负离子注入硅橡胶水接触角的测量

通过20keV不同注量的碳负离子注入硅橡胶改善其表面亲水性,采用座滴法测量水接触角来表征亲水性.选择拟合速度较快,准确性较高的椭圆拟合算法对碳负离子注入前后硅橡胶表面水接触角随时间的变化进行测量.结果发现硅橡胶离子注入前后表面水接触角同时达到稳定变化的时间大约10~30s.选定拍照延迟时间为20s,并选择Laplace-Young拟合算法测量20keV时碳负离子注入硅橡胶后水接触角随注量的变化.结果表明,碳负离子注入后硅橡胶表面亲水性得到明显改善,并在注量为3×10~(15)·cm~(-2)时,水接触角最小.     

高剂量的~(40)Ar~+离子注入硅热退火行为的研究

用沟道—卢瑟福背散射技术(RBS)研宄了能量为50 KeV,剂量为3.8×10~(16)/cm~2和1.9×10~(16)/cm~2的~(40)Ar~+离子注入(111)硅衬底中的恒温等时热退火行为。结果表明,离子注入层中Ar 原子的扩散和释放以及非晶硅层的再结晶行为明显地依赖于~(40)Ar~+离子的注入剂量和退火温度。注入剂量为3.8×10~(16)/cm~2的样品,当退火温度为700℃时,表面层硅的密度明显减小,退火温度为750℃时,注入层中的大部分Ar 发生外扩散并从样品表面释放。注入剂量为1.9×10~(16)/cm~2的样品,退火过程中没有发现衬底硅表面密度的变化,而且当退火温度为900℃时,残留在注入层中的Ar 仍旧比较多。最后对这些现象进行了讨论和解释。     

有机蒸气在单分子膜上的吸附——计算方法与乙醚在十六酸单分子膜上的吸附

本文对于根据表面压力数据计算有机蒸气(1)在单分子膜(2)上吸附量的方法加以讨论,指出Dean-Hayes计算方法会由于在铺展压力附近π-Γ_2曲线的斜率较大而引起较大的误差,并从Gibbs一般吸附方程式出发进行理论推导,得到一个计算蒸气吸附量的—般方程式。对于Γ_2→0的极限情况也加以讨论,得出:(1)Γ_2→0时,只是p_1的函数,而与Γ_2无关,此时的Γ_1基本上等于纯水对蒸气的吸附值;(2)当Γ_2→0时,μ2与p_1无关,因而建议以Γ_2=0作为采用Dean-Hayes计算方法时的标准态μ2°。 作者还报导了关于乙醚对十六酸单分子膜的影响的实验结果,并进行Γ_1与μ_2的计算以验证理论推导,发现:(1)在各p_1下,都在Γ_2≌2.2×10~(-10)克分子/cm~2(76(?)~2/分子)处,π出现最小值;(2)乙醚吸附量几乎与Γ_2无关,而在饱和压力下Γ_1=17-18(×10~(-10)克分子/cm~2);考虑有可能形成乙醚和十六酸的某种结合体,作者并对乙醚破坏泡沫的机理加以讨论。     

