利用电子顺磁共振对掺Mn刚玉晶体中子辐照变价的研究

测量并对比了掺Ｍｎ刚玉晶体在中子辐照及退火处理前后的电子顺磁共振（ＥＰＲ）谱，结合紫外－可见光吸收谱的结果，发现Ｍｎ２＋和Ｍｎ４＋的浓度降低，而Ｍｎ３＋浓度增加，虽然Ｍｎ离子的掺杂浓度并无改变，但其价态由于中子辐照而引起了改变．实验结果还表明，中子辐照可在晶体内形成Ｍｎ２＋与Ｆ－心的复合体，但退火后则有一部分转化为Ｍｎ２＋与Ｆ心的复合体．     

CaO和YAG中掺杂Fe^3＋,Mn^2＋离子的零场分裂

本文采用Ｆｅ＾３＋和Ｍｎ＾２＋离子的ＳＣＦ－ｄ轨道理论，通过分析杂质离子引起晶体中局域结构的变化，研究了晶体ＣａＯ和ＹＡＧ中掺杂Ｆｅ＾３＋和Ｍｎ＾２＋离子的零场分鲜明立方分量α和三角分量，合理地解决了在同一种晶体中掺杂Ｆｅ＾３＋离子的零场分裂比Ｍｎ＾２＋离子的大，有时甚至大１个数量级的疑惑。     

Mn^2＋离子在LiNbO3晶体中的占位研究

本文采用晶场叠加模型和应用高阶微扰公式计算了＾６Ｓ态离子在三角晶场中的零场分裂参量Ｄ、ａ－Ｆ。研究表明，ＬｉＮｂＯ３：Ｍｎ＾２＋晶体中Ｍｎ＾２＋离子占Ｌｉ＾＋位，并且在Ｃｏｎｇｒｕｅｎｔ ＬｉＮｂＯ３晶体中Ｍｎ＾２＋沿Ｃ３轴向八面体中心移动约０．１Ａ。本文结论与ＥＮＤＯＲ研究一致。     

硅二极管脉冲中子辐照效应的研究

对加固Ｐ＾＋ｎｎ＾＋高压整流二极管进行了脉冲中子辐照和热中子辐照。ＤＬＴＳ测量表明，脉冲中子辐照（Φｎ＝８．６×１０＾１３ｎ／ｃｍ＾２）在硅中引入的缺陷主要是双空位Ｅ４和Ｅ２缺陷，氧空位和双空位Ｅ２（Ｖ＾＝２）缺陷强度很低。氧空位密度的降低可归因于辐照缺陷的衰减和再构。脉冲中子辐照引起Ｆｒｅｎｋｅｌ对成份的增加，增加的空位密度致使复杂络合物，例如（Ｏ＋Ｖ２）或（Ｏ＋Ｖ３）缺陷的有效产生。实验结果还     

非晶合金FeNiMoSiB的快中子辐照效应研究

本文报道了低注量（１０＾４ｎ／ｃｍ＾２）快中子（１４ＭｅＶ）辐照非晶合金Ｆｅ３９Ｎｉ３９Ｍｏ４Ｓｉ１２Ｂ６的差动热分析（ＤＳＣ）和穆斯堡尔谱的研究结果，并讨论了中子辐射对其微观结构的影响。     

MnF2吸收光谱的理论解释

通过对Ｍｎ＾２＋的实验值进行半经验的拟合,得到了它的３ｄ电子波函数,并利用晶体场理论中的点电荷模型,计算也ＭｎＦ２晶体的吸收光谱,计算结果与实验值吻合很好。     

LiTaO3：Fe^3＋（Mn^2＋）的EPR参量D与局域结构的研究

用晶体场理论研究了ＬｉＴａＯ３：Ｆｅ＾３＋（Ｍｎ＾２＋）的ＥＰＲ参量Ｄ和掺杂晶体局域结构间的内在联系,计算值与实验值符合较好。结果表明,ＬｉＴａＯ３：Ｍｎ＾２＋局域结构的畸变程度大于ＬｉＴａＯ３：Ｆｅ＾３＋。     

