稀土硅化物的制备及红外吸收光谱

报导了由射频溅射制备稀土硅化物薄膜，样品的红外吸收光谱中，在８６５ｃｍ＾－１有一个强吸收峰，而在４６２ｃｍ＾－１有一个弱吸收峰。样品进行了高温退火后，强吸收峰基本没有变化，而弱吸收峰随退火温度的升高而增强，我们认为强吸收峰是ＹＳｉ２的键振动吸收，而弱峰是ＹＳｉ的键振吸收。     

用新型核技术——沟道离子束合成法研制稀土硅化物

新型核技术－沟道离子束合法，在研制稀土金属硅化物的过程中被发展和采用，沟道离子合成法比传统的注入方法有很多优点，背散射沟道分析，电镜分析和Ｘ射线衍射测试结果表明，生成的稀土硅化物具有很好的结晶品质和很高的相稳定性。     

难熔金属及硅化物薄膜制备技术研究

本文对难熔金属及其硅化物的形成，特性进行了研究。     

难熔金属及硅化物薄膜制备技术研究

本文对难熔金属及其硅化物的形成、特性进行了研究．主要对难熔金属Mo、难熔金属硅化物TiSi2、PtSi2等进行了探讨．采用溅射难熔金属、热硅化反应的手段，对解决VLSI工艺的某些问题，如：解决由于MOS电路图形尺寸缩小带来的概电阻增大的问题以及采用硅化物（如PtSi2）一阻挡层（W、MO、Ti等）一Al多层金属布线、解决欧姆接触和铝的电迁移问题起了极好的作用．     

难熔金属及硅化物薄膜制备技术研究

本文对难熔金属及其硅化物的形成，特性进行了研究。主要对难熔金属Ｍｏ、难熔金属硅化物ＴｉＳｉ，ＰｔＳｉ２等进行了探讨，采用溅射难熔金属，热硅化反应的手段，对解决ＶＬＳＩ工艺的某些问题，如：解决由于ＭＯＳ电路图形尺寸缩小带来的栅电阻增大的问题以及采用硅化物－阻挡层－Ａｌ多层金属布线，解决欧姆接触和铝的电迁移问题起了极好的作用。     

丙酮酸稀土化合物的红外光谱研究

本文研究了 Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho 十种丙酮酸稀土化合物的 FT-IR 光谱,对400-2000cm~(-1)的主要红外吸收谱峰进行了归属.400-200cm~(-1)有三个随稀土原子序数递增峰位向高频率位移的谱带,指认为M-O 伸缩振动吸收峰。它们的红外光谱表明,丙酮酸以酸根形式采用螯合桥式三齿方式配位,并且某些谱峰有裂分或拓宽现象。配位键以离子键成分为主。     

水合稀土碳酸盐的红外光谱

以碳酸氢铵为沉淀剂合成了十五种稀土碳酸盐晶体。化学分析的结果表明,轻稀土碳酸盐（镧、铈、镨、钕）为八水合正碳酸盐;部分中重稀土碳酸盐（钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、钇）为低水合正碳酸盐;重稀土铥、镱、镥的碳酸盐为碱式盐或碳酸氧化物。红外吸收光谱分析的结果表明,碳酸根离子的非简并振动吸收的频率y2和y8发生了分裂,有六个以上的振动吸收峰,这说明稀土碳酸盐晶胞中存在着非等价的碳酸根离子,即双齿配位与单齿配位的碳酸根。     

PVAc-稀土配合物的红外光谱研究

以聚醋酸乙烯酯(PVAc)为配体,分别与稀土三氯化物LnCl3(Ln=Y、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Er、Tm、Yb)在四氢呋喃中进行配位反应,合成了11种聚醋酸乙烯酯稀土配合物[用通式PVAc-Ln(III)表示],用傅立叶变换红外光谱仪在4 000~400 cm-1范围对PVAc-Ln(III)进行红外光谱测试,对各个谱图中主要吸收峰作了经验归属及对比分析。结果表明:稀土离子与PVAc配位后,CH3COO中羰基的特征吸收峰vC=O向高波数方向移动2~12 cm-1,而酯基C-O的吸收峰vC-O向低波数方向移动2~8 cm-1,且峰的强度发生较大的变化.PVAc分子中CH3COO酯基氧提供电子与金属离子形成配位键,且溶剂四氢呋喃参与了配位.     

