Sb_2O_3对高能氧化锌压敏电阻器性能的影响

为了改善高能氧化锌压敏电阻器（MYN）的性能，研究了Sb2O3对MYN性能的影响。结果表明：Sb2O3掺杂量小时，MYN性能变坏，但当Sb2O3掺杂量上升时，MYN的性能改善。可用Sb2O3的掺杂量对MYN微观结构的影响来解释这一现象。     

ZnO压敏材料研究进展

氧化锌压敏电阻器具有优良的非线性伏安特性,在稳态工作电压下漏电流很小(能耗低).利用这些特性可制造各种电子器件的过电压保护、电子设备的雷击浪涌保护、负载开关的浪涌吸收等电子保护装置.综述了ZnO压敏材料的导电机理、老化、非线性功能添加剂以及制备工艺等方面的研究进展,指出ZnO压敏电阻器的发展方向为片式叠层化、低压化以及对导电机理的深入研究.     

ZnO压敏电阻的残压特征

本文根据ZnO压敏电阻器的导电模型探讨了晶粒尺寸、形状、晶界结构等因素对ZnO压敏电阻大电流特性的影响;讨论了影响ZnO压敏电阻器残压特性的主要因素及机理,从而获得了改善其残压特性的有效方法.     

常见电阻器的选用要点及检测方法

电阻器是电子电路元件中应用最广泛的一种,在电子设备中约占元件总数的30%以上。文章对不同应用电路中普通固定电阻器、熔断电阻器、特殊电阻器(热敏、压敏、光敏)的选用要点以及检测方法做了简单的介绍。     

压敏-电容双功能多层器件

介绍了压敏-电容器双功能多层器件的结构原理、特征、用应等.利用多层压敏电阻器和多层陶瓷电容器复合制备了压敏-电容器双功能多层器件.压敏-电容器双功能器件应用试验结果证实,所研制的器件具有抑制静电放电与降低噪声的双重功能、大容量、抗干扰等优点,可望在信息及家电行业获得广泛应用.     

高压下氧化锌纳米晶微观结构和压敏性质的研究

本文中,用六面顶压机研究了氧化锌纳米晶在高压下的微观结构和压敏性质。用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对高压处理后的样品的微观结构进行了表征,用半导体特性测量系统测试了样品的伏安特性。结果表明：在室温下,晶粒尺寸随着处理压力的增大而减小;在高温下,晶粒尺寸随着处理压力的增大而增大。冷高压下,氧化锌呈现出高阻值的线性伏安特性,高温高压条件处理后的样品,明显地显示出非线性伏安特性,即高温高压的共同作用能有效地降低氧化锌的压敏电压。     

压敏电阻非欧姆特性的研究

本文对压敏电阻的非欧姆特性做了一定分析.Zno压敏陶瓷电阻内可形成晶界偏析和晶界空间电荷区,利用空间电荷限制电流理论可解释压敏电阻器的非欧姆特性.     

烧结温度对氧化锌压敏瓷显微组织和电性能的影响

采用不同的烧结温度（900～1300℃）制备氧化锌压敏瓷，通过扫描电镜和X射线衍射对其显微组织和相成分进行了分析，探讨了烧结温度对氧化锌压敏瓷电性能和显微组织的影响机理。烧结温度越高，Bi2O3挥发越严重，氧化锌压敏瓷的晶粒尺寸越大，电位梯度越低。研究结果表明，当烧结温度为1100℃时，压敏瓷具有较为理想的综合电性能，其电位梯度为332V／mm，非线性系数为30，漏电流为0．1μA。     

