拉应力对磁畴壁运动及磁声发射行为的影响

本文观察了晶粒取向3%Si-Fe在外加拉应力和磁场作用下,磁畴壁的运动及声发射强度(MAE)变化的一些现象.当应力较小时,MAE(RN)随应力变化较复杂,在大应力下,MAE(RN)显著降低.在硅钢片中,磁畴结构随拉应力的变化特性与产生的MAE有良好的对应性.取向纵向硅钢片沿轧向磁化时,180°条状畴会随场强变化而在某位置附近左右转动.磁畴受拉应力时产生分裂,其分裂速度是不连续的.当σ>200MPa时,条状畴似乎又有一定程度的宽化.     

巴克豪森应力效应的研究

采用宽板钢铁试样，研究了巴克豪森效应受应力影响的规律，找出了旋转磁化场与各向异性材料的磁化极值方向之间的关系，探讨了测量钢铁件应力的新方法，提出了磁巴克豪森噪声（ＭＢＮ）与磁声发射（ＭＡＥ）技术相结合测量应力可以提高测量精度的观点。     

温度对第Ⅱ类哑铃畴畴长的影响

详细测量了第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场Ｈ＇ｓｂ和硬泡标准场Ｈ＇０处畴长Ｌ随温度的变化关系，证明了第Ⅱ类哑铃畴畴壁中垂直布洛赫线间平衡间距Ｓｅｑ随温度的升高而增大。     

脉冲偏场对形成正,负VBL的影响

实验研究了哑铃畴在固定旋转脉冲偏场作用下的特性，发出了影响正，负ＶＢＬ形成的条件，对于固定直流偏场下得到的硬磁畴，认为正，负ＶＢＬ的形成，只与硬化脉冲偏场的脉冲宽度（τｐ）ｂ有关。     

预形变量对再结晶晶界反常硼偏聚的影响

用二次压缩方法测定了含硼面心Ｆｅ－３０％Ｎｉ合金１０００℃热变形１０％和４０％后保温时的软化率曲线，并由此估计了再结晶过程。用径迹照相方法（ＰＴＡ）研究了再结晶过程中运动晶界反常偏聚规律以及形变量对反常硼偏聚的影响。用定量统计方法测量了不同形变量下，运动晶界的硼偏聚量。结果表明，新晶粒长大过程中，晶界反常偏聚量与形变量、晶界运动速度等因素有关，并用半定量的方法估算了不同形变量下，再结晶新晶粒长大过     

石榴石磁泡膜泡状硬畴畴壁中VBL对其缩灭场的影响

石榴石磁泡膜泡状硬畴畴壁中ＶＢＬ对其缩灭场的影响河北师范大学物理系唐贵德，孙会元，曹新国，聂向富本文以实验为依据，近似算出石榴石磁泡膜泡状硬磁畴的缩灭场及缩灭泡径与其畴壁中的ＶＢＬ数目的关系曲线，将这个多年来未能解决的问题向前推进了一步．在磁泡技术发...     

La位Dy替代对La0.67-xDyxSr0.33 MnO3体系磁性的影响

研究了La067-xDyxSr0.33MnO3磁结构的变化规律,结果表明,所有样品在居里温度Tc处发生顺磁-铁磁相变,掺杂样品在TN＜T＜Tc温区进入团簇玻璃态,且在低温区出现反铁磁现象;高掺杂样品M-T曲线在奈耳温度TN处出现磁化强度峰.用替代离子的磁性效应对磁结构的变化规律进行了解释,La(Dy)亚晶格的磁畴旋转导致出现磁化强度峰.     

温度对普通硬磁泡畴壁中VBL链的影响

实验研究了温度对普通硬磁泡（ＯＨＢ）畴壁内垂直布洛赫线（ＶＢＬ）链的影响，发现存在一个与磁泡材料参量相关的使ＶＢＬ链解体的临界温度范围〔Ｔ１；Ｔ２〕，为准确测得ＶＢＬ链不稳定的最小临界温度提供了一种实验方法     

应力对材料磁声发射频谱特征的影响

通过对Ａ３钢、４５钢的不同应力条件下产生的磁声发射信号的强度分析，得出了磁化场，材料中所受应力及材料内的组织结构等对材料磁声发射强度影响的规律，当试样分别处在拉、压应力状态下时，通过对磁声发射信号进行频谱分析，从中找出了利用磁声发射方法测量应力时鉴别应力正负值的新方法。     

垂直磁化纳米线中不同对称刻痕对磁畴壁振荡行为的影响

借助微磁模拟软件(OOMMF),利用具有不同对称刻痕的垂直磁化纳米线模型研究了CoPtCr合金在电流驱动下的磁畴壁振荡行为,重点分析了振荡区间、振荡频率、振荡振幅等参数与不同对称刻痕的关系。研究结果表明,振荡区间可以通过刻痕深度和刻痕形状进行调节;振荡频率随着电流增大呈线性增大且与刻痕形状关系不大,当刻痕达到一定深度后振荡频率会保持稳定不变;在相同模拟计算条件下,三角形对称刻痕对应的振荡振幅最大,圆弧形对称刻痕相应值次之,矩形对称刻痕相应值最小。     

热处理方式对残余磁场强度的影响

为了解不同热处理方式下铁磁材料的残余磁场强度变化规律,分别在弹性和塑性变形阶段对其进行了单轴拉伸试验。结果表明,在弹性阶段。随着拉伸载荷的增加。残余磁场强度和标准差都是减小的。在同一拉伸载荷作用下,调质热处理试样的残余磁场强度最大。退火试样次之,无热处理试样的最小;在鞭性变形的初始阶段,试样表面的残余磁场强度没有规律町循。当颦性变形较大时,试样表面各点处的残余磁场强度幅值波动很小,其均值和标准差几乎不再变化。可以根据铁磁材料残余磁场强度和标准雉的变化情况判断其是否承受过冲击载荷或大载荷,是否发生了塑性变形。     

掺杂浓度对稀磁性半导体(Ga,Fe)As的晶格常数及磁性质的影响

运用第一性原理下的LMTO ASA方法计算了稀磁半导体Ga1-xFexAs(x=1,1/4,1/8)在不同磁状态下的总能量,由能量最低原理我们得到其相应的晶格常数及磁状态.     

