双向S型负阻器件的二维计算机数值模拟

介绍了一种对双向Ｓ型负阻器件进行二维数值模拟的方法，并胜此方法模拟得出器件的Ｉ－Ｖ曲线及截止状态和导通状态下器件内部电位、电子空穴浓度分布和电流密度分布，由此可以更清楚地了解器件的工作机理。     

TAB器件的高频特性分析

本文介绍了自动带焊器件的载带结构，分析和计算出载带的电参数，构造了集中参数的等效电路，对ＴＡＢ器件在引线链合器件的高频特性用ＰＳＰＩＣＥ程序进行了分析，通过比较，阐明了ＴＡＢ器件在高频特性上优于传统封装形式。     

深亚微米器件Monte Carlo模拟的数学模型

讨论了深亚微米半导体器件模拟的Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法（ＭＣＭ）,并简要阐述了玻耳兹曼模型（ＢＴＭ）、漂移扩散模型（ＤＤＭ）和流体动力学模型（ＨＤＭ）之间的关系。     

用于VLSI的MOSiC器件电特性模拟

在分析了金属一氧化物-SiC（MOSiC）器件物理模型的基础上，分析界面等物理效应时对器件的影响，建立了适于VLSI的MOSiC器件模型。利用当今流行的MATLAB软件，模拟了MOSiC器件的电特性。     

LSIMOS器件的两维分析

本文应用Gummel自洽场理论对LSIMOS器件进行了两维分析,并开发了相应的模拟软件,模拟结果与实验基本吻合。     

电路与器件的混合模拟方法

以二级牛顿算法为基础提出了电路与器件的混合模拟方法，从而实现了一个有效的混合仿真工具。提出了一种通用的数值器件模型，可以适用于所有器件仿真工具所包含的新器件和由此组成的电路，并在计算机网络上实现了混合模拟的并行计算，大大提高了运算速度。这种方法使人们在新器件设计的同时能够很方便地进行电路级模拟，从而为新器件和新电路的发展和应用提供了强有力的模拟工具。     

20年来对静电感应器件（SID）的开拓性研究

全面总结了本研究所２０年来独立自主完成的关于静电感应器件（ＳＩＤ）的开拓性研究成果，包括ＳＩＤ基本器件物理的理论研究，器件结构的研究，电性能的控制，关键制造技术的研究，ＳＩＤ产品的研制以及ＳＩＤ的应用研究等多方面的成果。     

多结器件稳态模型的分歧解分析

本对多结半导体器件方程模型的分歧解进行了分析。首次引入了慢变化变量作为新参数，确定了ｐｎｐｎ器件模型出现分歧解的条件，证明了该模型多稳态的存在性，同时给出了ｐｎｐｎ器件作为晶闸管工作的一个必要条件。     

GaAs非本征吸收

对光脉冲入射波长为1064nm时,GaAs光导开关上的直流电场为103V/cm观察到光电流的现象运用非本征吸收光电导理论进行了解释,讨论了恒定光强和高斯光强时,GaAs非本征吸收载流子浓度随时间的变化,并将高斯光强时的模拟结果同光导开关实验相比较,二者吻合很好     

多元胞结构的半导体放电管浪涌能力研究

鉴于半导体放电管工作时的最高温升决定其浪涌能力,通过对器件进行温度场模拟,可以明显地看出基片厚度、载流子浓度以及元胞数对器件温升的影响。因此对不同厚度、杂质浓度的16元胞放电管进行了浪涌实验。模拟和实验结果均表明,增加元胞数、选择均匀性好和较薄的衬底材料以及采用低扩散浓度方法可以减少放电管工作时的温升,改善放电管浪涌能力。     

功率器件芯片封装和静电放电失效分析

针对一般失效机理的分析可提高功率半导体器件的可靠性.利用多种微分析手段,分析和小结了功率器件芯片的封装失效机理.重点分析了静电放电(electrostatic discharge,ESD)导致的功率器件失效,引入了ESD电热理论模型.实验证明,该模型能快速准确地分析金属引线的抗ESD强度.     