复合稀土La和Sc掺杂氧化锌压敏瓷的显微组织和电性能

采用复合稀土Sc2O3和La2O3掺杂制备氧化锌压敏瓷,通过扫描电镜和X线衍射对其显微组织和相成分进行分析,探讨复合稀土Sc2O3和La2O3掺杂对氧化锌压敏瓷电性能和显微组织的影响机理.研究结果表明:复合稀土掺杂可提高压敏瓷的综合性能,复合稀土掺杂对压敏瓷电性能的影响规律仍遵循单一稀土掺杂对压敏瓷电性能的影响规律;Sc2O3和La2O3复合稀土掺杂ZnO-Bi2O3压敏瓷,在相同的Sc2O3掺杂比例下,随La2O3掺杂量的增加,电位梯度增加;在相同的La2O3掺杂比例下,随Sc2O3掺杂量的增加,非线性系数增加;当掺杂0.12%(摩尔分数)Sc2O3,0.12% La2O3时,复合稀土掺杂氧化锌压敏瓷的电性能达到最优,电位梯度为325 V/mm,非线性系数为34.8,漏电流为0.19 μA.     

影响TiO2压敏电阻器电性能的因素探讨

通过理论分析和实验经验总结，讨论了微观结构、掺杂及烧结工艺对TiO2压敏电阻器电性能的影响，调整和改进这些影响因素可以达到优化电性能的目的。     

ZnO压敏电阻小电流区非线性特性的机理分析

本文根据ZnO压敏电阻器的导电机理指出,小电流区非线性特性主要受ZnO晶粒表面耗尽层中固定电荷的浓度、浓度分布以及晶界层界面态密度分布的影响。     

掺杂Nd2O3和Sm2O3氧化锌压敏陶瓷的显微组织与电性能

采用传统固相法制备掺杂Nd2O3和Sm2O3氧化锌压敏陶瓷.采用X线衍射、扫描电镜和压敏电阻直流参数仪对其相组成、显微组织和电性能进行研究.研究结果表明:复合稀土掺杂有利于提高压敏陶瓷的综合电性能.掺杂Nd2O3和Sm2O3氧化锌压敏陶瓷,在固定Nd2O3含量时,随Sm2O3掺杂量增加,样品的平均晶粒尺寸从5.32μm减小到2.91 μm,电位梯度从389.3 V/mm增加到959 V/mm,非线性系数呈先降后升的变化,漏电流密度在0.44～8.66 μA/cm2之间变化.掺杂(摩尔分数)0.25％ Nd2O3和0.50％Sm2O3氧化锌压敏陶瓷的电性能最优,电位梯度为959 V/mm,非线性系数为36.7,漏电流为2.25μA/cm2.制备的压敏陶瓷有望用于高电位梯度避雷器.     

Bi2O3对ZnO基压敏陶瓷性能影响的研究

利用传统陶瓷制备工艺制备具有一定压敏特性的ZnO陶瓷材料，详细分析了Bi2O3掺杂对材料性能的影响及导致这一影响的具体原因，用MY3C-2型压敏电阻器三参数测试仪测试了样品的压敏电压，压比和漏流，并用BD-86型X射线衍射仪进行了物相分析，测试结果表明：在适合掺杂范围内，Bi2O3的增加有利于样品的非线性系数α及压敏电压的提高，且漏流IL随掺杂量的增加减小，超出这一范围后，样品的电学性能将会恶化，物相分析表明在添加Bi2O3，Sb2O3和BaCO3的ZnO陶瓷中，存在ZnO相，Bi2O3相，Zn223Sb0.67O4(尖晶石)相和BaSb2O6(偏锑酸钡)相。     

La2O3掺杂的TiO2电容—压敏电阻器特性研究

为改善ＴｉＯ２电容－压敏电阻器的非线性，文章通过添加少量Ｌａ２Ｏ３，使其非线性系数得到提高，并对其原因进行了分析．结果表明，Ｌａ２Ｏ３添加剂可提高材料晶界势垒高度，从而提高了其非线性系数．     

溶盐热解法制备ZnO压敏电阻

研究了溶盐热解法制备 Zn O压敏电阻的工艺流程 ,并以此制备出通流能力加倍的 Zn O压敏电阻器。通过粉体的 X射线衍射分析了煅烧温度对粉体的影响。瓷片的 SEM测试说明溶盐热解法比传统法制备的 Zn O压敏电阻瓷片晶粒均匀性好。     