阿霉素的荧光测定研究

提出荧光法测定阿霉素的新方法。阿霉素在硫酸介质中发生脱水反应生成强荧光的脱水物，反应产物荧光强度在７．３×１０＾－１０～２．２×１０＾－８ｍｏｌ／Ｌ浓度范围与阿霉素含量成正比，检出限为２．１×１０＾－１０ｍｏｌ／Ｌ。用于测定血清和尿液中阿霉素的回收率分别为８９％～９５％和９６％～１０１％，体液中常见金属离子，如Ｆｅ＾３＋、Ｃｕ＾２＋、Ｍｇ＾２＋、Ｃａ＾２＋、Ｍｎ＾２＋等，不干扰测定结果。     

在硝酸介质中PbO2氧化Mn^2＋的产物

研究了在硝酸介质中，Ｍｎ＾２＋被ＰｂＯ２氧化的产物。实验结果表明：氧化产物与ＰｂＯ２的用量和Ｍｎ＾２＋的浓度有关；在Ｍｎ＾２＋浓度较低时，反应产物与硝酸的浓度无关。     

CBHe^n＋（n=0,1,2）元素簇合物的量子化学研究

用ａｂ ｉｎｉｔｉｏ研究了元素簇合物ＣＢＨｅ＾ｎ＋（ｎ＝０，１，２）基态的三种平衡几何构型，即线型Ｃ－Ｂ－Ｈｅ＾ｎ＋，Ｂ－Ｃ－Ｈｅ＾ｎ＋和Ｔ型ＣＢＨｅ（Ｔ）＾ｎ＋，讨论了其成键性质，势能曲线和稳定性。计算中采用了６－３１Ｇ＊＊，６－３１１Ｇ＊＊和６－３１１Ｇ（３ｄｆ，２ｐｄ）基组。所采用的方法有ＭＰ２（ＦＵＬＬ），ＭＰ４（ＳＤＴＱ）和ＳＴ４ＣＣＤ。研究结果表明，在元素簇合物ＣＢＨｅ＾ｎ＋中，Ｈｅ与     

LiF：Co^2＋和NaF：Co^2＋晶格中的Co^2＋—F^—键长

本文从光谱数据出发，用参量化的ｄ轨道理论确定了ＬｉＦ：Ｃｏ＾２＋和ＮａＦ：Ｃｏ＾２＋晶体中的Ｃｏ＾２＋－Ｆ键长，结果表明：ＬｉＦ：Ｃｏ＾２＋中，Ｃｏ＾２＋－Ｆ键长基本与未掺杂ＬｉＦ晶体中的Ｌｉ－Ｆ距离相同；而ＮａＦ：Ｃｏ＾２＋中的Ｃｏ＾２＋－Ｆ键长很大收缩，完全不同于未掺杂ＮａＦ晶格中的Ｎａ－Ｆ键长，从杂质离子半径与被取代离子半径的差别引起的局域畸变及静电平衡机制引起局域畸变出发进行的讨论表明，所     

硅二极菅脉冲中子辐照效应的研究

对加固Ｐ＋ｎｎ＋高压整流二极营进行了脉冲中子辐照和热中子辐照。ＤＬＴＳ测量表明，脉冲中子辐照（Φｎ＝８．６×１０１３ｎ／ｃｍ２）在硅中引入的缺陷主要是双空位Ｅ４和Ｅ３缺陷，氧空位和双空位缺陷强度很低。氧空位密度的降低可归因于辐照缺陷的衰减和再构。脉冲中子辐照引起Ｆｒｅｎｋｅｌ对成份的增加，增加的空位密度致使复杂络合物，例如（Ｏ十Ｖ２）或（Ｏ十Ｖ３）缺陷的有效产生。实验结果还表明，该类器件具有良好的耐辐照特性。文中还对退火特性进行了讨论。退火使氧空位和双空位Ｅ２增加，这可能是Ｖ２Ｏ、Ｖ３Ｏ分解所致。     

29—1100keV能区^98Mo（m,γ）^99Mo反应截面的测量

在２．５ＭＶ静电加速器上，利用活化法相对于＾１９７Ａｕ的中子俘获截面，在２９－１１００ｋｅＶ中子能区测量了＾９８Ｍｏ（ｎ，γ）＾９９Ｍｏ的反应高，并将测量结果与已有数据进行了比较。     

J（n,k）^（1^l,2^l...,m^l）的决定

设（Ｚ２）＾ｋ作用于光滑闭流形Ｍ＾ｎ，作用的不动点集Ｆ是Ｍ＾ｎ的（ｎ－ｌｉ）维闭子流形Ｆ＾ｎ－ｌｉ的不交并∪ｉ＾ｍ＝１Ｆｉ＾ｎ－ｉ。设Ｊ（ｎ，ｋ）＾（１＾１，２＾１．．．，ｍ＾１）是具有上述性质的未定向的ｎ维上协边类〖Ｍ＾ｎ〗构成的集合。决定了一些群Ｊ（ｎ，ｋ）＾（１＾１，２＾１．．．，ｍ＾１）。     

乙酰基二茂铁2,6——吡啶二甲酰基腙与Pb^2＋,Cu^2＋,Cd^2＋,Co^2＋,Ni^2＋的...