一维热传导型半导体器件的有限体积元逼近及分析

采用有限体积元方法来解决一维热传导型半导体器件数值模型,将分段线性函数和分段常数函数分别作为有限体积元方法的试探函数和检验函数,构造了半导体器件模型的全离散有限体积元逼近格式和计算程序．并进行理论分析,得到了最优阶H^1-模误差估计．     

核电厂某电子设备浪涌抗扰度仿真分析及整改研究

通过对浪涌抗扰度试验中常出现的问题进行系统分类,提出了浪涌抗扰度试验问题整改的流程方案。应用于解决核电厂某电子设备的端口防护设计问题自查,制定了一系列端口防护电路的整改措施,同时利用PSPICE仿真了浪涌抗扰度试验中的发生器、耦合网络及防护器件组成的试验电路,验证了防护电路的可靠性。     

多元胞半导体浪涌防护器转折特性与IH的折衷

由晶闸管短路发射极模型提出了半导体浪涌防护器的一种多元胞结构,分析了该模型的转折特性与维持电流IH。在归一化条件下,定量表述了其折衷关系,从而确定了某一工艺参数条件下的最佳D／d值,为提高SSPD的浪涌能力、改善响应特性、实现器件的规模化生产具有重要意义。     

三级复合型电涌保护器的设计与研究

为了解决传统模块式电涌保护器设计方式过于单一、防护过电压效果不理想与工作年限不长等问题,根据铁道部门信号机房配电系统的过电压防护要求,依据IEC 61643—21:2000《低压冲击保护装置第21部分:连接到电信和信号网络的电涌保护器—性能要求和试验方法》要求,设计了一种利用气体放电管、氧化锌压敏电阻片与瞬态抑制二极管进行并联组成的三级复合结构的电涌保护器,通过PSpice仿真分析与研究,结合实际冲击试验,验证了电路结构的可靠性。复合型电涌保护器充分发挥三种常用的防浪涌元件的优势,弥补了防浪涌元件单体结构的缺陷,具有残压低、通流容量大、反应迅速的特点,对于低压电源系统的过电压防护工作具有一定的现实工程应用价值。     

纳斯达克半导体行业股指统计特性及其神经网络预测技术研究

金融时间序列统计特性和神经网络预测研究对于掌握金融市场发展规律,并指导长期或短期投资行为具有重要意义。采用经验模态分解(EMD)、时间内禀相关分析(TDIC)和Hilbert谱分析等方法对纳斯达克半导体行业股指进行了尺度统计分析,并利用先验的神经网络对纳斯达克半导体行业股指进行了预测。统计分析发现,各阶本征模态函数(IMF)呈现一定的周期性,能谱分析的结果显示半导体行业股具有统计行为;利用先验的神经网络对半导体股指进行预测,发现半导体行业股指将会在未来一段时间内保持振荡趋势,不同的反向传播(BP)神经网络预测模型可以有效应对半导体行业长期和短期投资方案,可为投资者提供有效的借鉴。     

长江口台风暴潮的计算模式研究

长江口台风暴潮的数值研究包括计算模式的研究、增水计算、潮波传播计算和预报模式研究等四部分.本文阐述用二维全流型风暴潮方程组计算长江口地区风暴潮的模式.将计算域分成口外区增水线性计算和口内区考虑增水与潮汐综合作用非线性计算.文章讨论了两个计算区域的确定,并详述了采用套网格差分格式时,时间、空间步长不同的计算域间的交接方法.     

半导体器件模拟软件ISE—TCAD

本文的研究目的是对半导体模拟软件ISE—TCAD进行详细介绍,旨在介绍软件的模拟方法,并利用仿真软件ISE—TCAD对其在室温下的正向伏安特性与反向伏安特性进行了模拟仿真,并取得了有价值的数据．．从模拟图的结果可知室温（303K）且偏压较低时,电流随着电压呈指数关系增长。W／SiC肖特基势垒二极管的开启电压约为0．2V;偏压较高时,电流增加缓慢,串联电阻效应明显。模拟值表明反向电流数值比正向数值小几个数量级,