保温时间对氧化锌压敏瓷组织和电性能的影响

采用不同的保温时间制备ZnO压敏电阻,通过扫描电镜和X射线衍射对其显微组织和相成分进行了分析,探讨了保温时间对氧化锌压敏电阻电性能和显微组织影响机理.保温时间的变化对压敏瓷的相成分基本没有影响.适当的延长保温时间,压敏瓷的晶粒发育越好,晶粒尺寸越大越均匀;过长的保温时间会导致压敏瓷的晶粒粗大.保温时间的延长,压敏瓷的漏电流变化不大,致密度和电位梯度逐渐减小.研究结果表明:当保温时间为2 h时,压敏瓷具有较为理想的综合电性能,其电位梯度为332 V/mm,非线性系数为30,漏电流为0.1 μA.     

SrTiO_3多功能陶瓷电容压敏电阻器的研制

陶瓷压敏电阻器是一种随外加电压不同而电阻呈现出显著变化的非线性电阻器,具有优良的电压非线性和电涌吸收特性。根据制造材料的不同,可把陶瓷压敏电阻分为三类:①金属氧化物(如ZnO,Fe_2O_3,SnO_2,TiO_2等)陶瓷压敏电阻;②非金属氧化物(如SiO_2)陶瓷压敏电阻;③化合物(如SrTiO_3)陶瓷压敏电阻。目前广泛使用的ZnO_2压敏电阻具有优良的非线性特性,在瞬态浪涌抑制技术中起着重要的作用,但其视在介电常数只有1000左右,介质损耗高达5％～10％;缺乏大的电容量,因此,作为电容器是不理想的。SrTiO_3复合功能元件是70年代末出现的一种新型电子元件,它具有对电压敏感的电阻和大的等效并联电容。在低电压时具有电容器功能,在高于某个阈值电压时,具有压敏电阻的功能,并比单独具有压敏特性的压敏电阻器的性能好,在自动控制、电子计算机领域及各类电子电器行业中有广泛的应用前景。由于SrTiO_3是一种新型元件,有关它的原理、工艺条件都很不成熟,国内外对它都还处于探讨摸索阶段。作者经过长时间摸索,做了大量的实验,经历了多次失败。终于烧制出了两种具有复合功能的陶瓷材料,并对材料做了扫描电镜分析。     

科技新产品

科技新产品低压氧化锌敏电阻器编号：Ｃ９６００。１低压氧化铃压江电阻器是低压一电后、晶体管和电子元件过压保护的重要元件。研制出的样品经国营七九五厂、铁道部科学研究院和西安无线电三厂等单体的测试和试用，其非线性系数高，一泄漏电流小，残应比小，通流量大，性...     

氧化锌压敏陶瓷中铋、锑、钴、镍、锰、铬的研究——ICP-AES法

新建一种电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES),同时测定氧化锌压敏陶瓷中铋、锑、钴、镍、锰、铬6种元素的方法。通过实验选择浓硫酸直接消解,酒石酸络合铋、锑元素。新方法前处理加标回收率在99.11%～102.23%,铋、锑、钴、镍、铬检出限均小于0.009μg/mL,锰检出限小于0.0005μg/mL,铋、锑、钴、镍、锰、铬6种元素相对偏差(RSD,n=7)均小于2%,为氧化锌压敏陶瓷产品的均匀性判定提供了一个简便快速的方法。     

Cr2O3掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响

为了制备高性能ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻器,利用新型Sol-Gel方法研究了Cr2O3掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响．复合先驱体溶液由Bi2O3,Sb2O3,MnO及Cr2O3掺杂的ZnO纳米粉体均匀分散于含有Zn(CH3COO)2,Bi2O3,Sb2C3,MnO及Cr2O3的溶胶中制成．研究结果表明：利用新型Sol-Gel方法制备的ZnO陶瓷薄膜中,ZnCr2O4相在较低的Cr2O3添加量时出现,当Cr2O3的摩尔分数为0．75％时,ZnO陶瓷薄膜的非线性系数α为7,压敏电压为6V,漏电流密度为0．7μA/mm^2。