BaFCl：Eu^2＋的正电子湮没谱研究

利用正电子湮没谱研究了不同离子数（Ｆ）／离子数（Ｃｌ）比ＢａＦＣｌ：Ｅｕ＾２＋系列粉末样品。实验结果表明：当晶体中的离子数（Ｆ）／离子数（Ｃｌ）〈１时，可以有效地产生Ｆ离子空位缺陷，当离子数（Ｆ）／离子数（Ｃｌ）比值在０．９２附近的空位缺陷浓度最大。     

BaFCl:Eu~(2 )的正电子湮没谱研究

利用正电子湮没谱研究了不同离子数（Ｆ）／离子数（Ｃｌ）比ＢａＦＣｌ：Ｅｕ２＋系列粉末样品．实验结果表明：当晶体中的离子数（Ｆ）／离子数（Ｃｌ）＜１时，可以有效地产生Ｆ离子空位缺陷，当离子数（Ｆ）／离子数（Ｃｌ）比值在０．９２附近的空位缺陷浓度最大．     

掺Eu^2＋的卤磷酸盐的发光特性和内部能量传递

探讨Ｂａ＾２＋离子搀杂对（Ｃａ０．５Ｓｒ０．５）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ＾２＋和（Ｃａ０．４Ｓｒ０．６）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ＾２＋量子发光效率的影响，当用Ｂａ＾２＋离子代替Ｃａ＾２＋或Ｓｒ＾２＋离子进入晶体时，Ｅｕ＾２＋离子的发光特性发生改变；发射峰的峰值降低；热猝灭的温度升高，并采用位型坐村理论给予解释。根据晶体的结构特征，对占据两个不等当晶体学位置的Ｅｕ＾２＋离子发光中心之间的能量传递进行     

X射线和紫外线激发下BaFCl_xBr_(1-x):Eu~(2+)的发光

制备了ＢａＦＣｌｘＢｒ１－ｘ：Ｅｕ２＋（ｘ＝００，０２，０４，０６，０８，１０）四元系列氟卤化合物．对于不同的Ｃｌ／Ｂｒ比值样品，研究了其在Ｘ射线和紫外线激发下的发光性质；同时研究了在Ｘ射线激发下的发光强度随温度的变化关系，并发现这种关系随Ｃｌ／Ｂｒ比值的变化呈现一定的规律性；最后，测量了在紫外线激发下，其光致荧光寿命与Ｃｌ／Ｂｒ比值的关系     

氟化物中氧对Eu2+光谱的影响

为了考察杂质阴离子对Ｅｕ＾２＋光谱的影响,应用光谱方法研究了复合氟化物中氧离子对氟离子的取代与Ｅｒ＾２＋光谱变化的关系。结果表明：在ＫＣａＥ３和ＢａＹ２Ｆ８基质中,氧的存在产生了Ｅｕ＾２＋新的发光中心,其中一种为正常的Ｅｕ＾２＋的发光中心,其中一种为正常的Ｅｕ＾２＋的发射中心,即Ｅｕ＾２＋（Ｆ＾－）中心,另一种为氧离子对氟离子取代形成的发射中心,即Ｅｕ＾２＋（Ｏ＾２－）中心;对于ＫＣａＦ３基质,随     

BaFX：Eu（X：Cl,Br）中电子陷阱的研究

Ｘ线影像板需要近红外光激励。掺入Ｃａ＾２＋,Ｓｒ＾２＋,Ｍｇ＾２＋后,用６５０￣７００ｎｍ光激励ＢａＦＸ：Ｅｕ＾２＋,可以更为灵敏。用正电子湮没寿命谱,电子顺磁共振谱,加热发光谱和光激励发光谱,研究了Ｘ射线辐照后ＢａＦｘ：Ｅｕ（Ｘ：Ｃｌ,Ｂｒ）电子陷阱的性质、状态、密度和转换。     

