衬底上立方氮化硼薄膜的大面积生长

采用热丝辅助射频等离子体化学气相沉积（ＣＶＤ）方法在较大面积（≥５ｃｍ２）镍衬底上生长立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）薄膜．所用气体为硼烷、氨气和氢气的混合气体．实验发现,灯丝温度及其分布是影响ｃ－ＢＮ薄膜生长的主要因素．Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）分析表明,样品中立方相的成分随温度的升高而增加,当温度达到２０００℃时,样品中主要为立方相成分,无六方相（ｈ－ＢＮ）或其它杂相形成．用扫描电镜（ＳＥＭ）对样品表面不同位置形貌观察发现,立方相晶粒大小均匀且分布致密．Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）测得样品中Ｂ原子与Ｎ原子的组分比大约为１１．当温度达到２０００℃以上时,样品中立方相成分减小,说明在合适的温度下,可制备具有理想化学配比的大面积ｃ－ＢＮ薄膜．     

新型磁光石榴石薄膜的液相外延生长

对高掺铋（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２及（ＥｒＧｄＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２激光单晶薄膜的液相外延生长进行了实验研究，用液相外延法将薄膜生长在大晶格常数的ＣａＭｇＺｒ：ＧＧＧ基片上，实验中采用新的材料配方与工艺技术，特别是在薄膜晶体生长中采用变化熔料温度与基片转速的新技术，生长出多分层而不开裂的薄膜，使用Ｄ／ＭＡＸ－ⅡＢ型晶体衍射仪测量了样品的Ｘ射线衍射谱，并对实验结果进行了分析。     

新型的具有电开关特性的含C60复合薄膜

利用真空双源同时蒸发法制备了新型Ｃ６０－１，４－ｂｉｓ（－１，１－ｄｉｃｙａｎｏｖｉｎｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ（ＢＤＣＢ）复合薄膜。用高分辨扫描电镜和Ｘ－射线衍射仪分析了ＢＤＣＢ－Ｃ６０复合薄膜的表面形貌和结构特性，结果表明ＢＤＣＢ－Ｃ６０复合薄膜是一种不同于纯Ｃ６０薄膜和纯ＢＤＣＢ薄膜的结构相。Ａｇ／ＢＤＣＢ－Ｃ６０／Ａｇ的拓明治型结构具有电学双稳态现象和记忆特性。     

微波等离子体化学气相沉积β-C_3N_4超硬膜的研究

采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）,用高纯氮气（９９．９９９％ ）和甲烷（９９．９％ ）作反应气体,在多晶铂（Ｐｔ）基片上沉积Ｃ３Ｎ４ 薄膜。利用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）观察薄膜形貌表明,薄膜由针状晶体组成。Ｘ射线能谱（ＥＤＸ）分析了这种晶态Ｃ－Ｎ膜的化学成分。对不同样品不同区域的分析结果表明,Ｎ／Ｃ比接近于４／３。Ｘ射线衍射结构分析说明该膜主要由β－Ｃ３Ｎ４ 和α－Ｃ３Ｎ４ 组成。利用Ｎａｎｏ ｉｎｄｅｎｔｅｒ Ⅱ测得Ｃ３Ｎ４ 膜的体弹性模量Ｂ达到３４９ ＧＰａ,接近ｃ－ＢＮ（３６７ ＧＰａ）的体弹性模量,证明Ｃ３Ｎ４ 化合物是超硬材料家族中的一员。     

多弧离子法制备的Ti（C,N）膜微结构随C2H2／N2流量比变…

用多弧离子法在高速钢（Ｗ１８Ｃｒ４Ｖ）基底上沉积了Ｔｉ（Ｎ，Ｃ）薄膜，并运用ＳＥＭ、ＸＲＤ、ＸＰＳ对该膜微观结构随进气流量ｒ＝Ｇ２Ｈ２／Ｎ２变化的情况进行了测试和分析。结果表明薄膜随ｒ增加趋于致密，在ｒ值较小时呈现较强的（１１１）择优取向，随着ｒ值增大，（１１１）是这一取向逐渐变弱，（２２０）取向渐强，薄膜呈现典型耐心立方结构，主要万分为复合相Ｔｉ（ｎ，Ｃ）膜含有少量石墨相成分存在。     

离子束混合法制备Sm—Fe—N磁性薄膜

利用离子束混合方法在Ｓｍ质量分数为２０％的Ｓｍ－Ｆｅ多层薄膜中，当注入能量为６０ｋｅＶ的Ｎ离子时，成功地制备出Ｓｍ－Ｆｅ－Ｎ磁性薄膜．经透射电镜（ＴＥＭ）和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）分析发现：当Ｎ离子的注入剂量为１×１０１７／ｃｍ２时，形成Ｓｍ２Ｆｅ１７Ｎｘ磁性薄膜；而Ｎ离子的注入剂量为２×１０１７／ｃｍ２时，Ｓｍ－Ｆｅ多层薄膜转变成非晶磁性薄膜，而且Ｓｍ２Ｆｅ１７Ｎｘ磁性薄膜和Ｓｍ－Ｆｅ－Ｎ非晶磁性薄膜的磁性（饱和磁性强度、矫顽力）与注入前的Ｓｍ－Ｆｅ薄膜相比有明显的提高     

