AgBrI微晶上硫增感中心Ag2S分子团簇的陷阱效应分析

利用微波吸收相敏技术检测了硫增感条件下的卤化银光电子衰减行为, 获得了硫增感乳剂的自由光电子和浅俘获光电子的时间分辨谱信号. 分析了AgBrI T颗粒乳剂硫增感产物的陷阱效应与增感时间和增感温度的关系. 确定了硫增感产物的陷阱效应随增感时间和增感温度的变化趋势, 其变化顺序依次是空穴陷阱、浅电子陷阱和深电子陷阱.     

染料吸附条件对氯化银微晶光电子特性的影响

利用微波吸收介电谱检测技术,测量了不同染料吸附条件下立方体氯化银乳剂的自由光电子衰减曲线,发现增感乳剂比未增感乳剂的自由光电子衰减变快,这是由于染料吸附增加了氯化银中的Agi+.对于增感乳剂,自由光电子衰减越快,说明染料吸附效果越好,相应的增感效果也就越佳.通过分析自由光电子衰减时间和寿命随染料吸附浓度和时间的变化关系,确定出了感绿染料增感立方体氯化银乳剂的最佳吸附质量比和时间的组合为8/40 000和10 min.     

纳米硫化镍增感的卤化银感光特性

利用微波吸收介电谱检测技术,在超短脉冲激光作用下,检测了纳米硫化镍增感的AgBr立方体乳剂中光电子的时间分辨谱,同时获得了自由光电子与浅束缚光电子在不同化学增感条件下的时间行为.还对乳剂的感光性能进行了研究,得出了感光度与反差系数随增感条件的变化曲线,结合乳剂的光电性能和感光性能,对增感条件与乳剂性能的关系,以及微观和宏观两种不同角度下结论的一致性进行了探讨.     

还原增感浓度对AgCl光电子衰减的影响

还原增感是三大化学增感类型之一.近10年来,还原增感的机理以及过程的控制,越来越受到感光科学工作者的关切和注意.主要利用微波介电检测技术,测得自由光电子与浅束缚光电子衰减行为随还原增感浓度的变化.实验发现:还原增感浓度低时,增感中心起空穴陷阱作用;还原增感浓度高时,增感中心起深电子陷阱作用.根据光电子衰减行为随增感浓度的变化得到了最佳增感浓度.     

染料增感的碘溴化银照相材料的光电子特性

利用微波介电检测技术检测了在420～680 nm范围内曝光的由2种不同染料光谱增感的AgBrI样品的光电子行为.结果表明光电子强度与染料的反射吸收光谱符合得很好,微波介电检测技术可快速检测光谱增感过程中的光电子,从而可用于研究光谱增感中染料的特性.     

不同增感对AgCl乳剂光吸收谱的影响

利用U-3010紫外可见分光光度计检测了不同增感条件下AgCl立方体乳剂的光吸收谱。实验结果表明:化学增感后样片的光吸收谱基本与未增感样片的一致,光谱与化学共同增感后样片的光吸收谱与光谱增感样片类似,在可见光长波波段475~510 nm明显增加了AgCl乳剂对光的吸收,化学增感对卤化银的光吸收没有影响,并且与光谱增感之间不存在负面影响。     

感绿增感染料超增感组合研究

采用感绿的对称恶碳菁、咪碳菁染料、不对称的恶咪碳菁染料及(?)-2′-菁(SO-Ⅰ)、2,2′-菁(SQ-Ⅱ)中位甲基取代硒碳菁(SM-Ⅲ)染料,通过电子自旋共振(ESR)技术、染料的极谱分析及其在乳剂中的应用性能等进行超增感组合研究。结果表明:超增感作用与ESR信号,极谱半波电位之间有一定关系,当增感染料最高占有能级接近溴碘化银价带頂部能级时,无ESR信号。超增感剂的氧化电位值小于0.88V,并比增感染料氧化电位值低才出现ESR信号。其超增感作用的产生可用正穴捕获超增感机理加以阐明。     

菁染料增感溴化银体系时间分辨荧光动力学研究

利用皮秒时间分辨条纹相机技术检测了3种不同染料在立方体和T-颗粒溴化银上吸附后形成聚集体的荧光光谱, 分析了不同染料在不同浓度下对染料聚集体到溴化银导带的超快电子转移过程的影响, 进而分析其对增感效率的影响关系, 并探讨了增感过程的微观机理. 实验结果表明, 荧光衰减的动力学曲线与双指数函数拟合得相当好, 存在一快一慢衰减成分, 快衰减成分占拟合较大比例, 认为其源于与荧光衰减相竞争的从激发态染料聚集体到AgBr导带的电子转移. 光致电子转移的速率及增感效率随着染料相对浓度的变化而改变, 不同染料增感的乳剂, 其变化趋势不同.     

