相变存储器的高可靠性多值存储设计

基于相变存储器(PCM)已有的2T2R结构,提出一种以比值为导向的状态定义方法,以实现2T2R结构下PCM的多值存储.它在相变电阻具有4态可编写的能力下,可以实现单元内8态存储,同时对小尺寸验证,而对PCM存储电路的优化将使得PCM更具竞争力.同样基于这种以比值为导向的状态定义,一种软硬件相结合的新型纠错码方法使得对全部数据位的错误监测成为可能.     

Al2O3/HfO2薄膜多值阻变存储特性

采用磁控溅射和金属剥离工艺制备了结构为p-Si/HfO2/Ti和p-Si/HfO2/Al2O3/Ti的阻变存储器。两器件均表现出双极性电阻转变特性。插入的Al2O3层使得高阻态导电机制从空间电荷限制电流导电向肖特基发射控制导电转变,器件高低阻态阻值比从~61倍提高到了惊人的2.15×10^8倍。通过限制set电流的方式实现了多值存储,器件的四个阻态都能够非常稳定地在85 ℃高温下保持10^4 s,有利于多值存储的实际应用。     

具有低功耗和多值存储性能的双层WO_X/AlON阻变存储器的研究

针对当前阻变存储器(RRAM)面临的功耗和高密度存储的问题,介绍了一种降低功耗和形成多值存储能力的器件结构.相比单层结构的AlON RRAM,双层结构的WOX/AlON RRAM具有低至10μA的复位(reset)电流,1 000次以上的转换特性(endurance),较低的操作电压,以及多值存储等性能.针对WOX/AlONRRAM,提出了WOX介质层的等效电路模型为固定电阻与二极管串联模型.在直流置位(DC set)过程中,电路中存在一个较大的过冲电流,使得无法通过控制限流来获得不同大小的低阻态.在增加WOX介质层后,在WOX层和AlON层间形成了界面肖特基势垒,因此有效地抵抗了过冲电流,提高了低阻态的可控性.     

2B2R结构下高可靠性多值存储方法

设计了一种运用互补单元,三极管作为选通管的2B2R结构,并利用相变存储电阻存在三态稳定阻值的特性,采用全新的以比值定义状态的存储方法,实现了四态多值存储.本设计中的相变存储单元在没有造成面积上牺牲的情况下,达到了1T1R四态多值存储单元的存储密度,并且改善了工艺波动对数据读出的影响,结合了占用面积小、存储密度大和可靠性高这3个优点,使得相变存储器在高密度,高可靠性的应用场合有着良好的前景.     

过渡金属氧化物自旋和电荷相关信息存储

信息技术的快速发展在某种程度上要求有高速度和大容量的非易失存储器.然而,随着晶体管尺度达到其量子极限,传统硅半导体器件的继续集成化发展遇到了瓶颈.因此,人们提出了一系列有潜力成为下一代更具功能性的存储器原型器件,并引起了广泛而持续的研究热潮.本文介绍3种基于新材料和新结构的新型存储原型器件：阻变开关器件、有机自旋阀和多铁隧道结.我们发现通过改变界面态,可将阻变式开关器件的反应速度提高数个量级,达到5ns;在实验上确认了超精细相互作用对自旋阀效应的影响;利用多铁隧道结实现了室温下的四重阻态存储.基于自旋、电荷相关信息存储的原理和实验结果,我们对这3种过渡金属氧化物器件目前还存在的问题及未来的应用前景进行了分析和讨论.     

面向对象XML存储性能分析

针对面向对象XML数据的两种存储模式:集中式和分布式,基于两种存储模式的存储结构信息的路径仓和存储XML数据的数据仓,分别设计并实现了面向对象XML的查询代数.采用支持继承的扩展XML-RL查询语言,使用多态元素、多态引用、独占元素和独占引用四种典型查询,分析了两种存储模式的性能.结果表明查询多态元素和独占元素时,集中式优于分布式,而查询多态引用和独占引用时分布式优于集中式.     

里德堡钾原子在超高斯脉冲激光场中的量子跃迁

用含时多态展开方法,计算了超高斯脉冲激光场中里德堡钾原子两个Stark态21 s与19 f之间的量子跃迁情况.结果表明这两个Stark态之间的跃迁几率与超高斯激光场的初始振幅、脉冲形状参数m和脉冲半宽度有关;在m等于3和m等于4时,当激光场初始振幅和半宽度取合适值时,可以实现这两个Stark态之间布居数的较大跃迁,并实现终态囚禁.     

