Be等电子序列高激发态结构（J=0,1,2,偶宇称）

本文应用本征通道量子亏损理论系统地研究了Ｊ＝０，１，２偶宇称Ｂｅ等电子序列的高激发态结构，得到了描述高激发态结构的ＥＱＤＴ基本参量以及它们随有效核电荷数增大的变化规律，以这些参量作为输入，获得了类Ｂｅ体系２ｓｎｓ，２ｓｎｄ和２ｐｎｐ组态的全部Ｒｙｄｂｅｒｇ能级及混合系数，计算结果表明，在高激发态，我们的理论结果与实验值相对误差在１０＾－５左右。     

类氖原子体系的高激发态（偶宇称）

在计及自旋－轨道相互作用和组态相互作用条件下，用本征通道量子亏损理论（ＥＱＤＴ）方法系统地计算了氖等电子序列（从ＮｅＩ到ＣａＸＩ）偶宇称的高激发态结构，所得结果与已有的实验数据符合得很好。     

2-叔丁基-9,10-二（三苯基乙烯基-4-苯基）蒽的电子结构和光谱性质的理论计算

蒽类化合物作为有机电致发光材料具有刚性结构、宽能隙和高荧光量子效率等优点,近年来引起了人们的广泛关注.本文通过量子化学计算系统的研究了一种新型的蒽类蓝光发光材料--2-叔丁基-9,10-二(三苯基乙烯基-4-苯基)蒽(TPVAn)的光学和电子结构性质.计算结果表明,TPVAn分子具有三维的非平面分子结构,这种结构可以降低分子间的相互作用以及激基缔合物的形成.电子的激发导致TPVAn分子中心蒽中各键键长发生变化.吸收光谱和发射光谱的理论计算值和实验值符合较好,分别为328.34 nm和453.15 mn,并且该分子荧光寿命较长,为15.9094 ns.在电致发光器件应用上,TPVAn分子是一种具有开发前景和实用价值的蓝光发光材料.     

关于有限温SU（3）格点规范理论相结构问题的研究

应用变分累积层开方法研究SU（3）格点规范理论相结构，对有限温各向同性和异性SU（3）格点规范模型的Polyakov线，计算到第三线，结果表明：当维数D≥3时有层相存在，且在高温下夸克是解禁的。