ε—PH图,ΔG_(电极)—PH图和ΔG_(电池)—PH图的应用

本文用具体实例说明ε—PH图、△G(电极)—PH图和△G(电池)—PH图的某些应用,其结果与E—PH图相吻合。     

一种装饰性彩色电镀工艺

术文提出了一种适用于铜及其合金的无氰装饰性彩色电镀新工艺,经试验筛选获得稳定,无毒的镀液配方。探讨了镀层颜色与镀液温度,镀液PH值及电镀时间的关系.研究了电镀电流密度对镀层保护性能的影响,得出最佳电镀条件是:温度范围25～30℃,PH值范围11.5～12.5,电流密度0.5mAcm~(-2),镀层颜色依时间而定。镀层保护性能良好。     

Ti6Al4V钛合金微弧氧化工艺研究

采用直流稳压电源,选用3种不同PH值的碱性微弧氧化电解液,在Ti6Al4V钛合金表面制备微弧氧化膜层;应用扫描电子显微镜分析微弧氧化膜层形貌特征。结果表明,钛合金微弧氧化膜层表面凹凸不平,带有微米级和亚微米级的孔洞,孔洞周围呈现火山丘状形貌特征;微弧氧化电解液PH值越大,火花放电时间越长;在给定电压条件下,电解液PH值越大,微弧氧化膜层厚度越大。     

金属离子在不同的PH值溶液中生成氢氧化物沉淀问题的探讨

金属离子在不同的PH溶液中发生沉淀问题的探讨.许多年来,人们做了大量的工作,像clifford、忻新泉、杨进元曾对氢氧化物的溶解度提出了不同的经验公式,徐光宪提出了极化理论及(z~2)/r判据方法,邓同舟提出了氧氢化物的沉淀PH范围图以及温元凯周志华的热力学方法计算PKm的方法等等,似乎讨论金属离子在不同的PH值溶液中沉淀的问题上有些不足之处.为什么有的金属离子可以存在于任一PH溶液中不发生沉淀?(如碱金属)而有的金属离子(如矸土金属)只能在溶液PH值很高的情况下才能生成氢氧化物     

超细镍粉的制备

利用氯化镍为前驱体，水合肼为还原剂，氢氧化钠调节溶液的PH值制备镍粉，研究了PH值对粉末纯度的影响，以及镍离子浓度对颗粒度的影响，应用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)对镍粉进行了形貌和结构的表征。     

0.5m邻苯二甲酸氢钾标准缓冲溶液PH值与温度之经验关系式

在运用各种类型的酸度计进行电位分析等工作的过程中,除了对酸度计进行一些机械与电气校正外,常常还要以一种标准的已知PH 值的缓冲溶液对酸度计进行定位工作(称为一点定位)。对某些高精度的PH 值的测量,由于玻璃电极PH～E 的非线性响应关系,需要进行“两点定位”工作,即用两种已知PH 值的标准缓冲溶液对仪器进行定位。但无论是一点定位还是两点定位,考虑温度对定位用的标准缓冲溶液的PH 值的影响都是极其重要的(在低档产品中,由于其精密度的限制,在低温0～20℃里,作这方面的校正,意义不大)。     

Sb—H_2O体系的高温电位—pH图及其应用

根据有关的热力学数据和Criss、Cobble提出的熵对应原理计算了Sb—H_2O体系在100、150、200℃下的电位—pH图。计算结果表明,随温度升高Sb的稳定性区域稍有缩小,特别是在高pH值的部份有同较低电位和较小PH值方向移动的趋势,在SbO_2~-,SbO_3~-区域扩大的同时Sb_2O_3,Sb_2O_5的稳定区域亦缩小。这是由于随温度上升,这些离子稳定性增加的缘故。最后,依照电位—pH图对钢铁表面上Sb涂层的腐蚀与保护条件进行了初步探讨。     

对冀东司家营假象赤铁矿酸性浮选的研究

一、酸性区浮选的提出根据“烷基磺酸钠浮选冀东司家营赤铁矿的作用机理”的研究,提出在不同pH值下烷基磺酸钠与赤铁矿之间的吸附机理,以及与矿物可浮性的关系。如图一、图二所示。从图一看出烷基磺酸钠在不同PH值条件下对赤铁矿的吸附量出现了三个高峰。从图二亦能看出,烷基磺酸钠在不同PH值条件下,     

淀粉—DMDAAC接枝共聚的研究

采用硫酸高铈为引发剂,合成了淀粉接枝DMDAAC(二甲基二烯丙基氯化铵)共聚物。在讨论引发剂浓度、PH值、反应温度对接枝共聚影响的前阶段工作基础上[1],研究淀粉与DMDAAC比、反应物浓度对接枝率和接枝效率的影响,对接枝共聚物进行红外表征,并评价了接枝共聚物的粘土防膨性。     

电沉积法制备Fe—Cr—P非晶合金

本文中以氨基乙酸为络合剂,在铜基上电沉积制取了光亮的Fe-Cr-P合金镀层。X衍射相分析表明,镀层呈非晶态结构。镀层中的Fe、Cr、P含量分别用比色法测定。在非晶态Fe-Cr-P合金电镀过程中,镀液pH值的变化对镀层组成有较大的影响,适宜的pH值范围为1.2～1.8。提高电镀液温度不利于Cr的析出,电镀时阴极过程处于电化学控制区域。     

