α-Al2O3：C晶体TL曲线和LM-OSL曲线相似性研究

释光工作原理为采用能量对接受过辐照的晶体进行激发,并对其释放出的光子进行测量,根据激发能量形式的不同分为热释光和光释光。其中,热释光(TL)采用温度逐渐升高的方式对晶体进行激发,线性调制光释光(LM-OSL)采用激发光源强度逐渐增加的方法对晶体进行激发,这两种释光方式之间存在着很高的相似度。α-Al2O3：C晶体是一种非常适合释光剂量测定的晶体。本文致力于通过设定一定的模拟实验条件,采用Maxima数学软件对α-Al2O3：C晶体的TL曲线和LM-OSL曲线进行模拟,并研究这两种曲线之间的相似性。初步研究表明,在特定的模拟实验条件下,α-Al2O3C晶体的TL曲线和LM-OSL曲线的峰值右侧部分极为相似,几乎达到重合的程度。     

α-Al_2O_3:C晶体热释光曲线和线性调制光释光曲线相似性研究

释光工作原理为采用能量对接受过辐照的晶体进行激发,并对其释放出的光子进行测量。根据激发能量形式的不同分为热释光和光释光。其中,热释光(TL)采用温度逐渐升高的方式对晶体进行激发,线性调制光释光(LM-OSL)采用激发光源强度逐渐增加的方法对晶体进行激发,这两种释光方式之间存在着很高的相似度。α-Al2O3:C晶体是一种非常适合释光剂量测定的晶体。致力于通过设定一定的模拟实验条件,采用Maxima数学软件对α-Al2O3:C晶体的TL曲线和LM-OSL曲线进行模拟,并研究这两种曲线之间的相似性。初步研究表明,在特定的模拟实验条件下,α-Al2O3:C晶体的TL曲线和LM-OSL曲线的峰值右侧部分极为相似,几乎达到重合的程度。     

椭圆偏振光研究O_2~+注入Si的退火特性

用椭圆偏振仪测量了O+2 注入Si后的椭偏参数Φ和Δ ,给出了离子注入辐射损伤与注入剂量和注入能量的关系 .同时 ,对离子注入片在N2 气氛中进行等时热退火 ,测量了Φ和Δ ,给出了O+2 注入Si的退火特性 .结果表明 :O+2 注入Si的退火特性曲线 ,对不同的注入剂量和注入能量分别为“V”形和“W”形 .对此结果 ,我们进行了初步地分析和讨论     

不同温度下晶态α-Al2O3结构的分子动力学模拟

采用分子动力学模拟方法研究了不同温度下,乃至高温下α-Al2O3晶态体系的结构,讨论了温度对于α-Al2O3体系结构的影响。模拟计算了体系能量、双体相关函数、最近邻配位数、键长值、以及键角分布,并给出了原子水平的瞬时结构图形。计算结果与已报道的实验结果相符。模拟的结果还得到了键价理论的验证。在模拟的温度范围内,2000K前α-Al2O3体系的基本结构单元没有发生大的变化,只是键长稍有伸缩,键角略有张合。2000K后可能发了原子重组。由此,判断α-Al2O3晶体的热稳定性范围是小于2000K。     

快速凝固AlNiCuNd金属玻璃在纳米尺度上的初始晶化行为

采用熔体旋甩法制备了快速凝固Al87Ni7Cu3Nd3金属玻璃,并以等温加热和非等温加热模式处理试样.采用差示扫描量热分析、X射线衍射分析、配有选区电子衍射的高分辨电镜分析等测试手段,研究了富Al非晶合金的晶化过程及其部分晶化的微观结构.研究结果表明:快淬态薄带在微观下完全呈非晶态且分布均匀,但也包含高密度的淬态丛聚或晶籽;快速凝固Al87Ni7Cu3Nd3合金薄带在初始晶化期间从非晶基体中析出的主要是α-Al纳米晶体颗粒.基于初始晶化的部分退火薄带显微组织特征可以描述为:大量的α-Al晶体纳米颗粒均匀弥散分布在残余非晶基体中,α-Al晶体颗粒大多处于相互独立的状态,且呈随机自由取向,但当加热温度太高时,可能会有少量Al3Ni细小颗粒出现;α-Al晶体从非晶中析出是一个包括形核长大的完整过程,在初始晶化初期,α-Al晶体颗粒以极高的速率析出,由于溶质(Ni和Nd等)浓度扩散场所引起的软钉扎作用,α-Al晶体颗粒生长受阻,甚至在后期残留非晶相出现稳定化,初始晶化变得困难;在初始晶化过程中,阻碍α-Al晶体生长的主导动力学机制是软钉扎,而不是几何钉扎.     