以合成的一种新化合物乙酰基二藏铁２，６－吡啶二甲酰基腙（Ｈ２Ｌ）为配体，在无水乙醇中制备了五种金属醋酸盐的配合物，通过元素分析、红外光谱、紫外－可见光谱和摩尔电导对配合物进行了表征，结果表明，配合物的组成为Ｍ２Ｌ（ＯＡｃ）２．ｎＨ２Ｏ（Ｍ＝Ｐｂ＾２＋，Ｃｕ＾２＋，Ｃｄ＾２＋，Ｃｏ＾２＋，Ｎｉ＾２＋，ｎ＝４，６），配体在配合物中以烯醇式参与配位，所有的配合物在ＤＭＦ中均为非电解质。     

锗硅酸盐中Mn^2＋的发光性质研究

合成了组成的为（Ｚｎ，Ｍｇ）２（Ｓｉ，Ｇｅ）Ｏ４：Ｍｎ＾２＋的绿色荧光材料，在紫外光激发下有较强的５３２ｎｍ发射。低浓度镁能增强５３２ｎｍ发射，高浓度镁却能抑制５３２ｎｍ发射，而增强６３１ｎｍ红光发射。探讨了Ｍｎ＾２＋的发光性质与基质的晶体结构及组成的关系，计算了Ｍｎ＾２＋离子能级和晶体场参数。     

用光谱和电子顺磁共振测量值来确定顺磁离子在晶体中的局部结构(英文)

推导了３ｄ５离子在Ｏｈ对称强场图象下包括Ｔｒｅｅｓ和Ｒａｃａｈ修正的全晶体场和自旋－轨道作用矩阵，并将该矩阵应用于ＫＭｇＦ３：Ｍｎ２＋和ＫＺｎＦ３：Ｍｎ２＋．计算结果支持用吸收光谱和电子顺磁共振测量数据确定局部结构，也支持一个近似等价的ＳＣＦ－ＭＯ模型计算．另外，作为一种予测，由ＣｓＣａＦ３：Ｍｎ２＋的光谱算得电子顺磁共振参量为ａ＝４．４７×１０４ｃｍ－１．     

用^90Zr（n,2n）^89m＋gZr和^93Nb（n,2n）^92mNb反应截面比…

叙述了用＾９０Ｚｒ（ｎ，２ｎ）＾８９ｍ＋ｇＺｒ和＾９３Ｎｂ（ｎ，２ｎ）＾９２ｍＮｂ反应截面比测定Ｄ－Ｔ中子平均能量的方法，用硅探测器对中子平均能量进行监测，测量了６个不同点的铌锆截面比值，得到了铌锆截面比与中子平均能量的关系曲线。     

间接电氧化法研制2,4—二氯苯甲醛

采用无隔膜电解槽，以ＰｂＯ２／Ｔｉ为阳极，纯铅为阴极，ＭｎＳＯ４为电解媒质，在电解槽内将Ｍｎ＾２＋阳极氧化成Ｍｎ＾３＋，在槽外Ｍｎ＾３＋将２，４－二氯甲苯氧化为２，４－二氯苯甲醛。     

球面全脐子流形的Pinching常数

本文证明如下结果，设Ｍ＾ｎ为ｎ＋ｐ维单位球面Ｓ＾ｎ＋ｐ中具有平行平均曲率向量的紧致子流形，其第二基本形式长度平方∥σ∥＾２≤２ｎ（１＋Ｈ＾２）／２＋√ｎ－２，则Ｍ＾ｎ或者是全脐子流形，或者是位于Ｓ＾ｎ＋ｐ中某个曲率为１＋Ｈ＾２的全脐四维球面Ｓ＾４（１＋Ｈ＾２）中的Ｖｅｒｎｏｅｓｅ曲面，其中Ｈ是平均曲率。