废水处理中PH值的在线监控系统

根据酸碱滴定曲线本身非线性的特点，提出了分段式非线性变增益PID控制算法，在C Builder中用软件设计了该PID控制器，通过组态软件(King View)和该PID控制器的动态数据交换(DDE)以及可编程控制器(PLC)建立了PH值在线监控系统。通过对带有时滞的PH值中和反应过程进行数字仿真研究，控制结果表明该控制系统具有鲁棒性强、响应速度快和控制精度高的优点。     

氧化还原反应和溶液PH值的关系图解

本文提出了电动势PH图、电极反应的自由能增量PH图和电池反应的自由能增量PH图。可深化教学和定量解决氧化还元反应在水溶液内进行的许多问题,其结果与电势PH图完全吻合。     

关于溶液pH值的计算

有关溶液 PH值的计算 ,各种资料上总结了很多方法 ,例如 :等体积强酸 ( PH1)和强碱 ( PH2 )混合 :1若二者 PH值之和为 14,则溶液呈中性 ,PH =7。2若二者 PH值之和大于 14,则溶液呈碱性。 3若二者 PH值之和小于 14,则溶液呈酸性 ,等等。这些应该说都是很好的经验之谈 ,但我认为 ,若是只把这些规律传授给学生 ,要求学生强记 ,是不会取得好的效果的。因为 :一是记忆量大 ,学生不易记住 ,还容易记错 ,二是 ,没有理解 ,只靠死记 ,不会灵活运用 ,等于无用。在教学生中 ,我常要求学生 ,根据教材 ,理解PH值的意义 ,掌握其本质 ,即溶液中 [H+]…     

用电镀法确定获得Ni-P非晶镀层的条件

本文讨论了在选择适当电镀液的基础上,改变镀液的PH值、温度、阴极电流密度等不同条件获得Ni—P非晶态镀层,并测定镀层中含磷量、阴极电流效率以及分析镀层结构确定获得Ni—P非晶态镀层的最佳条件。     

纤维素强阴离子交换剂对Cr（Ⅵ）的吸附性能

利用农副产品废弃物麦秆，荞麦皮、锯末，稻壳中的纤维素制备纤维素强阴离子交换剂，用静态方法测定了它们对模拟电镀废水中Cr(Ⅵ）的去除率，讨论了离子交换剂的用量，离子交换时间，PH值对Cr(Ⅵ）的去除率的影响，结果表明，离子交换剂的用量为0．3克，离子交换时间为30min;PH值为2．5－3．5，对Cr(Ⅵ）的去除率可达99．5％以上，用动态方法测定了阴离子交换剂对Cr(Ⅵ）的饱和吸附容量，用ω（NaOH)为8％的溶液解吸再生，再生率可达90％以上，该类纤维素强阴离子交换剂，特别是麦秆纤维素强阴离子交换剂对Cr(Ⅵ）有良好的吸附能力，吸附容量可达76．4mg.g^-1，是一种较好的吸附材料。     

溴元素的歧化反应与溶液PH值的关系

溴元素的歧化反应与溶液PH值有关，文中试从PH-E图象角度加以讨论，从PH-E图可直观地着出在各种PH值条件下溴的歧化反应情况。     

短电弧加工参数对钛合金TC4加工特性的影响研究

为研究钛合金TC4的加工特性,采用短电弧加工系统对钛合金TC4进行加工试验,确定短电弧加工参数对钛合金材料去除速率与加工表面质量的影响,在相同的加工条件下与不锈钢PH17-4试件进行了对比。采用正交试验确定影响加工表面质量的主次因素和最佳电加工参数,同时对电弧加工后的钛合金材料表面层进行了检测及分析。结果表明:短电弧加工钛合金TC4时,当放电间隙减小和电源电压增大时,金属材料的去除速率增大,加工效率提高,但工件的表面质量降低;当工件转速提高时,工件表面粗糙度值变化不明显,但材料去除速率增大;相同的加工条件下,其去除速率与表面质量均略低于不锈钢。影响钛合金TC4加工表面粗糙度的因素主次顺序为电源电压>放电间隙>主轴转速,最优加工方案为放电间隙0.3 mm,主轴转速118 r/min,电源电压10 V。加工后的钛合金材料表面层的机械性能及金相组织基本稳定,过热层厚度及硬度变化不明显,对后续的精加工不会造成困难,这为短电弧加工技术在钛合金材料加工方面的应用提供了一定的理论依据。     

浅析电位—PH图的应用

某整氧化还原反应不能在PH为0—14时发生,电位—PH图能解决这些困难,并可利用它阐述和选择最佳生产工艺条件。     

阳离子染料染色废水处理的研究——CaO_2—生物接触氧化法

本文对 CaO_2氧化一生物接触氧化法处理阳离子桃红 FG 和艳蓝 RL 染色废水进行了研究。试验结果表明,CaO_2的氧化速度和效果与废水的 PH 值和亚铁离子投加量有关。本实验体系中,最佳 pH 值为2.6;[Fe~(2+)]/[CaO_2]之比以1/(10)为宜。生物接触氧化时间为3小时。CODer 去除率55%,色度去除率高于98%。     

高蛋白优质面包冬小麦新品种PH82—2—2

PH82—2—2是利用遗传和生理生化育种相结合的技术培育而成的我国第一个量质兼顾型面包冬小麦新品种。该品种由西北植物所的长穗偃麦草与普通小麦杂交的F_3代材料,经~(60)CO辐射后,多年定向系统选育而成。特点:①营养品质优良。该品种1986～1992年连续多点测定,籽粒容重830克,蛋白质含量16.7％(干基),赖氨酸0.36％,湿面筋38.3—45％,沉淀值54.5ml。种植PH82—