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本文阐述了采用微机控制的半导体激光器可靠性数据处理系统的硬件和软件设计考虑,在硬件上,以通用的12位微机过程控制接口板为主,设计出电导数、热阻和光功率测量板,数字温控板,多管巡回检测接口。软件采用汇编语言和QUICK-BASIC语言混合编程,以在完成复杂的数据处理的同时提高了数据采集和处理速度,因而获得了比较精确的可靠性数据和较强的图形功能。 相似文献
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本文从半导体激光器的速率方程组出发,分析了半导体激光器端面反射率的变化对其输出光功率的关系。数值计算表明,在对半导体激光器端面反射率进行优化后,能够获得最佳输出功率。此外,还分析了端面反射率优化后对半导体激光器微分功率特性的影响。 相似文献
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大功率半导体激光器,有一个很重要的问题就是散热问题.为了制作出高质量的半导体激光器,我们必须做好激光器材料选取与结构设计。本文综合考虑半导体激光器材料与特征温度影响因素的关系,择优选取AlInGaAs四元系统作为有源区材料,从而设计出AlInGaAs/AlGaAs,/GaAs应变量子阱激光器,20~40℃时T0值可达到200K,最低阈值电流密度为126A/cm^2。 相似文献
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对半导体激光器短电脉冲调制增益开关法产生皮秒光脉冲动力学过程进行理论分析和实验研究,基于单模数率方程,采用相图(Phase Portraits)法分析激光器激射皮秒光脉冲时载流子浓度和光子密度变化的对应关系。探讨直流参数、调制脉冲参数和器件寄生参量等对产生皮秒光脉冲的影响,在此基础上,研究InGaAsP/InP激光器短电脉冲调制产生单发激光脉冲最佳的实验条件。 相似文献
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半导体激光器的发展迅速,以其独特的性能及优点获得了广泛的应用,本文简略地回顾了各种半导体激光器的原理、结构、进展及其在激光光谱学中的主要应用,给出利用垂直腔面发射激光器得到的氧气的吸收光谱。 相似文献
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808nm大功率半导体激光器的低频电噪声 总被引:2,自引:0,他引:2
对808nm大功率半导体激光器的低频电噪声进行测试,给出哭喊件电噪声与频率、注入电流之间关系,讨论噪声与电、光导数之间的关系。结果表明,808nm大功率半导体激光器的电器材怕在低频段主要1/f噪工在阈值附近有最大值。 相似文献
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根据半导体激光器对注入电流的稳定性要求高和对电冲击的承受能力差等特性,对其驱动电路进行了设计。针对具体的980 nm泵浦激光器,采用负电源模拟电路方案,研制了包含慢启动和功率稳定功能的驱动电路,其输出驱动电流稳定度达到2×10-4,应用于激光器后得到了小于4‰的光功率稳定度。 相似文献
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研究正弦电流直接调制下,单纵模半导体激光器在外部物体的反馈作用时产生的自混合效应,利用这种自混合效应,对静止物体的距离进行非接触性的,测量,通过设定一参考距离,比较靶体与基准点处的拍频信号的最大频率值,简化了测量步骤,分析测量误差与调制电流大小的关系,进而确定短距离的最佳实验条件。 相似文献
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本文采用波长都是808nm,有源层分别是AlInGaAs和AlGaAs不同材料的两种激光器,针对其热特性做了对比实验.结果发现AlInGaAs应变量子阱激光器在斜率效率、阈值电流、特征温度等方面随温度变化的特性都优于AlGaAs激光器.在20℃时,特征温度可达到200K,阈值电流380mA,而且AlInGaAs激光器的寿命也高于AlGaAs激光器,最大寿命达4000h,这为改善半导体激光器热特性提供了有利依据,也拓宽了808nm激光材料的选择范围. 相似文献
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外腔半导体激光器调谐输出双稳环跳变幅度的变化 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了强反馈条件下光栅调谐外腔半导体激光器(ECLD)的双稳特性,利用求得的载流子-频率(N-v)曲线上的双稳环跳变点处的载流子密度的解析表达式,分析了ECLD几个关键参量对载流子密度跳变幅度的影响。 相似文献
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电力系统电压稳定与电压崩溃及负荷稳定的关系 总被引:1,自引:0,他引:1
电力系统的电压失稳、电压崩主负荷失稳是电压稳定问题中最基本的最要概念,它们发即相互联系又有本质区别,正确和客观地认识它们之间的相互关系,对深入研究电压稳定问题的机理具有重要意义,负荷稳定必理电力系统电压稳定性的最主要和最关键的方面,分析了负荷对静肪电压稳定性的影响时,负荷特性应当采用准静态功率一电压特性。 相似文献
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本文给出了一种利用积分运放按一定速率产生自动线性增长的电压VH(t)对气敏电阻热丝加热,同时用函数记录仪描绘其工作电流Ig随VH(t)的变化曲线的测量方法。 相似文献