FeCo／Al2O3纳米粉体的化学合成与表征

采用溶胶-凝胶法制备了Fe2O3（CoO）／Al2O3纳米复合材料,在氢气气氛中还原得到FeCo／AlO3纳米复合材料．利用X射线衍射（XRD）和振动样品磁强计（VSM）对还原产物的成分、结构和磁性进行了分析,研究了还原温度对于FeCo／Al2O3纳米复合材料的结构和磁性的影响．     

Co_(1-x)Ni_xFe_2O_4/SiO_2纳米复合材料的制备及磁性研究

采用溶胶-凝胶法制备了Co_(1-x)Ni_xFe_2O_4/SiO_2(0＜x＜1)纳米复合材料,并利用差热和热重综合热分析仪(TG/DTA)研究了热处理过程中干凝胶的变化,利用X射线衍射仪(XRD)和振动样品磁强计(VSM)对产物的结构和磁性进行分析．结果表明:Ni~(2+)的掺杂引起样品晶胞体积减小,并且随着Ni~(2+)含量的增加,样品的饱和磁化强度Ms和矫顽力He都减小。     

溶胶-凝胶法制备具有室温铁磁性的Ti0.975Co0.025O2纳米颗粒

采用溶胶-凝胶工艺制备了磁性Co掺杂TiO2基稀磁半导体的纳米颗粒,在空气氛围中以不同温度对样品进行退火处理.通过差热/热重综合热分析仪(TG-DTA)、X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱(Raman)、透射电镜(TEM)分析了纳米颗粒的结构和相变温度.使用振动样品磁场计(VSM)测试样品磁性能.研究发现:退火温度较低时样品为锐钛矿结构,在823 K时出现少量金红石相,当退火温度为873 K时,样品基本转变成金红石结构,同时析出少量CoTiO3.退火温度同时对样品的磁性有较大影响.随着退火温度的升高,样品室温下的M-H曲线由顺磁形式向铁磁形式转变.退火温度为873 K时,我们得到了具有室温铁磁性的Ti0.975Co0.025O2纳米颗粒.     

纳米晶α-Ga2O3: Eu3+的制备与发光性质研究

利用共沉淀法制备纳米晶α-Ga2O3: Eu3 发光粉体.对不同掺杂浓度、不同煅烧温度的系列样品,均观测到Eu3 的室温强特征发射.样品的晶相与发射性质的研究表明,所制备的样品经600℃到950℃热处理后,晶相为三方相;最佳的掺杂浓度为2%,特征峰613nm (5D0→7F2)最强;能量传递主要是电荷转移(CTB).     

2-双(二苯膦苯基)醚二氧化物的水热合成

利用水热合成方法合成了2-双（二苯膦苯基）醚二氧化物．与传统方法相比此种方法简单、有效，而且环保，高产率的得到高纯度目标化合物．     

α.β.γ.δ—— 四(2-氯苯基)卟啉与钯(Ⅱ)反应的分光光度研究

本文研究了非水溶性α.β.γ.δ-四(2-氯苯基)卟啉[简称T-(2-Cl)PP]与钯(Ⅱ)的显色反应。经试验表明,在pH4_δ2的HAc-NaAc缓冲溶液中,加入适当的表面活性剂和辅助络合剂,于60℃,钯(Ⅱ)与T-2-Cl)PP生成红色络合物,最大吸收峰位于410nm处,表观摩尔吸光系数为4.1×10~6,在0～1.2μg/25ml范围内符合朗伯-比耳定律。干扰离子通过疏基棉分离。用此法测定了钯催化剂及人工合成样品中的钯,结果令人满意。     

盐对二-(2-乙基己基)膦酸铵皂W/O微乳液极限溶水量和电导率的影响

测量了五种浓度的九种盐的水溶液在二-(2-乙基己基膦酸)铵皂(P204·NH_4)/正庚烷/水W/O微乳液中的极限增溶量(φ_m).结果表明,同种盐不同浓度的水溶液在该微乳液中的φ_m的差别,可以由内聚能(R—比)理论得到合理的解释.相同浓度的不同种类的盐水溶液的φ_m的差别,用R—比理论无法解释.实验发现了φ_m随盐的阴、阳离子的电荷-半径之比(z/r)、极化率、水合能(Ey)的增大而减小,同时测量了该体系的电导率(k)随盐水的增溶量(φ)的变化.     