北京西山不同树种夏秋季PM_(2.5)吸附量与润湿性关系

【目的】北京地区环境问题中的颗粒物PM_(2.5)污染备受关注。研究北京地区阔叶树种的PM_(2.5)吸附量季节差异及影响因素,探讨各树种叶片吸附PM_(2.5)机理,为城市绿化树种的科学选择提供参考。【方法】以北京西山4种阔叶树种(柳树Salix babylonica、五角枫Acer mono、银杏Ginkgo biloba、杨树Populus spp.)为对象,应用气溶胶再发生器测定植物叶片夏秋PM_(2.5)吸附量,用光学接触角测量仪测定叶片与水及二碘甲烷接触角,运用OwensWendt-Kaelble法,并结合Young方程计算叶片表面自由能及其极性和色散分量。【结果】树种单位叶面积PM_(2.5)吸附量平均值依次为柳树[(0.97±0.46)μg/cm~2]五角枫[(0.78±0.39)μg/cm~2]银杏[(0.69±0.31)μg/cm~2)]杨树[(0.62±0.21)μg/cm~2],杨树与柳树、银杏吸附PM_(2.5)能力差异均显著(P0.05),秋季树种PM_(2.5)吸附量高于夏季;树种PM_(2.5)吸附量与其润湿性(接触角)呈正(负)相关(P0.01),与叶片表面自由能(P0.05)及其色散分量(P0.01)也呈正相关,与极性分量相关性不显著。【结论】4种阔叶树的PM_(2.5)滞尘能力以柳树最强,杨树最弱,五角枫、银杏次之,阔叶树种夏季滞尘能力高于秋季;可以根据各树种吸附PM_(2.5)特征合理调整城市绿化规划,充分发挥城市绿地系统的生态功能。     

全离子注入在双极集成电路中的应用

本文研究了用全离子注入控制双极集成电路中晶体管电参数的一些基本条件。研究了磷注入发射区的条件:注入能量为50KeV,注入剂量为4×10~(16)/cm~2。退火条件为940℃,20分钟,氮气保护,基区采用二次硼叠加注入:浅硼注入和深硼注入。浅硼注入能量为60KeV,注入剂量为8×10~3/cm~2。深硼注入能量分别为120KeV、140KeV、160KeV、180KeV,注入剂量均为5×10~(13)/cm~2。退火为960℃,30分钟,氮气保护等温退火。研究了注入条件和退火条件与双极电路管芯电参数(如电流增益h_(FE),管子基极—发射极击穿电压BVebo。基区方块电阻R_□和管子特征频率f_(Τo))的关系。     

MeV P^＋／Si^＋共注入SI—GaAs制备高品质n^＋埋层

采用不同注量和注入顺序的MeV能量的P~+(3MeV,1×10~(14)～3×10~(14)cm~(-2))与MeV能量的Si~+(3MeV,1×10~(14)cm~(-2))共注入于SI-LEC GaAs晶体中。对不同退火条件的共注入样品的有源层电特性、载流子浓度分布、晶格的损伤和恢复状况以及剩余缺陷等进行了分析。研究表明,较大注量的P~+与Si~+共注入,可以降低注区薄层电阻,有效地提高MeV Si~+的激活效率,改善有源层迁移率,得到高品质的n~+埋层。共注入样品的HALL迁移率大于2400cm~2/(V·s),激活率可达95％以上。     

光谱增感染料798的聚集效应与AgBr上的吸附

对用于黑白片感红染料798(3,3′—二羟乙基—5,5′—二甲氧基—9—乙基—噻碳菁氯盐)由记录其吸收光谱,反射光谱,研究了它在甲醇,水及KBr水溶液中的聚集效应和吸附于AgBr表面的吸附态性质.得到在甲醇中以单分子态存在的最大吸收入max为560nm.25℃水溶液中(5×10~(-6)～2.5×10~(-5)5mol/L)存在二聚平衡(λ_D=520nm),二聚平衡常数K(298K)=1.28×10~(-5)(△γG(298K)=27.9kJ)以及△γH(298K)=35.2KJ,△γ(298K)=24.5JK~(-1).25℃的吸附等温线表明798在AgBr上为多层吸附,第一吸附层的饱和吸附量是0.73μmol/g,[按单分子染料单元计算)吸附态的表面反射光谱表明,只在第一层中存在J-聚集状态.     

E_u~+注入单晶硅经快速热退火后的喇曼光谱研究

喇曼光谱及扫描镜徽区形貌象说明,E_u~+注入(注入能量350Kev,注入剂量2×10~(15) cm~(-2) )n 型单晶硅后,在表面可形成一连续非晶层.经过895℃快速热退火(RTA)可以消除注入损伤,Si 损伤区恢复完整;当快速退火温度为1285℃时,在硅表面存在 E_u 的表面偏析及表面增强喇曼散射(SERS)现象,我们对增强机理进行了讨论.     

