混晶GaAs_（1－x）P_x：N中等电子杂质束缚激子的发光

在７７Ｋ流体静压和低激发功率密度两种不同实验条件下，对组分ｘ＝０．８８混晶材料ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：Ｎ的光致发光进行了研究。在发光谱中分别明显地出现ＮＮ＿ｉ（ｉ＝１，３）对束缚激子的发光峰。观察到压力下Ｎ＿ｘ带发光猝灭及谱带窄化。低温下，降低激发功率密度，Ｎ＿ｘ谱带移向低能量位置并且半宽变窄。实验结果表明发生Ｎ＿ｘ束缚激子从孤立Ｎ＿ｘ中心到ＮＮ＿ｉ中心的热激活转移。分析结果说明，在加压和低激发密度下，发生这种转移现象的主导机制分别是多重陷入和变程跳跃．     

两分子饱和反应系统的极限环的存在性与唯一性

陈兰荪等在第二届中国生物数学学术会议上提出了生物动力学系统中研究的１１个问题。作者所研究的是第１１个问题，生物化学中两分子饱和反应。其数学模型为ｘ＝Ｊ＿１（１＋ｘ＋ｙ＋Ａｘ￣２）－ｘ（１＋ｘ＋ｙ＋Ａｘ￣２）－Ｂｘｙ；ｙ＝Ｊ＿２（１＋ｘ＋ｙ＋Ａｘ￣２）－Ｂｘｙ．其中：Ｊ＿１、Ｊ＿２、Ａ、Ｂ为非负常数，当Ｊ＿１－３Ｊ＿２＜－［１＋Ｂｘ＋（Ｂ＋１）ｙ］／（１＋Ａｘ）时，该模型在第一象限内至少存在一个极限环；当Ｊ＿１＜Ｊ．ｘ＜ｙ，Ｂ＞ｌ且ｘ＞ａ时，该模型在第一象限内存在唯一的极限环。其中ａ＜０为方程ｐ（ｘ＝）＝０的最大负实根．     

Al_xGa_（1－x）As虚晶近似LMTO能带的自洽计算

对于包含芯态的全电子势的ＬＭＴＯ－ＡＳＡ能带计算方法，建议用一种虚晶近似的合金能带计算方法（ＬＭＴＯ－ＡＳＡ－ＶＣＡ），文中着重研究该方法的能带自洽迭代计算方案，在Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ合金能带计算中获得合理的虚晶近似的能带结构。     

LMTO－ASA超原胞法计算空位有序的稳定性

用ＬＤＦ－ＬＭＴＯ－ＡＳＡ超原胞法，以Ｎｂ（Ｃ＿（１－ｘ）□＿ｘ）为例直接计算Ｎｂ＿４Ｃ＿４□＿０、Ｎｂ＿４Ｃ＿３□＿１、Ｎｂ＿４Ｃ＿２□＿２、Ｎｂ＿４Ｃ＿１□３和Ｎｂ＿４Ｃ＿□＿４五种“样本”在不同晶格常数下的总能的变化，结合统计分布直接计算碳空位在非金属元素的ｆ，ｃ，ｃ子晶格上分布有序的稳定性，计算结果表明ＮａＣｌ型Ｎｂ（Ｃ＿（１－ｘ）□＿ｘ）的有序相和无序相仅在０＜ｘ＜０．５组分范围内存在，其中有序相更稳定。ｘ＞０．５时不存在上述结构的有序或无序相。这与实验结果一致。     

单模型三元混晶界面极化子

仅考虑高频分支对极化子的贡献,研究了单模型三元混晶界面极化子的性质．既考虑了电子与体声子的耦合,又考虑了电子与两支界面光声子的耦合．我们计算了ＺｎＳｅｘＴｅ１－ｘ（ＧａＡｓ）和ＧａＡｓｘＳｂ１－ｘ（ＩｎＳｂ）两种材料里电子与声子相互作用．电子在强电场的作用下,界面光声子与电子的耦合加强．体光声子与电子的耦合在ｘ的某一点有一个极小值,两支界面光声子与电子的耦合随ｘ的变化很小     

N－Ga_（1－x）Al_xAs的低温光伏特性

报道了Ｎ－Ｇａ＿（１－ｘ）Ａｌ＿ｘＡｓ低温光伏的异常特性．在暗条件下降温的样品，其低温光伏的初始强度比受光照的样品的光伏初始强度大得多，对这两种不同初始条件，当样品加热到大约１００～１５０Ｋ时，其低温光伏强度发生跳跃．这些异常特性归因于Ｎ－Ｇａ＿（１－ｘ）Ａｌ＿ｘＡｓ（ｘ＞０．２２）中的ＤＸ中心的电荷态变化．     

