首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到10条相似文献,搜索用时 218 毫秒
1.
本文采用热分析法重新测定了Na_3AlF_6-Al_2O_3二元系部分液相线,验证该系为一简单共晶体系,在共晶点处,含Al_2O_311%(wt),共晶温度为961±1℃,在此基础上讨论了Al_2O_3在冰晶石中的溶解机理,认为Al_2O_3在熔融Na_3AlF_6的溶解过程是Al_2O_3中的O~(2-)与Na_(?)AlF_6中的F~-的置换过程,最后在熔体中形成了Al_xO_yF_z~(n-)新离子,在Na_3AlF_6-Al_2O_3系亚共晶区中只有AlOF_5~(4-)新离子生成,而在过共晶区中随着Al_2O_3的浓度不同,熔体中出现AlOF_5~(4-),AlO_2F_4~(5-),AlO_3F_3~(6-),AlO_4F_2~(7-),Al_2O_5F~(8-)及AlO_9~(12-)等新离子。  相似文献   

2.
本文介绍了使用交流双电桥测定熔渣电导率的装置和原理以及基于电阻差值计算的方法,测定了炉渣(50%CaO·40%SiO_2·10%Al_2O_3)结果表明此法简单可靠,并且用该装置和方法测定了在((1.5-4.5)%Al_2O_3·(2-7)%AlF_3·(1-5)%MgF_2·(1-5)%LiF·3%CaO其余是Na_3AlF_6)以及在温度930℃—980℃范围内一系列熔盐的电导率值,求出了电导率与温度及其成份的经验关系式。  相似文献   

3.
采用化学沉淀法制备了ZrO_2、Al_2O_3与ZrO_2-Al_2O_3材料,利用X射线衍射分析考察了焙烧温度对材料的结构性能的影响;利用ZXF-6型自动吸附仪分析了ZrO_2与Al_2O_3之间的相互作用对织构性能的影响;利用氨气程序升温脱附测试了各材料酸性位和酸量大小及其变化.结果表明,ZrO_2和Al_2O_3之间的相互作用对结构性能和织构都有稳定作用,1 000℃高温老化后的ZrO_2-Al_2O_3以四方相的ZrO_2和γ-Al_2O_3两种物相存在,比表面积为88 m2/g,孔容为0. 22 m L/g,孔径为9. 8 nm,属于纳米介孔材料.新鲜材料表面酸性大小排列顺序为,ZrO_2Al_2O_3ZrO_2-Al_2O_3,老化后的ZrO_2-Al_2O_3表面酸性不稳定,有待继续改进.  相似文献   

4.
利用ZrO_2(+MgO)固体电解质组成氧桥式浓差电池并测得了在不同温度与熔体组成的电池的电动势。由电动势数据进一步求出了熔体中CeO_2活度与各种因素关系的回归方程。讨论了各因素对CeO_2活度的影响。指出CeO_2活度随熔体中CeO_2和Al_2O_3含量的增加而加大,随温度升高略有减小,冰晶石比对它的影响不大。为考查各因素的交互作用,绘制了CeO_2活度的等值图。  相似文献   

5.
Metal Sm has been widely used in making Al–Sm magnet alloy materials. Conventional distillation technology to produce Sm has the disadvantages of low productivity, high costs, and pollution generation. The objective of this study was to develop a molten salt electrolyte system to produce Al–Sm alloy directly, with focus on the electrical conductivity and optimal operating conditions to minimize the energy consumption. The continuously varying cell constant(CVCC) technique was used to measure the conductivity for the Na_3 AlF_6–AlF_3–LiF–MgF_2–Al_2O_3–Sm_2O_3 electrolysis medium in the temperature range from 905 to 1055°C. The temperature(t) and the addition of Al_2O_3(W(Al_2O_3)), Sm_2O_3(W(Sm_2O_3)), and a combination of Al_2O_3 and Sm_2O_3 into the basic fluoride system were examined with respect to their effects on the conductivity(κ) and activation energy. The experimental results showed that the molten electrolyte conductivity increases with increasing temperature(t) and decreases with the addition of Al_2O_3 or Sm_2O_3 or both. We concluded that the optimal operation conditions for Al–Sm intermediate alloy production in the Na_3 AlF_6–AlF_3–LiF–MgF_2–Al_2O_3–Sm_2O_3 system are W(Al_2O_3) + W(Sm_2O_3) = 3wt%, W(Al_2O_3):W(Sm_2O_3) = 7:3, and a temperature of 965 to 995°C, which results in satisfactory conductivity, low fluoride evaporation losses, and low energy consumption.  相似文献   

