硒镓银晶体的生长与品质研究

采用５～６Ｎ的高纯Ａｇ，Ｇａ，Ｓｅ单质按ＡｇＧａＳｅ２的化学配比配料，在１１００℃下合成了单相的ＡｇＧａＳｅ２多晶原料．用改进的布里奇曼法生长出２２ｍｍ×７０ｍｍ的ＡｇＧａＳｅ２单晶体，并对其品质进行了研究．结果表明：生长的晶体完整性好，具有较高的光学质量，用于对１０．６μｍ的ＣＯ２激光倍频，获得了８．２％的能量转换效率     

两种TGS晶体在低温下的热电和介电性

测量了TGS、ATGSP两种晶体在室温至20K温度范围内的介电常数K_(22)和热电系数p_2。这两种参数都随温度降低而单调下降,不显示相变的迹象。在此范围内的任一温度,ATGSP的热电系数p_2和优值p_2/K_(22)均较TGS的大。优值p_2/K_(22)随温度下降而减小,与自发极化的温度特性不相一致。     

CdSSe半导体纳米晶体的实验研究

用共熔法在玻璃基体中退火生长了一系列不同尺寸的CdSSe半导体纳米晶体,并比较和分析了一步法和两步法.两步退火法增加纳米晶体的数目,在一定程度上提高了纳米晶体尺寸分布.根据纳米晶体的室温吸收光谱,用有效质量近似模型估算了纳米晶体的平均尺寸在2.25~2.58 nm之间.     

Na_xCo_2O_4热电材料的研究进展

介绍了NaxCo2O4氧化物热电材料的基本结构和热电性能,论述了NaxCo2O4热电材料的研究进展,并对NaxCo2O4材料的Na位掺杂(掺入K,Sr,Y,Nd,Sm,Yb,Ca,Ag)和Co位掺杂(掺入Ti,Rh,Pd,Pb,Mn,Ru)进行了评述·不同元素对Na位和Co位的掺杂效果的影响是不同的,但可以看出NaxCo2O4热电材料的掺杂研究有着非常好的研究价值和应用前景·     

新型笼形包合物具有极强热电性能

笼形包合物是指拥有很多微小的笼状结构并能将单个原子“关”在其中的晶体,这些原子能够显著改变晶体的材料特性。据物理学家组织网9月22日报道,     

N型碳纳米管基热电材料研究进展

科技的不断发展对于能源供给方式提出了新的要求和挑战。在人体与外界环境温度差的驱动下,热电材料可以实现持续稳定的电能输出,能有效缓解能源危机。其中,碳纳米管(CNT)独特的结构使其具有优异的电学和力学性能以及较大的表面积,在热电材料中具有明显的优势,n型CNT在热电材料领域的应用也越来越广泛。围绕CNT基热电材料,首先介绍了热电材料的基本概念,接着概述了CNT的分类及其结构,重点介绍了n型CNT基热电材料的制备策略：掺杂和复合,指出了增强n型CNT的稳定性仍是未来的研究方向。     

热电材料的现状及特点

随着环境和能源的问题日益突出,热电材料的发展倍受关注.论述了热电效应的基本原理,分析了几种近年来研究的热电材料的结构及特点.     

有机温差电材料研究的最新进展

随着能源与环境问题的日益突出,作为代替能源——温差电技术也受到越来越多的瞩目.与无机材料相比较,有机导电性高分子有着很多特性,比如低密度,低成本,低热导率,易合成,多样的加工性,资源丰富,很有发展空间.介绍温差电的基本原理后,以笔者早期的研究工作为主综述有机温差电材料的研究进展.     