离子束增强沉积纳米Fe—N磁性膜

利用高能量（〉１５ｋｅＶ）、脉冲氮离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）Ｆｅ－Ｎ磁性薄膜。合成了含有α－Ｆｅ、α″－Ｆｅ１６Ｎ２、γ＇－Ｆｅ４Ｎ和ε－Ｆｅ２￣３Ｎ相的纳米多晶薄膜。Ｆｅ－Ｎ薄膜的磁性取决于膜层的相结构及微观形貌。纳米尺度的α″－Ｆｅ１６Ｎ２和α－Ｆｅ相的混合物膜层的饱和磁性强度可达２４５ｅｍｕ／ｇ。多元ＩＢＥＤ Ｆｅ－Ｃｏ－Ｎ合金薄膜与相同制备条件下合成的Ｆｅ－Ｎ薄膜相比，其相结构相似，但饱和     

新型半导体薄膜材料的制备,结构和特性研究

主要介绍了研究所２０年来在新型薄膜半导体的制备、结构及特性研究方面所取得的成就,尤其是对非晶硅碳和非晶硅硅锗（α－ＳｉＣ：Ｈ和α－ＳｉＧｅ：Ｈ）薄膜、金刚石和类金刚石薄膜、立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）薄膜、β－Ｃ３Ｎ４薄膜和富勒烯薄膜的研究工作取得了重要成果,不少工作已达到国际先进水平,发表论文３００余篇。     

磁控弧光放电增强等离子体离子镀合成c－BN薄膜

采用能产生高密度等离子体的磁控弧光放电增强等离子体离子镀的方法，制备立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）薄膜．     

新型磁光石榴石薄膜的液相外延生长

对高掺铋（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２及（ＥｒＧｄＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２磁光单晶薄膜的液相外延生长进行了实验研究．用液相外延法将薄膜生长在大晶格常数的ＣａＭｇＺｒ：ＧＧＧ基片上，实验中采用新的材料配方与工艺技术，特别是在薄膜晶体生长中采用变化熔料温度与基片转速的新技术，生长出多分层而不开裂的薄膜，使用Ｄ／ＭＡＸ－ⅢＢ型晶体衍射仪测量了样品的Ｘ射线衍射谱，并对实验结果进行了分析     

离子束辅助沉积制备氮化钽薄膜

利用离子束辅助沉积（ＩＢＡＤ）技术制备ＴａＮ薄膜；掠入谢的Ｘ射线衍射和透射电镜观察结果显示，薄膜晶粒细小、结构致密，是面心立方结构。     

掺Bi石榴石单晶薄膜的磁光特性

报导了（ＰｒＤｄＹｂ）３－１Ｂｉｘ（ＦｅＡｌ）５Ｏ１２石榴石单晶薄膜生长工艺，生产材料以及样品的实验结果；讨论了Ｂｉ＾３＋离子的加入使材料的Ｆａｒａｄａｙ，４πＭｓ，Ｔｃ和光散强度增加的线性关系。     

氮化碳薄膜的红外吸收光谱（FTIR）研究

测量了采用ＲＦ－ＣＶＤ方法制备的氮化碳薄膜的ＦＴＩＲ曲线，膜层中的Ｃ－Ｎ键、石墨相、Ｃ＝Ｎ键和Ｃ≡Ｎ键的红外吸收峰波数分别为１２５０ｃｍ＾－１，１５７６ｃｍ＾－１，１６８７ｃｍ＾－１和２０５４ｃｍ＾－１。采用技术措施避免石墨相析出的氮化碳薄膜，其红外吸收谱只出现了Ｃ－Ｎ键的伸缩振动吸收峰（９４８ｃｍ＾－１），薄膜中的其它功能基团的存在对Ｃ－Ｎ键的振动频率有一定的影响。     

激光扫描淀积原位生长高TC超导薄膜

用激光束扫描淀积的方法，成功地在ＺｒＯ２（Ｙ），ＬａＡｌＯ３基片原位生长高质量的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ高温超导薄膜，其临界温度达到９０Ｋ以上，ＳＥＭ及ＸＲＤ分析表明，薄膜沿Ｃ轴择优外延生长，其结晶性很好，表现光滑均匀。     

醇盐受控水解法制备YSZ超细粉及其表征

利用正丙醇锆受控水解方法制备ＹＳＺ粉．研究在正丙醇锆－硝酸钇－乙酰丙酮体系中，Ａｃａｃ／Ｚｒ（ｍｏｌ），Ｈ２Ｏ／Ｚｒ（ｍｏｌ）对正丙醇锆水解影响．采用ＴＧ－ＤＴＡ，ＸＲＤ，Ｒａｍａｎ光谱，ＢＥＴ，ＴＥＭ等手段对ＹＳＺ粉体进行表征．发现本体系获得的粉体立方相成相温度可低至３５０℃，颗粒度在１０ｎｍ左右     

