~(56)Fe+p散裂核反应中的正电子放射核产生

利用现有GSI-FRS实验测量的300、500、750、1000和1500 MeV/u 56Fe+p散裂反应产物的结果,分析了正电子放射核在散裂反应中产额随入射能量的变化关系.对正电子放射核的半衰期按照时间量级分类统计表明,半衰期在分钟以上的正电子放射核的总截面的总截面随系统能量在50~70mb之间,所有产生的正电子放射核的截面随反应系统能量变化较小,保持在103mb附近.对一些正电子放射核的截面分析表明它们随入射能量指数变化.这对于当前质子和重离子治疗中利用正电子放射核进行实时正电子监测成像研究具有意义.     

高Tc超导体Y—Ba—Cu—O超导临界涨落的正电子湮没研究

利用正电子湮没技术寿命谱测量系统首次细致地测量了高Tc超导体Y-Ba-Cu-O材料在Tc转变点附近的正电子湮没寿命谱参数的变化特性,发现在Tc处正电子湮没寿命呈峰。根据超导涨落的KSS理论和BCS超导理论的形式,推导出了正电子在超导转变温度Tc附近超导态和正常态内的湮没率公式。经计算机数值积分得到与实验一致的结果,从而解释了实验上发现的异常现象。     

氧化钒系PTC陶瓷相变的正电子湮没研究

80年代初,氧化钒系大功率PTC陶瓷热敏电阻出现了,关于这种材料的PTC效应的机理尚处在研究中。本文首次用正电子湮没技术研究这种材料随温度发生的金属-绝缘体(M-I)相变,讨论了正电子湮没参量与材料微观结构变化之间的关系。1.样品制备及实验     

ZnO压敏陶瓷晶粒间界效应

利用正电子湮灭技术研究了氧化锌的非线性电阻效应。由短寿命τ_1及其成份I_1随电流i变化曲线同压降曲线的相似性证明该成份属于传导电子和正电子的湮灭。实验结果支持Schot-tky势垒模型对晶粒间界提供的压敏效应的解释。     

聚合物共混体系的正电子湮没研究

用正电子湮没寿命谱仪对聚丙烯PP和三元乙丙橡胶EPDM的共混体系进行了测量.实验研究表明,正电子湮没寿命灵敏地反映了在95—370K温度范围内PP/EPDM共混物的微观结构变化.经分析得到PP/EPDM是两相共混体系的结论.     

激光驱动产生正电子实验的数值模拟研究

激光尾波场电子束作用于固体金属靶产生正电子,是一种新兴的获取正电子的实验方法。文章对其实验方案进行详细地模拟分析。利用FLUKA蒙特卡罗程序开展数值模拟,研究激光尾波场正电子实验中靶材料的选择标准,提出引入平均角分布熵产额(mean angular entropy yield, MAEY)函数指标进行正电子的实验可用性评价;计算结果表明,原子序数高的固体金靶正电子产额和平均角分布熵产额均较高,正电子的可用性相对较好。对选用固体金靶的实验方案,构建蒙特卡罗物理模型开展模拟计算,研究正电子在输运过程中的空间分布特征;计算数据显示,金靶产生正电子的角分布范围在0°～70°之间,通过准直器后正电子数目减少到原来的1.05%,存在电子、光子和中子等干扰粒子,其中光子干扰最大,在通过偏转磁场后的正电子分布空间,光子密度仍比正电子密度高2个数量级。该文的研究对于激光驱动正电子实验固体靶材料的合理选用以及相关正电子测量与应用实验方案的优化设计具有一定的参考价值。     

正电子谱学技术在功能材料微结构表征中的应用

特殊功能材料是一些具有优良电学、磁学、学、热学、学、力学、化学、物医学功能,在各类高科技领域到泛应用.正电子湮没技术是一种对材料微结构特别有效探测技术,特别是对各种缺陷、空位和微孔尤为灵敏,通过正电子湮没寿命谱、多普勒展宽谱和慢正电子束技术,通过分析正电子湮没参数可以获材料从表面到内部缺陷分布信息和随外部物理和化学条件变化、引起微结构变化.本文选取几种特殊材料正电子湮没实验结果来分析材料内部微结构,表明正电子湮没谱学是一种独特研究微观结构方法.     

电沉积镍结构与机械性能关系研究

本文应用正电子湮没技术、X—射线衍射技术和光学显微术研究了电沉积镍结构与内应力和显微硬度的关系。实验表明,在镍镀液中加入糖精可以改变镍镀层晶体的生长模式、织构和内应力状态。镀层在退火处理后,其显微硬度的变化与正电子湮没平均寿命τ的变化有明显的对应关系,这是镀层的机械性能取决于内部结构的明显例证。实验还表明电沉积镍在退火时发生了再结晶作用,说明它是一种介稳态结构,其内部蕴含着诱发再结晶的过剩能量,特别是与基体交界处的能量较高,再结晶最先从这里发生。     

S异步恒延伸轧制产品B_2F钢的正电子湮没研究

本文用正电子湮没技术研究了PV-E轧制产品B_2F钢,测得了正电子寿命与轧制压力及机械性能间的对应关系,为PV-E轧制工艺提供了依据。实验表明,轧制过程中B_2F钢中存在大量位错和空位团缺陷,且正电子寿命与速比有一定对应关系,揭示了速比对机械性能的影响。     

用正电子探测热疲劳模具钢中的缺陷变化

用正电子寿命方法研究３Ｃｒ２Ｗ８Ｖ模具钢的热疲劳。通过对不同循环次数的热疲劳样品的正电子寿命谱和表面显微硬度的测量，发现表面显微硬度ＨＶ和平均正电子寿命τ随疲劳循环次数Ｎ的变化呈现出类周期振荡特征。讨论了正电子寿命变化所反映出的材料中的缺陷变化，进而初步分析了热疲劳的微观机制。     