混晶GaAs_（1－x）P_x：N中N等电子杂质诱发的共振喇曼散射

研究了混晶材料ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：Ｎ（ｘ＝０．７６，０．６５）中的共振喇曼散射，在背散射配置的（１００）晶向观察到“禁戒”的ＴＯ声子散射模．这一实验现象解释为在共振激发Ｎ＿ｘ杂质带的条件下，由于晶体对称性的喇曼选择定则失效，ＴＯ模成为喇曼活性．根据热猝灭规律，还给出区分共振喇曼散射和热荧光的一个实用判据．     

GaAs_（1－x）P_x：TeLED中深能级及其对发光效率的影响

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）方法研究了不同发光效率的掺Ｔｅ的ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘＬＥＤ中的深中心，探讨深能级对ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：ＴｅＬＥＤ发光效率的影响，结果表明，发射率激活能为０．４０ｅＶ的Ｂ能级是影响发光效率的主要无幅射中心．     

双模型三元混晶的界面极化子

采用ＥＰＭＡ近似法,研究了双模型三元混晶界面极化子的性质,计算了ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ（ＧａＡｓ）和ＡｌＧａ１－ｘＡｓ（ＧａＳｂ）材料中界面光声子与电子的耦合随ｘ的变化。结果表明,在强电场作用下,界面光声子与电子的耦合加强;体光声子与电子的耦合在ｘ的某一值处存在极小值,界面光声子与电子的耦合随ｘ的变化则较复杂。     

短波长In_xGa_（1－x）As_yP_（1－y）材料的LP－MOVPE生长

本文研究了用低压金属有机化学气相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）技术，以三申基镓（ＴＭＧａ）、三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，ＡｓＨ＿３和ＰＨ＿３为Ⅴ族源，在（１００）方向掺Ｓ的ｎ￣＋ＩｎＰ衬底上生长短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料的生长条件，并用双晶Ｘ射线衍射（ＤＣＤ）和光荧光（ＰＬ）对不同条件下生长的短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料进行了表征。     

关于CO在含Ru二元无序合金表面化学吸附稳定性的研究

本文采用Ｓｕｌｓｔｏｎ等人发展的一维紧束缚半无限二元无序合金模型（ＤＢＡ）和格林函数方法,在相关势近似（ＣＰＡ）下利用Ｅｉｎｓｔｅｉｎ－Ｓｃｈｒｉｅｆｅｒ（ＥＳ）化学吸附理论,通过ＣＯ分别在ＣｏＲｕ、ＲｕＮｉ及ＲｕＣｕ合金表面吸附能的计算,讨论了ＣＯ在以上３种合金表面化学吸附的稳定性．结果表明：（１）ＣＯ在ＣｏＲｕ合金表面化学吸附稳定性随Ｒｕ含量的增加而降低,近似呈线性变化;（２）ＣＯ在ＲｕＮｉ表面的化学吸附,在Ｒｕ含量小于２０％情况下,吸附稳定性随Ｒｕ含量的增加而增加．当Ｒｕ含量大于２０％而继续增加时,吸附稳定性呈减弱趋势;在Ｒｕ与Ｎｉ含量比例为２８处,吸附最为稳定．（３）ＣＯ在ＲｕＣｕ表面化学吸附时,对应Ｒｕ与Ｃｕ含量比例为６４化学吸附能有一最大负值,表明此时ＣＯ化学吸附最稳定．     

LaCo1-xCuxO3纳米晶对染料酸性黑10B的光催化降解研究

采用EDTA络合溶胶-凝胶法在较低的温度下合成了LaCo1-xCuxO3复合氧化物纳米晶,通过XRD和SEM等手段对LaCo1-xCuxO3进行了表征.结果表明:在600℃焙烧即可得到钙钛矿型LaCo1-xCuxO3纳米晶,700℃焙烧所得颗粒基本呈球形,粒径为50 nm左右.采用IR和UV-Vis技术研究了该系列纳米晶对染料酸性黑10B的光催化降解活性,结果表明:掺杂量、焙烧温度、催化剂用量、光照时间等因素对脱色率均有一定的影响,在适宜的实验条件下,可使酸性黑10B的脱色率接近100%.     

nSi／pSi1—xGex／nSi晶体管直流特性数值分析

采用一维有限差分方法,对生长在Ｓｉ（００１）衬底上的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变基区异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的直流特性进行了数值分析,给出了高斯掺杂情形下,基区中不同Ｇｅ分布的Ｓｉ１－ｘＧｅｘＨＢＴ的共射极电流放大系数图、Ｇｕｍ－ｍｅｌ图和平衡能带图;与Ｓｉ双极同质结晶体管（ＢＪＴ）的直流特性作了对比,结果表明基区中Ｇｅ的引入有效地改善了晶体管的直流性能;其次对基区中Ｇｅ分布与ｐ型杂质在基区－集电区交界处的不一致进行了模拟,证实了基区杂质向集电区扩散产生的寄生势垒使集电极电流密度下降这一实验结果．     

替代元素对化合物Gd_3 Ni和GdNi_2微结构的影响

采用X射线粉末衍射法,研究了化合物Gd_3(Ni_(1-x)Co_x)、(Gd_(1-x)Y_x)_3Ni和(Gd_(1-x)Y_x)Ni:(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1.0)的晶体结构,并利用内标法精确测定其点阵参数的变化.研究结果表明,Gd_3(Ni_(1-x)Co_x)、(Gd_(1-x)Y_x),Ni和(Gd_(1-x)Y_x)Ni_3分别保持了Gd_3Ni和GdNi_3的晶体结构;这些化合物的点阵参数变化趋势符合费伽定律.     