高灵敏显色剂α,β,γ,δ-四(2-氯苯基)卟啉与铑的显色反应的研究

本文研究了非水溶性卟啉α,β,γ,δ-四(2-氯苯基)卟啉与铑的显色反应。在 pH3 的氯乙酸-乙酸钠的缓冲溶液中,加入表面活性剂十二烷基苯磺酸钠,在85℃恒温水浴中加热10分钟,铑的浓度在0—0.7μg/25ml 范围内符合比耳定律,摩尔吸光系数为5.3×10~6.通过用磷酸三丁酯-四氯化碳混合溶剂萃取分离,测定了铂铑合金中的铑,结果令人满意。     

1H-咪唑-4,5-二羧酸镉配合物[Cd(HIDC)2·(H2O)2]的合成、晶体结构与热性质研究

合成了一个新的配合物[Cd(HIDC)2·(H2O)2](H2IDC-=1H-咪唑-4,5二羧酸单阴离子),并对其进行了元素分析、IR、TG和单晶X射线的结构表征。结果表明:配合物晶体属单斜晶系,空间群为P21/n,晶胞参数为a=0.50417(10)nm,b=2.3068(5)nm,c=0.66773(13)nm,β=111.30(3)°。V=0.7235(3)nm3,Z=2,Mr=458.63,Dc=2.105g/cm3,μ=1.577mm-1,F(000)=452,最终R=0.0373,wR=0.1451。镉原子与两个不同配体H2IDC-中的咪唑上的氮原子、羧基氧原子以及水分子配位,且形成了六配位八面体构型。配合物由分子间氢键构筑成了三维超分子氢键网络结构。     

价非均衡化体系Li(CoxAl1-x)O2、Li(Al,Co)xMn1-xO2的X射线表征及Al、Mn掺杂的影响

运用X射线衍射法研究价非均衡化体系Li(CoxAl1-x)O2、Li(Al,Co)xMn1-xO2的X射线表征Al、Mn掺杂的影响。并得到掺杂Mn使材料c轴变长a轴变短的结论。     

N,N'-二(2-羟基苯甲酰基)-1,3-苯二甲酰肼和N,N'-二(2-羟基苯甲酰基)-1,4-苯二甲酰肼的合成与热稳定性研究

以自制的水杨酰肼(4)、间苯二甲酰氯(5)为原料,以DMF为溶剂、三乙胺作缚酸剂,间苯二甲酰氯(5)与水杨酰肼(4)摩尔分数为1.00/2.75,于90 ℃反应9 h,合成了N,N'-二(2-羟基苯甲酰基)-1,3-苯二甲酰肼(7),产品的收率达到79.3%.在相同的条件下,采用对苯二甲酰氯(6)为原料,合成了N,N'-二(2-羟基苯甲酰基)-1,4-苯二甲酰肼(8),收率达到了80.2%.其结构经1H NMR和MS等技术得到确证.并进行了热重分析和针对PVC应用研究,发现其具有良好的热稳定作用.     

α-(NH_4)_6[SiW_(11)(H_2O)O_(39)]·xH_2O光催化降解亚甲基蓝溶液的研究

以标题化合物为催化剂,在紫外灯辐射下,研究了模拟染料废水亚甲基蓝溶液的光催化降解的反应,详细讨论了催化剂投加量、亚甲基蓝溶液的初始浓度、酸度等对催化脱色效果的影响.结果表明,100mL的亚甲基蓝溶液在紫外灯辐射下最佳的浓度为5 mg/L,催化剂用量为0.11g/L,溶液酸度为pH=1;在不改变溶液酸度的情况下,外加氧化剂H2O2能够显著加速亚甲基蓝的催化降解效果.     