纳米Cu/γ-Al_2O_3催化剂制备与选择催化还原NO性能

采用NH4Al(SO4)2、NH4HCO3和NH3.H2O为原料沉淀制备γ-Al2O3,然后浸渍负载活性组分Cu2+,制成纳米Cu/γ-Al2O3催化剂,并考察其催化性能.SEM测试结果表明:制得的纳米Cu/γ-Al2O3催化剂粒径均小于100 nm.活性测试结果表明:在pH值为8.5时制备的γ-Al2O3负载上3%Cu2+的纳米Cu/γ-Al2O3催化剂性能最佳,在275℃时能使NO的转化率达到82.3%,与普通Cu/γ-Al2O3催化剂相比较,最佳活性温度降低了25℃,NO最大转化率提高了31.8%.     

直流电弧放电法制备Er~(3+)-Yb~(3+):Al_2O_3纳米粒子的上转换发光特性研究

采用直流电弧放电法成功制备了粒度约60nm的Er3+-Yb3+共掺杂Al2O3纳米粒子.通过978nm激光二极管(LD)激发,获得位于526,547nm的绿色和677nm的红色上转换发光,分别对应于Er3+的2H11/2→4I15/2,4S3/2→4I15/2和4F9/2→4I15/2跃迁.退火对于样品的上转换发光具有较大影响:退火前,红色发光明显,退火后则以绿色发光为主.(ErYb)3Al5O12和α-(Al,Er,Yb)2O3混合相中增强的激发态吸收4I11/2+光子→4F7/2和能量传递2F5/2(Yb3+)+4I11/2(Er3+)→2F7/2(Yb3+)+4F7/2(Er3+)过程导致绿色上转换发光显著增加.绿色和红色上转换发光过程均为双光子上转换吸收.结果表明直流电弧放电法是一种极具发展潜力的光学材料制备方法.     

电子辐照MgAl2O4透明陶瓷诱导缺陷退火行为的研究

作者用能量为 1.7MeV、束流强度 0 .7μA·cm-2 、总注量 6 .3× 10 16cm-2 的电子 ,辐照处理镁铝尖晶石透明陶瓷 ,并对辐照后的样品进行等时退火 ,利用UV VIS和PAT测试表明 ,经电子辐照处理的样品在2 37nm和 370nm处产生主要是由F心及V型色心引起的吸收带 .通过退火可以消除由F心及V型色心引起的吸收峰 ,但消除F心的消除温度要高于V型色心 ,且在退火过程中形成F聚集心 ,F聚集心随F心聚集的增加将使其峰位向紫外移动     

椭圆偏振光研究N2^＋注入Si的退火特性

本文用椭圆偏振仪测量了在不同剂量和不同能量下的N_2~+注入Si后的随偏参数ψ和Δ,给出了离子注入辐射损伤与注入剂量和注入能量的关系,同时,我们在N_2气氛中对离子注入片进行等时热退火,然后测量ψ和Δ,给出了N_2~+注入Si的退火特性,结果表明:N_2~+注入Si的退火特性曲线,对不同的注入剂量和注入能量分别为“υ”形和“W”形。     

电子辐照MgAl2O4透明陶瓷诱导缺陷退火行为的研究

作者用能量为1.7MeV、束流强度0.7μA*cm-2、总注量6.3×1016cm-2的电子,辐照处理镁铝尖晶石透明陶瓷,并对辐照后的样品进行等时退火,利用UV-VIS和PAT测试表明,经电子辐照处理的样品在237nm和370nm处产生主要是由F心及V型色心引起的吸收带.通过退火可以消除由F心及V型色心引起的吸收峰,但消除F心的消除温度要高于V型色心,且在退火过程中形成F聚集心,F聚集心随F心聚集的增加将使其峰位向紫外移动.     

铜渣在不同煅烧温度的晶相结构

将铜渣分别于850,900,950,1 000,1 050℃进行了煅烧,探讨铜渣在不同温度和不同煅烧时间下的晶体变化,为铜渣的综合利用提供可靠的基础数据.采用XRD法和SEM/EDX法表征了铜渣在不同煅烧温度和不同煅烧时间下的晶相结构和显微结构.实验结果表明:随着煅烧温度的提高和煅烧时间的延长,铜渣中组分晶相发生如下转变过程:2FeO·SiO2+0.5O2→α-Fe2O3+SiO2和Fe3O4-Fe2O3→αFe2O3.氧化煅烧处理可以实现铜渣中主要晶相铁橄榄石离解,氧化铁的富集和析出.     

原位合成方镁石-铁铝尖晶石材料的烧结工艺及性能研究

以镁砂细粉、Fe粉、Fe2O3粉和α-Al2O3粉为原料,采用原位合成法制备方镁石-铁铝尖晶石材料.不同气氛下烧成试验显示N2气氛是合成铁铝尖晶石的最佳气氛.通过XRD和SEM分析在N2气氛中不同热处理温度制备铁铝尖晶石材料的相组成及其显微结构,研究了烧结温度和铁加入量对试样烧结性能的影响.结果表明,试样在N2气氛中于1450、1500、1550℃下保温3h处理后都能原位合成出方镁石-铁铝尖晶石材料;烧结温度的提高有利于铁铝尖晶石的发育和试样烧结性能的提高;铁加入量为10%时烧结性能最佳.     