固溶体KTa1—xNbxO3陶瓷的热释电性质

本文首次报道KTN铁电陶瓷的热释电系数λ与温度的依赖关系。测量了极化强度P。结果表明,x=0.5和0.6的样品在25℃时,P=4.6μc/cm~2和5.0μc/cm~2;λ=2.0×10~(-8)c/cm~2K和1.7×10~(-8)c/cm~2K。并讨论了Nb含量对极化强度的影响。     

新显色剂meso—四(3-溴-4-羟基—5-甲氧基苯)卟啉分光光度法测定痕量钯的研究

本文研究了在混合表面活性剂SDBS和聚乙二醇辛基苯基醚(OP)共存下,meso-四(3-溴—4-羟基—5-甲氧基苯)卟啉T(BHMOP)P与钯的显色反应.并以该反应为基础建立了高灵敏度的痕量钯的光度分析法.钯与该显色剂形成1:2的配合物,其表观摩尔吸光系数在422nm处为1.27×10~5L·mol~(-1)·cm~(-1).钯量在0.0-12μg/25ml范周内服从比尔定律.本法用于合成样品中钯的测定,结果满意.     

钛(Ⅳ)—硫氰酸盐—二安替比林甲烷—乳化剂OP多元体系显色反应的研究

前言本文研究了在非离子表面活性剂存在下,钛(Ⅳ)—硫氰酸盐—二安替比林甲烷离子缔合物的显色反应。缔合物在390nm处吸收最大,摩尔吸光系数为3.01×10~5,钛量在0～70μg/50cm~2范围内符合比耳定律,许多常见离子不干扰,并用上述实验方法测定了白云石和粘土中TiO_2,结果令人满意。     

四探针研究N~+注入Si的退火特性

本文用四探针法测量了在不同剂量和不同能量下的N~+注入Si后的薄层电阻率及其退火效应,结果表明,N~+注入Si的退火特性曲线为“W”形,曲线中的两个波谷是两个好的退火区:其中间的波峰是逆退火区,在退火温度为1080℃附近时,当注入剂量为1×10~(14)N~+/cm~2,注入能量为170kev和注入剂量为5×10~(14)N~+/cm~2注入能量为160 kev时,薄层电阻率都有急剧增大的趋势,最后,本文对上述这些实验结果进行了初步的分析和讨论。     

离子注入退火晶格恢复和电激活动力学研究

给出了As和P注入硅的电激活能与退火温度的关系.用这些结果和表示晶格去除率与退火温度的关系式,研究了损伤的晶格恢复和杂质电激活动力学,发现低剂量As注入硅,在退火过程中仅出现1～2个低的激活能.当注入剂量大于5×10~(15)cm~(-2)时,硅注入区转变成了无序层,退火过程中则出现无序层外延生长区、过渡区和电激活能区3个特征温区,并在激活能区可观察到2～3个激活能.当硅在300℃温度下注入As,注入剂量为1×10~(16)cm~(-2)时,注入层中未出现无序层,退火过程中仅有激活能区,在此区能测到3个激活能.     

用乳化剂OP提高荧光淬灭法测钼的灵敏度

研究了硫酸介质中,在表面活性剂乳化剂OP存在下,利用硫氰酸盐—罗丹明B(RhB)荧光淬灭法测定微量钼。此法灵敏度高、选择性好、体系稳定,线性范围为0～3.0μg/25cm~3,检出限为2×10~(-3)μg,适用于钢样中微量钼的测定。     