光子晶体光纤的研究进展

光子晶体光纤(POF)与普通光纤在光纤结构、单模特性、色散特性和非线性特性等方面有着显著的差别。简要分析PCF的原理,并探讨其重要特性以及应用价值,最后回顾了近来PCF的研究进展。     

半导体温差发电器件的热力学分析

从稳态的热传导方程出发，对发电器件进行了热力学分析，建立了半导体温差发电器件的基本模型，推导出p型和n型半导体内部的温度分布函数及输出功率和发电效率的表达式，讨论了传统分析中经常忽略的汤姆逊热对发电性能的影响．结果表明，在低温及大温差工况下汤姆逊热对输出功率的影响不能忽略．     

热电材料的研究进展

简要介绍了热电效应、热电材料性能评价方法,给出了评价热电材料的必要条件及改善品质因子的几种途径,系统阐述了热电材料的研究发展过程和近几年的最新研究动向.     

超高温氧化物晶体及其生长技术

超高温氧化物晶体,比如钇稳定氧化锆、氧化镁、氧化铀以及部分稀土氧化物等,熔点往往高达2 300℃以上。它们在激光、超导、核燃料等领域具有重要应用,但在生长方法、坩埚材料、温度监测、温场控制等方面面临多重挑战。本文总结了目前少数几种超高温氧化物晶体生长研究进展,分析了各种生长技术的优缺点,探讨了超高温氧化物晶体生长的前景。     

新型半导体温差发电器的优化设计

提出一种新型的半导体温差发电器,以效率和输出功率为目标函数分析其性能特性,计算在不同情况下温差发是电器的最大效率和输出功率,进而优化温差发电器的内部结构,确定工作电流的最佳范围,所得结果可为新型的半导体温差发电器的优化设计和最佳运行提供有价值的理论指导,可促进半导体温差发电器的进一步开发和在不同高新科技领域中的应用。     

半导体热电材料Bi1-xSbx薄膜的电化学制备

B I1-XSBX半导体合金是性能优异的热电和磁电功能材料,为制备固态电制冷器件、温差发电器件和磁电器件的重要材料。电化学沉积薄膜技术工艺设备简单成本低,在半导体薄膜制备方面有很好的应用前景。系统研究了高浓度盐酸(2.4 MOL/L)的B I和SB盐酸溶液,成份从纯铋逐步变化到纯锑的B I1-XSBX合金半导体薄膜电化学沉积特性。测试了沉积过程I-V循环曲线和和沉积电荷效率等电化学参数。结果表明在所有成份范围内都可以得到典型的B I1-XSBX固溶体结构的高质量薄膜。薄膜生长为典型的溶液扩散控制过程,具有高的沉积电荷效率。薄膜沉积和溶解之间的电位差随溶液中SB(Ⅲ)离子浓度增加而增大,生长的薄膜越来越稳定。在30%SB浓度附近,电化学过程、薄膜结构和性能发生明显的突变。应用X射线衍射和电子显微镜研究薄膜结构,发现薄膜具有明显的(012)择优取向,薄膜晶粒尺寸也随SB浓度的增加而变化。     

热电材料低维化的研究进展

热电材料是一种能够实现电能与热能之间直接转换的功能材料,它可提供一种既清洁又安全的发电和制冷方式,具有广泛的应用前景.近年来的理论和实验研究表明,低维化和小尺度化是热电材料研究和开发极具前景的发展方向.低维结构大大提高了费米面附近的态密度,提高了Seebeck系数;将材料的晶粒细化到纳米级别,可以增加对载流子和声子的散...     

The Novel Semiconductor Nanowire Heterostructures

1 Results If one-dimensional heterostructures with a well-defined compositional profile along the wire radial or axial direction can be realized within semiconductor nanowires, new nano-electronic devices,such as nano-waveguide and nano-capcipator, might be obtained. Here,we report the novel semiconducting nanowire heterostructures:(1) Si/ZnS side-to-side biaxial nanowires and ZnS/Si/ZnS sandwich-like triaxial nanowires[1],(2) Ga-Mg3N2 and Ga-ZnS metal-semiconductor nanowire heterojunctions[2-3]and (3) ...