场论说给出包含互感的四种元件串并联公式

应用电磁场能量转换与守恒定律于正弦稳态线性交流网络中，得出能量守恒定律的新表示式，利用式中统一体现的电阻，电容，自感和互感４种元件能量形式的优点，以及网络现代场论关于元件复阻抗率和积分形式的复阻抗等概念，分别给出４种元件具体的积分形式复阻抗。通过复阻抗与电压，电流的关系，与电路的串并联联系起来，导出包含互感元件的４种元件串联后再串并联的复阻抗公式，并验证此公式的正确性。     

欧姆定律的微观基础及适用条件

本文讨论了欧姆定律的表述形式，并分析了其微分形式的微观基础，在此基础上得出了欧姆定律的适用条件．     

截面为矩形的圆形回路的自感

对于截面为矩形的圆形回路,用磁能法导出一个积分形式的自感表达式.在圆形回路为细导线(即导线矩形截面的边长远小于圆形回路的半径)的条件下,用拟合函数法得出一个用初等函数表示的自感表达式.     

欧姆定律的使用条件

从欧姆定律的微分形式出发,讨论了欧姆定律的应用条件,阐述了欧姆定律在金属、液体和气体中的应用条件.     

加双权的Hardy-littlewood型不等式

利用权得到了Hardy-littlewood型微分形式的推广:加双权积分不等式.这个不等式是经典结果的推广,它可被用来研究微分形式的积分性质且用来估计微分形式的积分值.     

耦合回路中的反射阻抗

耦合电路是指相互之间有影响的两个或两个以上电路所组成的电路系统。由于耦合方式不同,耦合电路随之而异,故它们的分析方法也不尽相同。这里仅讨论电子线路中广泛应用的互感耦合回路。在耦合回路的讨论中,通常是把初、次级之间的相互影响等效成反射阻抗,这样把耦合回路拆成单回路,就可以用分析单回路的方法来分析耦合回路。而且耦合回     

耗散介观金属环互感系统中的量子电流

基于电荷离散性的事实,对耗散互感介观金属双环系统进行量子化,给出耦合形式的量子回路方程,研究耗散双环系统中的量子电流增强效应.结果表明,量子电流增强效应不仅存在于无耗散双环系统中,而且在耗散互感金属双环系统中也存在,是一个纯量子效应.     

对电路回路方程的研究

本文根据互感电路的特点，得到了该类电路直接列写回路电色流的方法，该方法简单、条理，容易掌握．     

基于场论说的N端口网络参数推导

应用场论说中回路电流法的网络状态方程、回路自复阻抗和回路互复阻抗新公式,推导了任意线性无源N端口网络的Y参数及其它参数,并以实例对场论说的推导结论进行了验证.     

对于欧姆定律微分形式的探讨

欧姆定律的微分形式是麦克斯韦方程组的一个组成部分。本文指出常见的物理教科书中对这一问题探讨过程中的不妥之处,以求与同行们商榷。     

场论说对二端口网络γ参数的推导

应用场论说中回路电流法的网络状态方程和同时可表示回路自复阻抗和回路互复阻抗的新公式 ,去推导任意的线性无源二端口网络的 Y参数 ,从而导出其它参数 .并以实例对场论说的推导结论进行了验证     

Cn中(p,q)型微分形式关于Hodge *算子、( )算子及其伴随形式( )的积分表示

运用Cn中的Hodge *算子、( )算子及其伴随形式( )得到Cn中(p,q) (0≤p,q≤n)型微分形式的Bochner-Martinelli-Koppelman核Kp,q(ζ,z), 并由此得到Cn中(p,q)型微分形式关于Hodge *算子、( )算子及其伴随形式( )的一种积分表示.     

TiO2纳米管阵列的等效电路

通过复阻抗谱方法分析提出了TiO2纳米管阵列薄膜的电路模型.TiO2纳米管采用纯钛板在HF酸水溶液中电化学阳极氧化生成,SEM观测说明TiO2纳米管是结构致密有序的阵列.根据复阻抗测量数据认为阵列薄膜的等效电路是两个RC并联回路组成的串联回路,由此拟合并给出了等效电路元件的各参数值.     

三回路自动驾驶仪特点分析

对三回路自动驾驶仪的工作原理及特点进行了分析. 研究表明,这种驾驶仪的内回路是姿态驾驶仪,可以对静不稳定导弹进行稳定,闭环稳态传递系数不受气动参数变化的影响,驾驶仪输出对舵机零位误差不敏感,系统响应速度较带积分校正的过载驾驶仪快,且三回路驾驶仪比标准驾驶仪对噪声有较强的滤波能力.     

低温烧结Bi取代钇铁石榴石的复阻抗研究

用复阻抗的方法研究了低温烧结Bi取代钇铁石榴石的电性质.采用固相反应制备多晶钇铁石榴石陶瓷Y2BiFe5O12(YIG∶Bi)和Y3Fe5O12(YIG).采用X射线衍射衍射(XRD)表征粉末及陶瓷样品的相组成,结果表明,Bi取代可以显著降低钇铁石榴石的成相温度和烧结温度.复阻抗谱分析表明,YIG∶Bi样品的复阻抗谱表现为两个Cole-Cole半圆,其低频半圆和高频半圆分别对应高直流电阻的晶界和低直流电阻的晶粒的电响应,物理结构可以用由串联的两个RC回路组成的等效电路来表示;而YIG样品的复阻抗谱只有一个对应为晶界电响应的半圆,其等效电路为一个RC回路.电阻随温度的变化表明,材料的导电机制符合Arrhenius规律,为半导体型的热激活过程.     

非均匀闭合电路导体内部电荷分布规律及其应用

本文运用欧姆定律的微分形式及高斯定理，讨论了稳恒电流情况下非均匀导体内部的电荷分布规律，并应用此规律分析一些实际问题．     

C~n中(p,q)型微分形式关于Hodge * 算子、算子及其伴随形式■的积分表示

运用Cn 中的Hodge 算子、 算子及其伴随形式得到Cn 中 (p ,q) (0 ≤p ,q ≤n)型微分形式的Bochner Martinelli Koppelman核Kp ,q(ζ ,z) ,并由此得到Cn 中 (p,q)型微分形式关于Hodge 算子、 算子及其伴随形式的一种积分表示     

自抗扰三回路过载驾驶仪的设计

对传统过载三回路驾驶仪的结构进行了改进,在保持内环阻尼回路、增稳回路的基础上,将外环过载回路设计成自抗扰控制形式. 通过扩张状态观测器的动态估计与补偿作用,提高了对于系统不确定性的鲁棒性,同时保持了三回路控制体制适于对静不稳定弹体增稳、快速性较强等优点. 针对一个基准的非线性时变对象过载控制问题,通过非线性数值仿真对传统三回路驾驶仪和自抗扰三回路驾驶仪进行了分析比较,仿真结果表明自抗扰三回路驾驶仪在鲁棒性能方面优于传统的设计方法.      

微分形式障碍问题解的正则性

首先给出微分形式障碍问题解的定义,然后利用微分形式技巧得到了一个弱逆H(o)lder不等式,并得用Gehring引理的推广形式得到解的高阶可积性.     

C^n中（p,q）型微分形式关于Hodge＊算子、э^—算子及其伴随形式υ的积分表示

运用C^n中的Hodge＊算子、э^-算子及其伴随形式υ得到C^n中（p,q）（0≤p,q≤n）型微分形式的Bochner-Martinelli-koppelman核核Kp,q（ξ，z），并由此得到C^n中（p,q）型微分形式关于Hodge＊算子，э^-算子及其伴随形式υ的一种积分表示。