CsMnCl3·2H2O:Cu2+吸收光谱的研究

CsMnCl3·2H2O是典型的准一维反铁磁体.最近V V Eremenko测定了CsMnCl3·2H2OCu2+的吸收光谱,利用晶体场理论,结合晶体结构,分别计算晶体中Mn2+在Oh下和Cu2+在D2h下的能级,研究结果表明CsMnCl3·2H2OCu2+在28000,3000,32000吸收峰是来自Cu2+的d-d跃迁.     

以金属铝水解制氢副产品为原料制备α-Al2O3粉体的研究

以金属铝-水反应法制氢的副产品为主要原料,添加表面活性剂十二烷基苯磺酸钠、晶种α-Al2O3和相变促进剂ZnF2,在实验室制得α-Al2O3粉体,并利用ICP、XRD、TG-DSC、SEM、物理吸附仪等对试样进行表征。结果表明,该金属铝-水反应法制氢的副产品干燥后为单斜型三羟铝石(Al(OH)3),纯度高达99.58%,经过1 300℃×3h高温处理后完全转化为α-Al2O3;以十二烷基苯磺酸钠作为表面活性剂,添加1%的ZnF2作为相变促进剂和1%的纳米α-Al2O3作为晶种,该副产品在1 200℃下即可完全转化为α-Al2O3,粉体的比表面积为6.17m2/g,平均粒径为244nm。     

第一性原理研究BaMoO_4晶体中F和F~+色心的电子结构

运用相对论密度泛函离散变分法(DV-Xa)计算了BaM004晶体中F和F+色心的电子结构.结果表明:F和F+心在禁带中引入了新的施主能级,采用过渡态的方法计算得到了F和F+心到导带底部的跃迁能量分别为1.86 eV和2.11 eV,对应668 nm和590 nm的吸收.由此说明BaMoO4晶体中668 am和590 nm吸收带起源于晶体中的F和F+心.     

促进剂对荧光粉用α-Al2 O3 形成过程及粉体形貌的影响

通过碳酸铝铵热分解法制备出α-Al2O3粉,并重点研究了促进剂在氧化铝制备过程中的作用.结果表明,加入促进剂可以使α-Al2O3相变温度降低至900 ℃,且没有θ-Al2O3相的生成;促进剂的加入促进了Al2O3晶体的生长,并趋向于形成六角形的片层状颗粒;煅烧温度过高容易形成过薄的片状氧化铝颗粒;适量加入促进剂可以获得大小均匀,外形规则的六角形氧化铝分散颗粒,大小约为1～2 μm,比表面约为2 m2/g.     

微波-超声法制备α-Al_2O_3纳米粉体的研究

通过X-射线衍射、扫描电镜及透射电镜,研究了结合微波-超声的溶胶-凝胶法制备α-Al2O3纳米粉体,并探讨了该制备条件下α-Al2O3晶种的引入对产物相变的影响.结果表明:该法能制备出外观呈球形、粒径分布比较均匀、粒径约15 nm的α-Al2O3,且实验快速、简便;而引入α-Al2O3晶种,能促进θ-Al2O3向α-Al2O3转变,并能有效降低产物相变温度,当引入量为2%时,1 000℃煅烧并恒温2 h的产物全部为α-Al2O3.     

Al/α-Al_2O_3界面结合的从头算理论研究(英文)

在从头算原理的基础上,利用平板模型和晶体堆积规则研究了Al/α-Al2O3界面.考虑了三种典型的界面构型Al(111)/α-Al2O3(0001)、Al(111)/α-Al2O3(1120)和 Al(111)/α-Al2O3(0112),目的是考察Al/Al2O3界面结合的本质.模拟结果与已有的实验符合良好.     

机械合金化AlCuFe 形成准晶体的XAFS 定量分析

为了准确辨别AlCuFe准晶体（QC）形成的相变过程,进而探索其形成机理,采用X射线吸收精细结构（XAFS）定量分析技术,计算不同球磨时间 Al70Cu20Fe10合金中的Cu原子,以及700 ℃退火后的Cu和Fe原子的局域结构参数,并与X射线衍射（XRD）分析进行比对。结果表明,经过不同球磨时间,样品中Al和Cu首先形成Al2Cu金属间化合物,进而转化为Cu9Al4,Fe原子仍然是原来的体心立方(bcc）α-Fe结构。α-Fe与Al和Al2Cu经过退火处理化合为Al7Cu2Fe化合物,进而转变为QC;而长时间球磨产生的Cu9Al4退火后化合为稳定的Al(Cu,Fe)固溶体,不会形成QC。     

烧结工艺对合成莫来石晶相结构的影响

讨论不同烧结温度和保温时间对利用铝厂工业污泥与硅石为原料合成的莫来石材料晶相结构的影响.采用XRD和SEM表征各试样的晶相组成和显微结构.实验结果表明:污泥和硅石经高温煅烧各试样最多存在3Al2O3.2SiO2,Al2O3.SiO2和α-Al2O33种晶相,分析结果确定最佳烧成温度为1 480℃,保温时间为5 h,该条件的合成料中3Al2O3.2SiO2的含量达86.8%.