Bi2O3—ZnO—Nb2O5三元系统中焦绿石结构及相变

文章研究了ＢｉＯ３－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５（ＢＺＮ）三元系统中的焦绿石绘声绘色与相变。用Ｘ－射线衍射技术分析了研究样品的相结构及相组成，发现了两种焦绿石晶相及其复相结构。且随着Ｘ值的增加，晶体结构从焦绿石立方相向焦绿石单斜相逐渐过渡；焙烧温度的升高和保温时间的延长有利于焦绿石立方相的形成。     

织构金刚石薄膜生长特性与研究

目前利用气相法得的金刚石薄膜多为晶膜，性能远不如天然金刚石，严重地影响了它在光学、电子学等方面的应用。因此，如何控制合成条件，实现金刚石薄膜的均匀定向生长是目前金刚石薄膜研究中急需解决的课题。本工作利用电子促进ＨＦＣＶＤ技术成功的得到了织构生长的金刚石薄膜，研究了合成的优化工艺条件。实验中钨丝温度为２０００℃，ＣＨ４／Ｈ２浓度０．４—２％，基片温度控制在７５０－９００℃，基片与钨丝之间加偏压１３０Ｖ。对合成的薄膜用扫描电子显微镜（型号ＳＥＭ１０００Ｂ—２）观察薄膜的形貌。结果表明，当碳源浓度为的０．８％，基片温度为８７０℃时，晶粒晶形好，样品上金刚石颗粒已经连成了薄膜，每个晶粒顶部呈现和衬底平行的（１００）面。ＣＨ４浓度高时，晶性变差，呈粗糙的球状多晶状。基片温度过低时晶形较差。温度过高因相变和气化不能成膜。基片温度在８５０℃－９００℃范围内可连续成膜。加衬底偏压可以提高基底表面能和降低原子团界面自由能，因而可以促进成核。综上，我们利用偏压促进成核ＨＦＣＶＤ技术，在优化工艺条件下得到了织构生长金刚石薄膜，为揭示其外延生长机理提供了实验数据     

含叠氮硝胺的低特征信号推进剂的热分解研究

应用高压ＤＳＣ（差示扫描量热法）、ＴＧ（热重法）和ＤＴＧ（差示热重法）了ＤＡＴＨ（１,７－二叠氮－２,４,６－三硝基氮杂庚烷）、ＲＤＸ（黑索金）单组分以脑ＲＤＸ－ＣＭＤＢ（复合改性双基推进剂）和ＣＤＡＴＨ－ＲＤＸ－ＣＭＤＢ推进剂样品的热分解,温度达２００℃时,首先暗ＤＡＴＨ中３个－ＮＯ２从主链上断裂分解,接着是一Ｎ３和其他残余分子在较短的时间剧烈地分解并释放出大量的热,在多组分体系中,ＤＡＴＨ与（     

酞菁铁—表面活性剂薄膜修饰电极及其催化性能

将酞菁铁（ＦｅＰｃ）掺入阳离子表面活性剂双十二烷基二甲基溴化铵（ＤＤＡＢ）的氧仿溶液，并涂布于热解石墨电极表面，待氯仿挥发后即制得ＦｅＰｃ－ＤＤＡＢ薄膜电极，循环伏安实验表明，在ＫＢｒ溶液中该薄膜电极有２对还原氧化峰，第１对峰的Ｅｐｃｌ＝－０．６４Ｖ，Ｅｐａｌ＝－０．２９Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）第２对峰的Ｅｐｃ２＝－１．０４Ｖ，Ｅｐａ２＝－０．９４Ｖ着重探讨了第２对峰的电化学行为，估计了该体系的电化学参     

碳氮化合物硬质薄膜的结构与摩擦性能

碳氮化合物（ＣＮ）是经理论预测的、硬度有可能超过金刚石的非天然共价化合物。该文使用反应离化团束（ＲＩＣＢ）方法，以低分子量聚乙烯为蒸发源材料，氮气为反应气体，在Ｓｉ（１１１）衬底上生长了ＣＮ薄膜。用激光喇曼（Ｒａ－ｍａｎ）散射分析了薄膜中的成键情况。结果表明，当氮气分压为１３．３ｍＰａ时，在波数１２４８ｃｍ－１附近出现源于共价Ｎ—Ｃ单键的喇曼峰，而且该峰强度随氮气分压的增加而增加。这个结果与Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）分析结果是一致的。硬度测定结果表明，生长的ＣＮ薄膜的努氏显微硬度最高可达６１ＧＰａ。在无润滑条件下进行滑动摩擦试验，测得的摩擦因数最低为～０．０８。