Eu^2＋激活的Li—β—Al2O3的组成,结构和发光

运用周期表对角线规则，获得了Ｅｕ＾２＋激活的Ｌｉ－β－Ａｌ２Ｏ３新的发光基质，研究了该基质的组成，结构，电荷补偿机制及Ｅｕ＾２＋在体系中的发光性质。结果表明：锂对ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７基质中镁的取代仍然保持β－Ａｌ２Ｏ３结构不变，Ｌｉ－β－Ａｌ２Ｏ３基质中的电荷补偿主要是形成间隙Ａｌ６３＋或Ｌｉ＾＋离子机制，Ｅｕ＾２＋激活的Ｌｉ－β－Ａｌ２Ｏ３具有良好的发光性能，通过进一步研究有可能应用到三基色发     

光激励发光衰减的理论分析与研究

基于光激励发光理论中隧穿模型的思想，建立了描述隧穿过程的数学模型，得出了光激励发光（ＰＳＬ）衰减规律．制备了系列材料ＢａＦＣｌ：Ｅｕ２＋，测量其ＰＳＬ衰减曲线，理论结果与实验符合的较好     

BaFX : Eu~(2 )(X=Cl,Br) 的 X 光影像存储机理研究

报道了一种新的ＢａＦＸ：Ｅｕ２＋（Ｘ＝Ｃｌ，Ｂｒ）的Ｘ光影像存储机理．在Ｘ光辐照后，Ｅｕ２＋并不变价为Ｅｕ３＋，因而不是空穴陷阱．Ｏ－Ｆ是一种重要的空穴陷阱．存在电子隧穿过程．     

BaFX：Eu^2＋（X=Cl,Br）的X光影像存储机理研究

报道了一种新的ＢａＦＸ：Ｅｕ＾２＋（Ｘ＝Ｃｌ，Ｂｒ）的Ｘ光影像存储机理。在Ｘ光辐照后，Ｅｕ＾２＋并不变价为Ｅｕ＾３＋，因而不是空穴陷阱。Ｏ＾－Ｆ是一种重要的空穴陷阱。存在电子隧穿过程。     

一种钾长石(KCFW01)的释光图谱及其应用

本文针对一种钾长石矿物作了其选频释光图谱的研究分析.在BG2003光释光谱仪上选择不同的激发光源对钾长石样品进行激发,获得了钾长石的释光图谱.通过对这种钾长石的研究,发现矿物随辐射剂量增加响应有很好的线性关系,可以用来做释光测年的矿物.这种钾长石的测年上限大约是84万年.它的光晒退实验指出利用这种钾长石矿物测年时要考虑光晒退的影响.     

温度对叶片延迟发光的影响

以绿宝石喜林芋叶片为材料研究了不同温度对叶片延迟发光和超氧物歧化酶(SOD)、脂氧合酶(LOX)活性的影响.结果表明:随温度的升高,延迟发光的衰减系数先增加后减小,在15 ℃时有一最大值;延迟发光的最大强度也会随温度的不同而发生改变,当温度达到50 ℃时,叶片基本上不再具有延迟发光的特性;SOD,LOX活性与延迟发光之间存在极为密切的关系.     

阴极发光技术在成岩成矿作用研究中的应用

阴极发光技术是通过电子束轰击矿物晶体至使其发光。矿物晶体中的一些微量元素通常成为影响发光中心形成的激活剂。不同世代同种矿物或者是单一矿物晶体内部由于其形成时成矿流体成分的微小差异,因而在阴极发光显微镜下表现出不同的发光性。通过发光后的图像分析,可以区分不同世代的矿物以及不规则生长的晶体内部微形态。对河北光头山碱性花岗岩体、山东文登金矿、湖南水口山硅质岩的阴极发光处理后的样品进行包裹体的系统研究,获得比传统方法更小时间单位成岩成矿流体的演化特征,为模拟和恢复地质作用过程提供比较精确的物化参数。     