6.
二氧化锆增韧三氧化二铝陶瓷的显微结构与性能的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文对ZrO_2增韧Al_2O_3陶瓷的7种成分(ZrO_2含量分别为0、5、10、15、20、3045wt%,其中Y_2O_3为3mol%)进行了对比性研究。试验表明:在所研究的Al_2O_3-ZrO_2(Y_2O_3)系陶瓷中,在Al_2O_3中加入ZrO_2(Y_2O_3)可以有效地提高其强韧性,并在15-20wt%ZrO_2时出现峰值;几种增韧机理中显微裂纹增韧起主导作用;在Al_2O_3-ZrO_2系中,ZrO_2的加入可以明显阻止Al_2O_3基体相的晶粒长大;在Al_2O_3基体中,ZrO_2粒子的分散有两种形态,其形成机理也不同。  相似文献   

7.
采用差热分析(DTA)和淬冷技术,结合X衍射(XRD)及偏光显微镜物相分析,系统地研究了Na_3AlF_6-AIF_3二元系相图,结果表明该二元系含有亚冰晶石(Na_5Al_3F_(14))与单冰晶石(NaAlF_4)两个非同分化合物,前者是Na_3AlF_6与液相735℃下的包晶产物;后者是AlF_3与液相707℃下的包晶产物,仅在550—707℃温度范围内存在。Na_5Al_3F_(14)与NaAlF_4在37.5wt%AlF_3处形成共晶,共晶温度690℃。  相似文献   

8.
本文利用固体电解质ZrO_2(+MgO)作为氧离子导体组成浓差电池,测其电动势,求出了熔体中氧化镧活度(a_(La_2O_3))与各因素关系的回归方程。文中还讨论了各因素对a_(La_2O_3)的影响,并绘出了氧化镧的等活度曲线图。最后,利用Monte-Carlo方法解定积分求出了 Al_2O_3 的活度。氧化铝的活度随氧化镧浓度的增加而增大。  相似文献   

9.
本文探讨了Al_2O_3掺杂对立方ZrO_2材料电性能和抗热震性的影响.试验中,用X射线衍射分析和扫描电镜观察发现:立方ZrO_2材料的电导率随Al_2O_3含量的增加而下降,但不改变其离子导电的机制;Al_2O_3明显地改善了材料的抗热震性.文中对于这些性能变化的微观机制作了初步分析.  相似文献   

10.
采用挤条法制备了一系列以Al_2O_3为黏结剂的Pt-WO3/ZrO2/Al_2O_3(PtWZA)催化剂,在微型固定床装置上评价了正庚烷在PtWZA上的异构化性能。主要考察了黏结剂Al_2O_3质量分数、WO3质量分数和焙烧温度对PtWZA催化剂物化性质和异构化性能的影响,并采用XRD、氮气吸附-脱附、Py-FTIR等手段对催化剂的晶相结构、比表面积和酸性进行了表征。结果表明:Al_2O_3的引入明显影响催化剂的异构化活性,且对活性的影响不仅与Al_2O_3质量分数有关,而且与WO3质量分数也紧密相关。对于含较低WO3质量分数的Pt15WZA而言,添加少量Al_2O_3(质量分数为2%)导致催化活性大幅度提高;而WO3质量分数提高到20%时,添加质量分数为2%的Al_2O_3对Pt20WZA的活性影响不大。当Al_2O_3的质量分数提高到15%时,Pt15WZA与Pt20WZA的活性大大下降。提高WO3质量分数显著提高了PtWZ15A的异构化活性。升高焙烧温度有利于提高Pt20WZ10A催化剂活性,过高的焙烧温度导致催化剂活性大幅度下降,较为适宜的温度为800~850℃。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号