我国正电子湮没技术研究的现状与展望

本文在论述正电子湮没技术的基本原理、实验方法及其应用领域的基础上,评介了目前国外正电子湮没技术的研究动态、发展趋势和我国正电子湮没技术研究的现状。为了开创我国正电子湮没技术的新局面,作者提出了一些有意义的设想。     

基于正电子湮没寿命谱研究Fe-6.5wt.%Si合金中热空位的生成

正电子湮没技术（PAT）是一种无损伤的材料探测技术,它可以反映正电子所在处电子密度或电子动量分布的信息.由于正电子对原子尺度的缺陷非常敏感,所以正电子湮没技术（PAT）是研究纯金属及金属间化合物中热空位生成的有效工具.基于正电子寿命谱技术对金属间化合物Fe-6.5wt.%Si合金热轧板在不同温度退火后缺陷变化进行研究,发现了正电子平均寿命在673K左右迅速增加,673至1073K温度范围内平均正电子寿命的温度曲线为明显的S形状,1073K以上平均正电子寿命趋于常数,通过分析正电子平均寿命的温度变化曲线,得到了Fe-6.5wt.%Si合金中热空位生成的临界温度值,并计算得到了该合金的空位生成激活焓为HVF=0.54eV.     

搜寻暗物质的天眼

2013年4月3日,诺贝尔物理学奖获得者丁肇中在欧洲核子中心公布了阿尔法磁谱仪在国际空间站上的首批实验结果。实验以很高精度在宇宙射线流中观察到正电子"超出",而这些超出的正电子有可能来自于暗物质。     

高能电子轰击金属靶产生正电子的模拟研究

建立了高能电子束与固体作用产生正电子的蒙特卡罗模拟模型.得出了金属靶材料,靶厚度,电子束能量等对正电子产额的影响.模拟实验表明,金作为靶材料,正电子的产额最高.实验中1cm为最优靶厚度,在此厚度之外,正电子随着厚度增加而减少;对于电子束的能量而言,能量越高,正电子的产额越高,提高电子束能量是增加正电子产额的有效途径.此外,模拟实验还给出了以正电子为主的次级粒子的角分布及能谱,结果表明,次级粒子主要包括正电子,光子,及少量的中子和质子,而且,正电子发射具有明显前倾的特点,能量呈类麦克斯韦分布.     

W-K合金的正电子湮没寿命谱研究

正电子湮没技术（PAT）是一种无损的材料探测技术,它可以反映正电子所在处电子密度信息,而电子密度信息能反映材料内部微尺寸变化,正电子对于纳米尺寸缺陷的变化非常敏感. 本文用正电子湮没技术中的正电子湮没寿命谱分析技术（PLAS）,对WK混合粉体在不同温度和压强条件下烧结后的微尺寸缺陷变化进行了分析,表明压强对于WK合金的缺陷变化没有明显的影响,而WK合金的微尺寸缺陷随温度有明显变化.     

高温超导体YBaCuO光掺杂效应的正电子寿命谱研究

报道了YBaCuO高温超导体进行光掺杂的基本情况,提供了正电子寿命与光掺杂量之间的变化关系,讨论了光掺杂机理,并将实验结果与理论模型进行了对比.     

不同煅烧条件下合成β-C_2S的正电子湮没和水化研究

采用正电子湮没技术研究了不同煅烧条件下合成的β-C_S正电子寿命谱,按照正电子捕获理论,对实验所得寿命谱参数与β-C_S微观结构缺陷的关系进行了分析和讨论。此外,还就β-C_S的烧成条件、缺陷浓度和水化活性的关系进行了研究和讨论。     

低能V+注入花生种子引起生物体的微结构变化及其机理

以植物干种子花生为生物体材料,注入200keV的低能V＋离子,采用正电子湮没技术（PAT）测定了经离子注入和未经离子注入的2类花生生物样品的正电子湮没寿命谱PAL,实验结果表明,在花生种子生物体内存在着大量微小的孔洞,孔洞的直径为0．7nm,经低能离子注入以后,这些孔洞的大小会有所变化,对低能离子注入生物效应的机理进行了探讨。     

La_（3－x）／2Ba_（（3－x）／2）Ca_xCu_3O_y超导体正电子寿

用ｘｔ子寿命谱方法研究Ｃａ局域替换Ｌａ（３－ｘ）／２Ｂａ（３－ｘ）／２ＣａｘＣｕ３Ｏｙ中的Ｌａ和Ｂａ引起的电子结构变化；并结合氧含量和转变温度的测量，分析了电子密度增加的原因．实验表明，随着Ｃａ含量的增加，体系正常态的正电子寿命明显减小，这表明正电子探测的电子密度增加．     

La0.67Sr0.33MnO3体系的Mn位铁掺杂效应

采用固相反应方法制备了名义成分为La0.67Sr0.33Mn1-xFexO3(0≤x≤0.20)的系列样品.通过对La0.67Sr0.33MnO3系列样品的XRD曲线、R—T曲线的测量,研究了Fe掺杂对样品磁电性质的影响.室温下利用正电子湮没技术对样品进行了研究,根据正电子寿命谱参数的变化情况讨论了掺杂样品中缺陷及电子结构的变化.实验结果显示,该系列样品可以忽略氧空位缺陷的影响,样品中位错、微空洞和晶界等缺陷的存在、铁磁与反铁磁作用的相互竞争及样品内部电子局域化所形成的极化行为等因素导致了样品性质的变化.