可见光敏化铕发光配合物研究进展

稀土离子的敏化发光研究一直是有机稀土发光配合物领域的热点问题。在活体生物成像和荧光免疫分析领域,与紫外光激发相比,可见光激发具有可有效降低背景光的干扰和减少对生物组织的损伤等优点,因此,可见光激发有机稀土配合物的发光研究受到了稀土探针制备方面研究人员的广泛关注。在上述配合物中,三价铕离子配合物可获得较高的发光量子产率,且其特征发射为红光,因此,这类配合物在成像和免疫分析领域更加引起了研究者的极大兴趣。本文就近年来可见光敏化有机铕配合物的发光机理、敏化配体的类型、配合物的发光性能等方面进行了综述,分析了不同的敏化配体对三价铕离子配合物发光性质的影响,指出了要从如何制备敏化配体方面来探索创造具有优异发光性能的有机铕配合物。     

释光测年的研究简史及研究现状

针对释光现象的研究，及其在地质和考古年代测定中的应用，将释光测年的研究历史划分为3个阶段：20世纪50年代末以前，释光测年研究的萌芽阶段；60年代至80年代中期，热释光测年的研究及发展阶段；80年代中期至今，光释光测年的研究及发展阶段。最后，对释光测年的研究现状进行了简单的总结，认为对释光现象产生机制的许多细节还有待深入研究，对于非线性释光生长曲线的校正及提高测年的精度，仍是测量等效剂量(De)时研究的主要问题。     

嵌入SiO2薄膜中的GeO和Ge纳米晶光致发光的研究

作者通过离子注入法得到了镶嵌于SiO2薄膜中的Ge纳米晶,并通过系统的氧化性或还原性退火处理,以改变样品中Ge的氧化物成分组成．分析了不同样品在室温下的光致发光(PL)特性,并结合XRD分析表明：300与400nm附近的荧光峰的发光机制是GeO(nc-GeO)纳米晶发光,而不是GeO的缺陷发光;570nm附近的荧光峰的发光机制为Ge纳米晶(nc-Ge)发光,而不是Ge及Si界面的缺陷发光．     

生物超微弱发光的非线性分析

利用超微弱发光测量技术研究了不同时间间隔下延迟发光的衰减曲线.从实验测得的数据出发,抛开以往与实验不太相符的指数函数、双曲函数拟合理论,利用更能体现动力学特性的差分方程方法,分析延迟发光强度随时间的变化情况.根据测得的实验曲线,将光诱导后的光子辐射过程划分为快过程和慢过程2个阶段,推测2个阶段中,生物系统内激发态的相干作用不同,从而对生物超微弱发光物理机理--相干模型,进行了一定的验证,并对具有广泛生物学意义的延迟发光时间参数的研究具有一定的促进作用.     

多孔硅的发光

用电化学腐蚀的方法成功地制备出多孔硅系列样品,这种材料具有室温下肉眼可见的红色发光。波段分布在550-900nm之间的带状光谱,半宽度为0.31eV,峰值波长位于700nm附近。随着测量温度的升高,发光峰位兰移,发光强度随温度的变化呈指数变化规律。实验结果表明,多孔硅的发光是局域在量子线上激子的辐射复合。     

SiC材料发光性能表征综述

本文从SiC材料发光性能表征方法出发,介绍了光致发光、阴极荧光和离子激发发光三种光学测量方法．不同发光表征技术适用研究材料不同的品质特征,光致发光是一种无损检测,阴极荧光对SiC外延层的位错缺陷具有更好的测量效果,离子激发发光可以观测缺陷发光的原位信息．发光变化与材料中的缺陷中心相关,因而光学测量可以很好地反映材料内部特征．通过不同光学测量方法研究SiC材料的发光性能,为更好地拓展SiC发光应用奠定了重要基础．      

红色有机薄膜电致发光器件

研制了三种以 8-羟基金属螯合物 Mq3(M=Al,Ga,In)为基质、DCJTB为掺杂剂的红色有机电致发光器件 ,对比了不同掺杂浓度下的 Mq3的光致发光光谱、电致发光的亮度 -电压、亮度 -电流关系 ,从光谱重叠、能级匹配角度分析了不同基质对发光效率及色度的影响