分子偶极聚合物驻极体薄膜的电光效应

以主客体掺杂型分子偶极聚合物驻权体、分散红1号／聚甲基丙烯酸甲酯（DR1／PMMA）体系为例,采用偏振反射技术研究了材料的电光效应,样品用旋涂法制备,并用恒压电晕充电法极化,讨论了电光效应产生的条件,研究了材料的特性和制备工艺对电光效应的影响．     

多量子阱自电光效应器件及其负阻特性

研究了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的电场光调制特性,测量了光反射谱、光电流谱和光电流电压特性。结果表明,在Ｉ－Ｖ特性中存在光电流负微分电阻区,由这种多量子阱材料制备的自电光效应器件（ＳＥＥＤ）观察到明显的量子限制Ｓｔａｒｋ效应。     

简述有机电光材料稳定性的研究进展

有机电光材料可以广泛应用于光学器件的制备,对提升信息的处理、传输效率和质量,提高人们的生活水平具有重要的影响。然而,虽然有机电光材料在电光性能和可加工性等方面具有明显优势,但是其稳定性仍是影响其产业化的最主要障碍。该文总结了近年来所报道的提升有机电光材料稳定性策略,以便为设计、制备高稳定有机电光材料提供指导。     

纳米晶硅的光电特性

利用ＰＥＣＶＤ方法及后处理工艺制备了具有室温可见光区光致发光效应的纳米晶硅（ｎ－Ｓｉ／ＳｉＯ２）薄膜材料，对其光吸收，光能隙以及电导率等特性参数进行了测试研究。发现该薄膜的可见光区吸收比ＰＥＣＶＥ方法制备的微晶硅，非晶硅等薄膜的光吸收明显减弱，且光能隙增大。而电导率则大大提高，达到１０－１－１０－３ｃｍ－１Ω－１的量级。该材料光学性能的变化可用量子尺寸效应进行定性解释，但其电导率的大幅度增加还有待进一步的研究。     

一种压电陶瓷降压变压器材料的制备

一种新型添加ＣａＣＯ３、Ｂｉ（Ｃｄ１／２Ｔｉ１／２）Ｏ３、ＭｎＯ２的改性ＰｂＴｉＯ３是压电陶瓷降压变压器的较佳材料、在采用传统的陶瓷制备工艺的基础上,通过实验研究了预烧合成、烧成及人工极化等主要工艺条件对材料性能的影响,得到了这种材料的优化制备工艺。     

立方氮化硼横向电光调制半波电压的测量

宽禁带半导体材料立方氮化硼(cBN)具有闪锌矿结构和43m点群对称性,因此cBN晶体也是电光晶体。用cBN晶体进行了横向电光调制,首次观察到cBN的电光效应,并且测得了样品的半波电压．     

有机聚合物条波导的制备和耦合

介绍了三种有机电光聚合物体系：分散红（ＤＲ１）和聚甲基丙烯酸甲酯（ＰＭＭＡ）的掺杂型体系、ＤＲ１与聚酰亚胺（ＰＩ）掺杂型体系、ＤＲ１和ＰＭＭＡ侧链型体系。描述了用它们制备光波导的过程。用导波法表征聚合物波导薄膜的光学特性，并分析了它们在有机电光器件制备方面的应用前景。     

聚合物分散液晶器件的制备与电光性能

为探索智能变色伪装材料技术途径,采用光引发聚合物相分离的方法制备了聚合物分散液晶(PDLC)器件,研究了聚合物含量对PDLC器件微观形貌和电光性能的影响,考察了液晶盒厚对PDLC器件电光性能的影响.结果表明,当聚合物含量为40％,液晶盒厚为9.8 μm时,PDLC器件工作电压低、对比度高、性能稳定,对制备柔性变色智能伪...     

分子偶极聚合物驻极体中偶极电荷稳定性的电光效应检测

由于分子偶极聚合物驻极体与空间电荷驻极体在机理上有着本质的差别，传统的评价驻极体稳定性的方法－－表面电位衰减法已不再适用。本文提出通过观测电光效尖的变化来评价分子偶极驻极体稳定性的方法。结合开路的ＴＳＤ电流－温度谱和表面电位等温衰减测量，对材料的空间电荷和偶极电荷衰减特征和电光效应与材料中极性生色团分子取向稳定性的关系进行了讨论。结果表明，电光效应的变化能准确地反映出材料中极性生色团分子取向的稳定     

衰减全反射电光调制器的实验研究

该文提出并制备了具有棱镜－银膜－聚合物－银膜四层结构的衰减全反射电光调制器，由于选择了新的工作角，驱动电压相对于传统的衰减全反射型电光调制器大大降低，并且调制深度提高，插入损耗很小，材料的配置方便，成本低廉，在此基础上实验研究了它的一些调制特性。     