改性钛酸锶陶瓷电容器

采用溶胶凝胶法在一定条件下合成组成为0．91SrTiO_3＋0．09（Bi_2O_3·3TiO_2）的高纯、超细陶瓷粉料。该粉料添加PbO．Li_2O,Cs_2O等物质．可制成高质量改性SrTiO_3电容器材料。用此法制备的电容器材料可大大地降低合成温度，经改性后可使其烧结温度展宽，并具有较为理想的介电常数和介电损牦。     

BaTiO3陶瓷的击穿与电容器的耐压

介绍了ＢａＴｉＯ３陶瓷介质的极化机理，说明在居里温度以上和居里温度以下发生电击穿的部位是不同的，并用此理论解释了陶瓷材料的制造工艺，特别是烧成条件对直流耐压有较大影响的原因，此外还阐述了添加剂，粘合剂及其用量以及瓷料中针孔的产生，加工缺陷等对耐压的影响。     

计算机智能化在SrTiO_3系电容─压敏陶瓷制备中的应用

将计算机的智能系统应用于电容－压敏材料的研制．提出了对ＳｒＴｉＯ３系电容－压敏陶瓷的制备进行智能化设计的思想和实施方案．在大量实验数据的基础上，建立了数据库和智能设计系统．对电容－压敏陶瓷进行了优化设计，通过实践，证实了优化设计系统的可行性     

LiNbO3基片溶液成分测试声传感器

利用准纵波模式在 Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ 基片上制作了能有效地检测溶液成分的实验性声传感器．准纵波模式的优点是声波速度快,波长长,声波能量能透入基片深处,因此可以从基片背面检测液体,简化了通常 Ｓ Ａ Ｗ 传感器复杂的封装结构,有利于实用化．     

陶瓷材料的发展和纳米陶瓷

介绍了陶瓷的发展史，以及从纳米粉末的制备，烧结及纳米陶瓷性能的发展过程。     

Y_2O_3-CeO_2复合稳定剂及ZTA陶瓷材料物理及力学性能的影响

本文针对Y_2O_3或CeO_2单一稳定剂稳定ZTA(Y-ZTA或Ce-ZTA)陶瓷材料对某种性能的偏向即Y-ZTA强度高、韧性偏低,Ce-ZTA韧性高,但强度偏低,研究了Y_2O_3-CeO_2复合稳定剂复合稳定ZTA(Y-Ce-ZTA)陶瓷材料的物理及力学性能。实验结果表明:采用Y_2O_3、CeO_2复合稳定ZTA可降低晶粒尺寸;稳定四方相结构;减少材料残余微裂纹,提高其密度,从而提高了材料的硬度和强度。Y-Ce-ZTA材料的相对密度≥99％;σ-b≥740MPa;Hv≥18GPa,与Y-ZTA,Ce-ZTA相比,Y-Ce-ZTA具有良好的综合机械性能。     

某些介电纯溶剂的制备方法

本文主要介绍了几种常用溶剂的纯化方法以及对选用这些溶剂的要求。     

均质超细掺Ca W Co Mn改性PbTiO_3陶瓷粉料的研制

报道了用化学共沉淀法制备掺Ca,W,Co,Mn改性PbTiO_3陶瓷粉料的技术.制得的粉料粒度小于0.05μm,纯度99.9％,添加元素均已定量掺入.     

聚醋酸乙烯乳液的改性研究

本文研究了为提高聚醋酸乙烯乳液稳定性、耐水性和耐寒性而进行改性的多元共聚乳液的制备和工艺合成方法。     

场控变阻材料在高压陶瓷电容器边缘电场改善中的应用

利用场控变阻材料电阻率随电场变化的特点，改善留边型平板高压陶瓷电容器电极边缘的电场，可以大幅度提高陶瓷电容器的性能，探讨了ＰｂＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２系玻璃加入掺杂ＺｎＯ制成的半导体玻璃釉对陶瓷电容器电击穿强度，充放电寿命的影响，通过配方，工艺、电极结构的优化可以使留边型高压陶瓷电容器的击穿强度提高８０％以上，充放电寿命提高了１０倍以上，并与具有类似场控变阻性能的半导体漆作了对比。