P型掺金锗的制备及其电学性质研究

本文叙述了如何用切克劳斯基法来制备P型掺金锗单晶。根据卅多次拉晶实验,我们总结得到制备时的要求:①金的加料要适当偏高,②锗料要过熔。给出了掺入金浓度沿锭长的分布,金浓度由首端至尾端逐渐升高。制备过程中观察到了一些异常现象。如①颗粒状悬浮物的析出。②单晶尾部有金的富集。③单晶表面有“沟渠”。对这些现象我们进行了讨论。在77°K—400°K范围内测量了P型掺金锗的电阻率及霍尔系数。所得曲线与敦莱普的实验作了比较。定性地解释了这些曲线,并根据霍尔系数确定了各样品的金原子浓度。由陷阱比γ=2的曲线算出了金的电离能为0.15电子伏特。用光磁法及补偿法测量了样品的寿命。实验是在77°K—400°K范围内进行。按多荷电中心复合理论对实验结果作了讨论,认为我们所测寿命确实是由金原子复合作用所决定,并受到表面复合的影响。由掺金浓度为2×10~(-14)cm~(-3)的样品之寿命值,估计出一次负电中心对电子的俘获截面是～8×10~(-17)cm~2。     

靶温对Ti注入H13钢表面强化机制的研究

给出了不同靶温下的Ti注入H13钢的抗磨损特性,并研究了不同靶温对强化机理的影响。注入时靶温为液氮冷却、150和400℃,注入能量和注量分别为180keV和3×10~(17)cm~(-2)。不同靶温下注入后,样品表面硬度不同。但均比未注入样品硬度有明显提高。抗磨损能力也有提高,从液氮靶温注入的1.75倍,150℃靶温的7.7倍到400℃靶温的11.2倍。硬度和抗磨损能力的提高程度取决于不同靶温下注入H13钢表面强化机理的差异。低温注入以位错强化和超过饱和强化为主,150和400℃注入TiC,Fe_2Ti等析出相明显增多,它们以析出相的弥散质点强化为主。     

镉(Ⅱ)—碘化钾—丁基罗丹明B显色反应的研究

本文研究了在聚乙烯醇和Tritonx—100存在下,镉(Ⅱ)—碘化钾—丁基罗丹明B离子缔合物显色反应的条件。络合物最大吸收峰在600nm,摩尔吸光系数为2.2×10~5l·mol~(-1)·cm~(-1)。镉量在0.5-4.0μg/25ml范围内服从比尔定律。试验了若干种离子的干扰,此法已用于自来水中微量Cd~(2+)的测定。     

间磺酸基偶氮氯膦与重铬酸根离子褪色反应的研究

系统研究了间磺酸基偶氮氯膦与Cr_2O_7~(2-)离子褪色反应的最佳条件,并应用于钢铁样品和水样中铬的测定,本方法的精密度、准确度高,结果表明:表观摩尔吸光系数ε_(580nm)=2.8×10~4dm~3·mol~(-1)·cm~(-1),Cr(Ⅵ)量在0～0.8μg·cm~(-3)范围之内服从比尔定律。     

靶温对钛离子注入纯铝的影响

高注量(>3×10~(17)cm~(-2))钛离子注入铝时,靶样品的温度明显地改变钛原子的浓度分布。靶温度超过400℃时,析出相为金属间化合物Al_3Ti。用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源注钛时,强束流(每脉冲2.0mA/cm~2)轰击产生的温升,使钛原子在铝中大约可以穿透1μm深,样品近表面700nm范围内钛的原子浓度超过了22％。     

原子力显微镜研究聚四氟乙烯纳米粒子对瑞氏木霉疏水蛋白HFBⅡ的吸附

利用离子束溅射镀膜技术将聚四氟乙烯（Teflon）纳米粒子沉积到石英基板,将基板置于50μg/mL的瑞氏木霉疏水蛋白HFBⅡ溶液中浸泡,通过原子力显微镜直接观察和水接触角测试仪测试基板表面水接触角的变化,研究了HFBⅡ在Teflon纳米粒子表面的吸附行为．结果表明Teflon纳米粒子能够对HFBⅡ产生吸附且对其生长有很强的异相成核作用,同时用超声波方法对Teflon纳米粒子上的HFBⅡ进行脱附,并通过原子力显微镜图像进行了分析．