热处理及厚度对Co90Fe10薄膜磁电阻的影响

利用电子束真空蒸发方法制备了不同厚度的Co90Fe10磁性薄膜,研究了热处理及厚度对薄膜磁电阻的影响。利用四探针法测量了薄膜的磁电阻,利用磁力显微镜观察了薄膜的磁畴结构。结果表明:热处理可以提高薄膜的磁电阻,尤其是厚度较小的样品,效果更加明显。对于厚度较大的薄膜,热处理可以改善磁织构,磁畴分布更加有序,出现了类巨磁电阻特征。     

掺量对聚丙烯纤维增强水泥力学特性的影响

 针对聚丙烯纤维增强水泥(PPRC)材料建立了不同纤维掺量的PPRC数值分析模型,实现了模拟试件从微裂纹萌生、扩展、相互作用及贯通的全破坏过程,并研究其破裂失稳的基本规律,包括声发射的时空分布规律及其失稳的前兆模式。研究表明,随着聚丙烯纤维掺量的增加,PPRC的弯折强度得到提高,韧性也不断增强。     

轧制变形量对高纯铝三叉晶界、晶界形变及退火行为的影响

采用电子背散射衍射(electron backscattered diffraction,EBSD)技术研究了不同变形量高纯铝试样的变形行为和退火后三叉晶界及晶界的迁移行为.研究结果表明,冷轧变形后三叉晶界附近的点对原点的取向差与泰勒因子及施密特因子有很好的一致性.具有较大施密特因子或者较小泰勒因子的晶粒的取向差较大,并且随着变形量的增大取向差的最大值也增大.Kernel平均取向差(Kernel average misorientation,KAM)图表明塑性变形时,三叉晶界和晶界处应变集中.对于冷轧变形量为17%的三叉晶界,施密特因子最大的晶粒内部滑移带终止于晶内,主要原因是相邻晶粒变形时为了相互协调,晶界附近的晶粒间发生了较大偏转,出现了晶界影响区外;对于变形量为35%的三叉晶界,除了出现晶界影响区外,在施密特因子最大的晶粒内三叉结附近出现了折痕.随后试样经过第一次400?C退火15 min,三叉晶界及其相关晶界发生了迁移,并且晶界在原来的位置留下了鬼线.晶界都是由施密特因子较小的晶粒向施密特因子较大的晶粒迁移,也就是由硬取向的晶粒向软取向的晶粒迁移,并且迁移后晶界变得更弯曲,晶界的迁移距离比三叉结的大,说明在此温度下退火后,三叉结对晶界的迁移有拖曳作用.三叉晶界及其晶界的迁移量随着变形量的增大而增大,这是因为变形量大、储能高,给三叉晶界及晶界提供的驱动力也大.最后试样经过第二次400℃退火17 min,为了降低第一次退火后残留的应变能,晶界又进一步迁移.     

多壁碳纳米管涂层修饰苘麻基生物碳/硫复合正极材料的制备及对锂硫电池性能的影响

锂硫(Li-S)电池因高理论能量密度在众多新型电池中受到广泛关注,但存在硫正极导电性差、多硫化物的穿梭等问题,制约其商业应用。针对上述问题,本次试验制备苘麻基生物碳(AC),通过熔融扩散法与升华硫(S)复合形成碳/硫复合材料(AC@S),并使用碳涂层法在正极材料表面涂覆多壁碳纳米管(MWCNTS)作为Li-S电池正极片与隔膜之间的夹层,进一步抑制多硫化物的溶解和扩散,阻止穿梭效应,减小活性物质的损失,提高Li-S电池的容量和循环性能。AC@S+MWCNTs电池首次放电容量为1 242.8 mAh·g^-1,循环150次后仍保持982.4 mAh·g^-1,相同条件下比AC@S高出275.0 mAh·g^-1。将MWCNTS涂层与正极材料结合设计工艺简单,成本低,且可提高材料导电性、抑制多硫化物的穿梭效应,表现出良好的循环性能和库伦效率,是一种解决Li-S电池穿梭效应的有效途径。     

变形量对各向异性纳米晶Nd-Fe-B磁体结构及性能的影响

<正>近年来,随着永磁电机产业的快速发展,环形永磁器件的需求量显著提高。采用热变形法可以一步制造出近净成型的永磁器件,相对于烧结磁体而言大幅降低了制造成本。因此,热变形Nd-Fe-B永磁材料的研究成为磁性材料领域的研究热点。与目前普遍使用的烧结方法相比,这种方法具有以下特点:首先,采用加压热变形方法制备的Nd-Fe-B磁体的磁性能比现有烧结Nd-Fe-B磁体提高;其次,热压热变形制备的磁体,晶体结构均匀、晶