与年龄相关的非线性时变种群系统的L2(Q)-解

本文讨论与年龄相关的非线性时变种群系统（P）的l^2（Q）－解，为进一步研究种群系统的最优控制问题提供了必要的理论基础．     

水合4-氧-1(4H)-吡啶乙酸镁配合物[Mg(H2O)6](p-OPA)2·2H2O的合成与表征

合成了一个新的配合物[Mg(H2O)6](p-OPA)2.2H2O(p-OPA-=4-氧-1(4H)-吡啶乙酸根),并对其进行了元素分析和单晶X射线的表征。配合物晶体属单斜晶系,空间群为P 21/c,晶胞参数为a=1.2561(3)nm,b=1.2947(3)nm,c=0.67885(14)nm,β=99.32(3)°,V=1.0895(4)nm3,Z=2,Mr=472.69,Dc=1.441g/cm3,μ=0.154mm-1,F(000)=500,最终R=0.0525,wR=0.1398。Mg(Ⅱ)原子与六个水分子配位形成八面体构型,4-氧-1(4H)-吡啶乙酸根作为抗衡离子,配阳离子与阴离子之间通过静电吸引和氢键作用形成了三维氢键超分子网络结构。     

水合4-氧-1(4H)-吡啶乙酸锰配合物[Mn(H2O)6](4-OPA)2·2H2O的合成与晶体结构

利用氯化锰与4-氧-1(4H)-吡啶乙酸反应合成了一个新的配合物[Mn(H2O)6](4-OPA)2·2H2O(4-OPA-=4-氧-1(4H)-吡啶乙酸根),并对其进行了元素分析、IR光谱和单晶X射线的表征。配合物晶体属单斜晶系,空间群为P21/c,晶胞参数为a=1.2561(3)nm,b=1.2949(3)nm,c=0.68547(14)nm,β=98.68(3)°。V=1.1022(4)nm3,Z=2,Mr=503.32,最终R=0.0319,wR=0.0827。Mn(Ⅱ)原子与六个水分子配位形成八面体构型,4-氧-1(4H)-吡啶乙酸根作为抗衡阴离子,配阳离子与阴离子之间通过静电吸引和氢键作用形成了三维氢键超分子网络结构。     

新型无机-有机化合物(C13H16N2)2Mo8O26的合成与晶体结构

采用水热反应合成了一个无机-有机杂化的β-{ Mo8O26}簇合物(C13H16N2) 2Mo8 O26,并通过FTIR光谱和X-射线单晶衍射对其结构进行了分析.分析结果表明该化合物包含了孤立的β-{Mo8O26}4-簇阴离子和2条二维C13H16N2链,分子之间通过氢键作用连结成三维结构的超分子.     

与CMOS后端工艺高度兼容的Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_2铁电电容的制备和性能研究

最近,在氧化铪薄膜材料中掺杂适量元素发现了铁电性,因为氧化铪薄膜材料与传统的钙钛矿结构铁电材料相比具有可微缩性化、较大的矫顽电场、与CMOS后端工艺高度兼容等优势,从而引起了广泛的关注.该文对应用于铁电场效应晶体管(FeFET)的存储介质Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_2(HZO)基铁电薄膜的制备进行了研究.采用原子层沉积法(ALD)制备HZO基铁电薄膜,研究了不同厚度(9 nm、19 nm、29 nm)、不同顶电极(TaN、Pt),以及不同退火温度(450～750℃)对HZO铁电薄膜的铁电性能的影响.结果表明,选用TaN作为上电极,退火温度为550℃时,19 nm厚氧化铪铁电薄膜表现出更加优异的铁电性能.同时,表征了HZO铁电薄膜的保持和疲劳性能,以及HZO铁电薄膜在高低温环境下的稳定性.     

关于Z_p上的(m,n)型二重(r_1,r_2)-循环矩阵的逆

采用扩展的Euclid算法讨论Zp上的(m,n)型二重(r1,r2)-循环矩阵的求逆问题。复数域C上的(m,n)型二重(r1,r2)-循环矩阵的求逆问题已经有了很多结果,但对于Zp上的二重循环矩阵的研究都很少,也没有给出具体计算方法。用张量积将Zp上的(m,n)型二重(r1,r2)-循环矩阵的求逆问题转化为求环上二元多项式的乘法逆,由于该二元多项式的系数是Zp上的,没有具体算法可以采用。将计算机代数中求多项式的逆矩阵的方法推广后,给出了求Zp上的(m,n)型二重(r1,r2)-循环矩阵的逆的具体算法步骤。