ZnSe/ Zn_(1-x)Cd_xSe非对称双量子阱中电子声子相互作用(英文)

采用转移矩阵方法研究了 Zn Se/Zn1-x Cdx Se非对称双量子阱结构中界面光学 ( IO)声子模和电子 -IO声子相互作用哈密顿量 .发现 IO声子的色散关系和电子 -IO声子耦合强度是波矢的复杂函数 ,并且长波声子是主要的 .使用简化的相干势近似数值计算 Zn Se/Zn1-x Cdx Se非对称双量子阱结构 ,结果表明高频声子与 IO声子的相互作用较低频声子与 IO声子的相互作用强     

高温时H13钢中初生碳氮化物的分解研究

利用光学显微镜、扫描电镜和电子探针研究了H13钢中初生碳氮化物高温分解时的形貌、尺寸、成分变化规律.原始初生碳氮化物主要为10~30μm的长条状(Vx,Mo1-x)(Cy,N1-y)及少量方形的(Tix,V1-x)(Cy,N1-y).在1200℃保温2.5 h后碳氮化物边缘变为凹凸不平的锯齿状,然后形成细小的分解颗粒,10 h后碳氮化物平均长度减小为12.9μm,主要为(Tix,V1-x)(Cy,N1-y).当经过1250℃ ×5 h保温后87%的碳氮化物发生分解,(Vx,Mo1-x)(Cy,N1-y)溶解消失,碳氮化物长度在20μm以下,当保温时间延长到10 h后碳氮化物长度均在10μm以下,70%为方形并且93%分解形成细小颗粒,未分解的碳氮化物为(Tix,V1-x)(Cy,N1-y).电子探针分析(Tix,V1-x)(Cy,N1-y)的分解与Fe元素扩散有关,高温时Fe在(Tix,V1-x)(Cy,N1-y)中含量逐渐增加而Ti、V减少,优先在边部曲率半径较小部位或缺陷处分解,形成0.1~1μm的细小分解颗粒,并由外向内以区域溶解方式使原始碳氮化物逐渐消失.双亚点阵模型分析两种碳氮化物的平衡溶解温度和组成有关,试样中大部分(Tix,V1-x)(Cy,N1-y)平衡溶解温度在1200~1246℃之间,与实验吻合较好.     

Cd_(1-x)Mn_xS/SiO_2介孔组装体系退火特性

通过溶胶-凝胶法获得孔SiO_2载体。浸泡合成法获得Cd_(1-x)Mn_xS/SiO_2介孔组装体系样品,在氮气保护条件下和空气中研究了它们的退火特征,在两种不同的气氛下,它们的退火行为不同,前者的光吸收谱表现为红移而后者则蓝移。     

CsSm_（1－x）Eu_xI_3体系及其荧光光谱

已知二价稀土三元碘化物ＣｓＳｍＩ３的结构，以半径较小的Ｅｕ２＋取代Ｓｍ２＋，在ＣｓＳｍ（１－ｘ）ＥｕｘＩ３体系中，得到一系列与ＣｓＳｍＩ３同结构的化合物。它们的摩尔体积随着ｘ的增大而直线下降，形成了连续固溶体，在３３０ｎｍ激发下，固溶体的荧光发射在ｘ＝０．８时，为６５０～８００ｍｎ处Ｓｍ２＋的ｄ_ｆ跃迁宽带发射，反映了Ｅｕ２＋_Ｓｍ２＋的能量传递。     

GaAs／Ga_（1－x）Al_xAs超晶格结构中量子磁隧穿传输系数的计算

该文特厄密函数作为包络波函数，利用传递矩阵方法计算了电子隧穿ＧａＡｓ／Ｇａ（１－ｘ）ＡｌｘＡｓ双量子阱超晶格在外加电磁场作用下的传输系数，并对计算结果作了讨论．     

三元混合晶体AxB1—xC中的极化子

本文讨论了弱耦合下三元混合晶体A_xB_(1-x)C中的极化子问题.在绝对零度下,用微扰法导出了极化子基态能量和有效质量表达式,对几种三元混合晶体进行了数值计算.在浓度x=0和x=1时,得出的结果与对应的二元晶体——BC,AC的结果完全等价.