掺杂K4Ru(CN)6的AgBrCl乳剂相对感光度与其光电子寿命的相关性研究

微波吸收介电谱检测技术具有很高的时间分辨率,可用于固体中电子输运特性的无接触测量,是研究晶体中光生载流子寿命及其迁移行为的有效方法.本文利用高时间分辨的微波吸收薄膜介电谱检测装置,测量了掺杂K4Ru(CN)6的AgBrCl乳剂在35ps超短脉冲激光曝光后的光电子衰减的时间分辨谱.对所选取感光乳剂的相对感光度与其光电子寿命的相关性进行了研究.实验结果表明,掺杂K4Ru(CN)6的AgBrCl乳剂的相对感光度与其光电子寿命具有较强的相关性并呈现相同的变化趋势.     

甲酸根掺杂的AgBrI乳剂增感最佳化研究

使用反馈式微机控制双注乳化仪，在晶体生长过程中，特定时间、特定pAg下，加入一定量的甲酸盐，制得了两种系列甲酸根离子处于晶体颗粒次表面的立方体溴碘化银微晶乳剂：一种系列为未掺杂甲酸根的AgBrI乳剂，另一种系列为将甲酸根掺杂于晶体颗粒次表面的AgBrI乳剂。对该制备的两种系列乳剂进行化学和光谱增感之前，获得了最佳的曝光条件、最佳的化学增感条件和最佳的光谱增感条件。     

掺杂Ir盐的立方体AgCl微晶中光电子的衰减特性

电子陷阱掺杂剂通过改变卤化银微晶的内部结构来影响光电子寿命和填隙银离子行为,从而能有效地改善卤化银感光性能。本文主要介绍采用微波吸收介电谱检测技术,检测在立方体AgCl微晶中30％Ag位置处掺杂(NH4)4IrCl6的光电子衰减时间分辨特性,结果表明：[IrCl6]^4。原子团引入的掺杂中心起较深电子陷阱的作用。通过对室温条件下光电子衰减随掺杂浓度变化关系的分析得出：掺杂(NH4)4IrCl6浓度越小,光电子衰减时间越长,对潜影形成所起的作用越大,掺杂效果越好。     

卤化银中光电子衰减动力学计算机模拟

卤化银的感光过程是一个光电子衰减动力学过程,对卤化银感光材料的光作用衰减动力学进行研究,能从根本上探索感光过程的微观机理.实验上采用微波技术只能测得自由光电子的衰减信号,无法区分卤化银中的各种俘获中心对光电子衰减的作用.而这种计算机模拟方法不仅可以得到自由光电子的衰减曲线,还可同时获得各种俘获中心中载流子的行为曲线.因此可弥补实验的不足,实现对卤化银感光过程微观机理的深入研究.本文详细地介绍了光电子衰减动力学的模拟过程.     

吸附染料J-聚集体的氯化银微晶光电子特性

应用微波吸收相相敏介电谱技术测量吸附染料J-聚集体的立方体氯化银微晶中光电子的衰减特性,从而研究染料对氯化银微中光电子的影响.研究表明:在紫外光照射吸附机染料J-聚集体的氯化银时,染料能够加快光电子的衰减;光电子的变化规律与吸附染料浓度有关;说明染料增加了氯化银微晶中的隙间银离子浓度.可见光照射吸附有机染料的氯化银时,染料能够将染料激发态的光电子转移到氯化银中;显著地增加了氯化银微晶中的光电子强度;染料起到了敏化氯化银的作用.     

菁染料吸附对卤化银晶体中光电子特性的影响

利用微波吸收非接触测量技术检测了尺寸为微米量级卤化银晶体的光电子衰减特性,通过分析自由光电子衰减谱的变化,发现掺入有机染料可实现AgBrI-T颗粒和AgCl立方体微晶中所积累的自由光电子加速衰减;染料在不同晶体界面的吸附聚集程度是影响光电子衰减的重要原因.     

基于光电子成像技术的碘甲烷多光子电离行为

利用飞秒光电子成像技术研究了碘甲烷在超短激光脉冲场中的多光子电离解离行为.实验获得了碘甲烷分子在400 nm飞秒激光作用下的飞行时间质谱以及电离产生的光电子影像.实验结果表明,在超短脉冲激光场中,分子的电离通常是非共振电离,电离产物主要为母体离子和极少量的碎片离子.从光电子成像中获得的光电子平动能分布可以得到电离产生的电子p_1(2. 03 eV)和p_2(2. 67 eV)分别来源于母体离子的基态和激发态.从光电子成像中获得的角度分布可以推测出,光电子峰p_1和p_2可以分别近似看做单光子电离和双光子电离过程,且光电子散射角度趋于各向同性分布.     

动态压力作用下乳化炸药减敏的实验研究

对乳化炸药在动态压力作用下的减敏进行了研究,得到了三种不同方式敏化的乳化炸药的临界减敏压力,玻璃微球敏化的乳化炸药的临界减敏压力为134.66 MPa、化学发泡敏化的为99.83 MPa、珍珠岩敏化的为27.13 MPa;三者在动压作用下的减敏速率不同,膨胀珍珠岩敏化的乳化炸药的减敏速率最大,化学发泡敏化的次之,玻璃微球敏化的最小;对乳化基质在动态压力作用下性能的变化进行了研究,并和乳化炸药的减敏实验结果进行比较,结果表明,造成乳化炸药压力减敏的原因是敏化气泡载体的破坏和微观结构发生变化;其中敏化气泡载体的破坏是造成减敏的主要原因.