jie Guo Cheng-zhan Zhao Hai-ge 《武汉大学学报:自然科学英文版》1999,4(3):290-294
Two samples of high purity InP extracted from the same wafer were examined by positron annihilation spectrum analysis after
having been, processed by means of thermal Neutron Transmutation Doping (NTD). Compared with the as grown sample with an average
positron lifetime of 246 ps at 300 K, the high dose doped one has an average lifetime of 251 ps and the lower dose doped one
248 ps measured under the same condition, indicating that some defects have been introduced in the NTD process. Annealing
experimental results show a steady decrease in the average lifetime with increasing annealing temperature up to 550°C. And
a peak in lifetime curve around 500°C was observed which may be attributed to defects related structure conversion. Temperature
experiments conducted on the low dose doped sample from 150K to 290 K suggest the existence of vacancy-impurity complex which
have given rise to an abnormal reduction of average lifetime with increasing temperature. Also a n-type InP sample (A61) was
irradiated with thermal neutrons in another reactor and the lifetime results display an increase of 15 ps. Furthermore, to
study epithermal neutron irradiation effects on InP, measurements were performed on an n-type InP sample (N119) along with
one p-type sample (P118) after having been irradiated with high fluence of epithermal neutrons. The former has an average
lifetime of 262 ps and the latter 247 ps after irradiation. The results prove that on some occassion epithermal neutrons can
produce sizable defects in InP.
Foundation item: Supported by the Science Foundation of Hubei Province (203980532)
Biography: WEN Xiang-e (1976-), male, Master candidate, Research direction; majar research interest is defects in semiconductor
materials using positron annihilation spectroscopy. 相似文献
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利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了Al、Si和P掺杂对Ge在石墨烯上吸附的影响.Ge原子在完整石墨烯上吸附的最稳定位置为桥位,Ge的吸附改变了石墨烯中C原子的电子自旋性质;Al、Si和P掺杂石墨烯使衬底C原子发生了移动,且Si,P原子掺杂比Al掺杂石墨烯容易;杂质类型对Ge在石墨烯上的吸附位置有较大的影响,... 相似文献
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利用离子注入然后退火的方法制备镶嵌有锗纳米晶的二氧化硅复合膜,再利用中子嬗变方法,对镶嵌有锗纳米晶的二氧化硅复合膜进行精确均匀掺杂,用激光拉曼散射测量表征锗纳米晶的存在,测量嬗变掺杂前后样品的I-U曲线和lnR-1/T曲线.结果表明:掺杂样品未退火时电阻极大,退火后电阻明显减小,但比未掺杂时大;其它条件相同时,锗的注入量越大,纳米晶层的电阻越小;在掺杂样品的低温I-U曲线中发现台阶. 相似文献
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论影响学生学习质量的因素 总被引:1,自引:0,他引:1
杨忠辉 《浙江万里学院学报》2002,15(3):102-105
学生学习质量是影响教学质量的重要因素,而学生学习质量又受诸多因素的影响和制约。文章主要从学习目的和学习态度,教师教学质量,学习基础,学习环境等几个方面进行了剖析,并提出了相应的措施。 相似文献
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叶正环 《太原师范学院学报(自然科学版)》2007,6(1):67-70
在机床上加工工件时,运动的执行件,由导轨来支撑和导向,以保证运动的精度,导轨的导向精度直接影响机床的加工质量和生产率,因此分析导轨的导向精度有重要意义,文章分析了导轨导向精度对加工精度的影响及提高导向精度的措施。 相似文献
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百里香提取物抑菌作用影响因素的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
以百里香提取物及百里香芳香油作为抑菌剂进行抑菌试验 ,结果表明 ,所用提取物对供试菌金黄色葡萄球菌、枯草芽孢杆菌和大肠杆菌均有不同程度的抑菌作用 ,低 pH能够加强抑菌剂的抑菌能力 ,而吐温 80和有机氮 (BSA)能大大削弱抑菌剂的抑菌能力 ,可望将其用于食品工业作为食品防腐和抑菌剂 相似文献
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本文报道了 GaAs 掺杂超晶格的室温 PR 谱研究结果.在1.43eV~1.52eV 能区观测到了与量子化电子或空穴态有关的一系列 PR 谱结构,并分析了这些结构的跃迁机理.实验结果与理论计算符合很好.同时,在2.80eV~3.30eV 间测得的(?)_1和(?)_1+△_1,也显示了明显的量子尺寸效应(quantum size effect). 相似文献
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现阶段预制装配式建筑建造成本较高,限制了其在国内的推广应用,运用影响系数分析法对限制预制装配式建筑的生产成本影响因素进行分析,研究表明:形成规模经济、采用先进施工工法有助于降低装配式建筑生产成本,可为其推广应用提供参考. 相似文献
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论述了影响铝合金铸件尺寸精度的主要因素,并通过采取正交试验和对比试验分析了型砂在不同浇注温度下对尺寸精度的影响。 相似文献