CdO-Fe_2O_3复合氧化物半导体气敏材料的制备和性能

采用化学共沉淀法,制备了系列ＣｄＯ－Ｆｅ２Ｏ３复合氧化物气敏半导体材料,研究了制备条件对电导和气敏性能的影响．结果表明：组分氧化物之间在２５０℃开始发生反应;Ｃｄ／Ｆｅ＝１／２共沉淀粉料在６００℃时形成单一尖晶石ＣｄＦｅ２Ｏ４相;电导率和气敏性能随材料体系的化学组成及烧成温度不同而变化;Ｃｄ／Ｆｅ为１／２产物对乙醇有最高灵敏度和很好的选择性;优化制备工艺制得的气敏元件,对低浓度乙醇气体（１００ｐｐｍ）灵敏度高达２０多倍,相当于１０００ｐｐｍ汽油灵敏度的５倍左右,具有应用开发前景．     

梯度功能压电陶瓷执行器的制备及其微位移特性

研究了ｘＰｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－（１－ｘ）Ｐｂ（ＺｒδＴｉ１－δ）Ｏ３三元系固溶体的介电和压电性能。采用粉末冶金法制备了Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ＰｂＺｒＯ３－ＰｂＴｉＯ３（ＰＮＮ－ＰＺ－ＰＩ）系梯度压电功能材料（ＦＧＭ），研制了一种新型的ＦＧＭ高陶瓷执行器，它有三层材料构成；压电陶瓷层，中间夹层（组分梯度变化）和高介电层，其弯曲位移特性的研究结果表明在工艺电压为１００Ｖ时，室温     

Morse势阱中光整流和电光效应的研究

利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法，得到Morse势阱中的光流系数和电光效应的解析表达式，并以典型的GaAs/AlGaAs莫尔斯量子阱为例进行了数值计算，研究结果表明，较大的光整流系数和电光效应与系统的非对称性有关，系统的非对称性越大，光整流系数和电光效应越大。     

测定染料掺杂高聚物薄膜电光系数的新方法

介绍了一种用Ｍａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ干涉仪同时测定染料掺杂高聚物薄膜复数电光系数实部与虚部的新方法,并使用该方法测定了掺有染料分子ＤｉｓｐｅｒｓｅＲｅｄ１（ＤＲ１）和ＰｈｅｎｏｌＢｌｕｅ（ＰＢ）的有机玻璃（ＰＭＭＡ）薄膜在波长６３２．８ｎｍ处的复数电光系数实部与虚部．实验中清楚地观察到该两种膜的实部和虚部对电光效应的不同贡献,测量到其电光系数虚部Ｉｍ［ｒ１３］分别为０．１６±０．０２和０．８６±０．０６．     

La-Sr-Mn-O材料的磁电阻特性研究

利用二价金属元素Ｓｒ 对ＬａＭ ｎＯ３ 材料进行了Ｌａ 位替代,成功地制备了单相性好、具有扭曲钙钛矿结构和磁阻效应的Ｌａ１－ ｘ Ｓｒｘ Ｍ ｎＯ３ 材料。对其电磁输运特性的研究表明：Ｓｒ 的掺与使材料中的锰离子相对聚集而产生分区的磁畴结构并使材料的结构产生扭曲畸变,居里温度附近的磁阻效应与磁转变过程密切相关。     

LiNbO_3及LiTaO_3晶体的光折变性能研究

光折变效应是电光晶体的一种效应，ＬｉＮｂＯ３及ＬｉＴａＯ３晶体的光折变效应对于该材料的应用具有重要意义，本文从理论和实验两方面研究ＬｉＮｂＯ３及ＬｉＴａＯ３晶体的光析变效应特性，理论分析与实验结果吻合得很好。     

GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子阱的平方电光效应和光折变效应的研究

本文研究了半绝缘GaAs／Al0.3Ga0.7As多量子阱的电光效应和光折变效应．用光调制反射谱分析了样品的结构;用电调制透射谱测量了电吸收和电折变;用二波混合的方法测量了它的光折变性质．对两种方法得到的电吸收和电折变作了分析比较．     

智能调光膜的制备、生产技术及其应用研究综述

智能调光膜是一种新型电光响应薄膜材料,通过将聚合物均匀分散于液晶材料中形成聚合物分散液晶(PDLC)作为其主体材料制备而成.其中液晶分子显示出优异的电光特性,而聚合物则提供良好的力学与加工性能,在大面积柔性显示、智能建材调光玻璃、智能交通、智能传感等领域具有巨大的应用前景,因而受到研究者的广泛关注.本文中主要介绍了聚合...     

Cu层厚度对NiFe／Cu／Co的巨磁电阻效应影响

用磁控射频溅射法制备了ＮｉＦｅ／Ｃｕ／Ｃｏ２多层膜;研究了薄膜的磁特性和磁电阻特性与中间层Ｃｕ厚度的关系,在适当的Ｃｕ厚度下,制备出了具有很好自旋阀巨磁阻效应的多层膜。研究表明,在弱磁场下,薄膜的磁电阻回线的斜率与原来的磁化过程有关,因此该薄膜材料可以用于巨磁电阻存储器中。     

GaAg／Al0.3Ga0.7As多量子阱的平方电光效应和光折变效应…

本文研究了半绝缘ＧａＡｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ多量子阱的电光效应和光折变效应。用光调制反射谱分析了样品的结构，用电调制透射谱测量了电吸收和电折变；用二波混合的方法测量了它的光折变性质。对两种方法得到的电吸收和电折变作了分析比较。