一种阻变存储单元Hspice模型设计

提出一种满足新型双通道阻变存储器读写操作要求的Hspice模型.这种模型基于新的机理,即通过改变一块1 Mb阻变存储阵列的一个单元中2种可重配置的稳定电阻存储模式实现＂RESET态＂和＂SET态＂之间的转换,它可以通过一个模拟电流-电压特性的分立器件模型来验证.与传统阻变存储器模型相比,利用这种模型,可以用较少的器件准...     

新一代存储技术:阻变存储器

阻变存储器具有存储单元结构简单、工作速度快、功耗低、有利于提高集成密度等诸多优点,受到广泛的关注。作者论述了 RRAM 的基本结构和工作原理, 并介绍了三维集成和多值存储等 RRAM 新型技术。     

Pt/TiO_2/Nb:SrTiO_3/Pt器件的记忆效应

本文以Pt/TiO_2/Nb:SrTiO_3/Pt为研究对象,研究了此种器件的阻变存储效应和容变存储效应.所研究的器件表现出明显的双极多态存储性能,同时也具备负电容的特性.在正、反向偏压的作用下,器件能够实现从导通状态到绝缘态或者其他程度的导通态的转变.不仅如此,该器件还表现出与初始状态关联的负电容特性.产生这些现象的原因可认为是氧空位在外加电场的驱动下移动造成的,从而使得器件的导电状态发生变化,同时也使得电荷变化滞后于电压的变化,产生了负电容现象.     

分布式共享存储器型多处理机的研究

文章提出了一台分层结构的分布式共享存储器的型多处理机ＤＳＭＡｒｃ的系统结构，该系统采用总线监听和目录式相结合的ｃａｃｈｅ一致性协议，来保持分布式局部ｃａｃｈｅ与共享主存内容一致，为压缩目录所需存储空间，文章提出了一种新的目录存储结构－目录ｃａｃｈｅ在ＳｕｎＳｐａｒｃ工作站上对ＤＳＭＡｒｃ原型进行了模拟，根据模拟结果对ＤＳＭＡｒｃ的性能作了初步分析。     

考虑储能调频死区与荷电状态的一次调频策略

为更好改善电网频率特性,发挥储能电池辅助调频作用及快速响应优势,提出考虑储能调频死区和荷电状态(State of Charge,SOC)的电网一次调频自适应控制策略。基于对电网幅频特性的分析,设置储能调频死区小于传统机组调频死区,使储能先于传统机组快速响应负荷扰动,有效平抑频率波动。通过分析虚拟惯性控制在一次调频过程中的出力特点,提出正反向虚拟惯性控制,使储能在整个调频过程中出力方向始终与频率恢复方向一致,降低频率恶化速度,促进频率恢复。在此基础上,提出储能电池综合控制方法：在传统机组调频死区内,储能采用下垂控制;传统机组参与调频后,储能采用下垂与正反向虚拟惯性相结合的控制方式,并根据频率偏差和SOC实时调整二者的控制系数及出力比重,有效避免电池过充过放。最后在MATLAB/Simulink平台搭建含储能的区域电网一次调频模型,在不同工况下仿真验证了所提策略的有效性。     

基于数据项级的多级关系数据模型

分析了多级安全关系数据库系统中客体安全级的不同定义方法；描述了基于数据项级的多级关系模式；对利用多示例和分级存储的方法防止高安全级数据的泄漏，多级关系的分解和恢复进行了详细的讨论．     

环形分区物镜的双光子光存储记录模式的数值模拟

为了提高传统的单光束双光子逐点记录模式的层间分辨力，提出一种基于单个环状分区透镜的双光束双光子记录方案；采用计算机数值仿真的实验手段对方案中双光子记录的轴向分布强度进行计算分析．仿真结果表明：通过适当调节两记录光束的功率比例及环形分区透镜的内外环分割比例，可以取得最佳的轴向记录分布。     

P—T方程用于含夹带剂超临界流体相平衡的计算

将PT状态方程应用于固体溶质在含夹带剂超临外流体中的溶解度的计算。对溶质的物理性质、方程参数及二元交互作用参数的影响进行了较详细的讨论。在此基础上建立了一个新的立方型状态方程参数的混合规则,将该混合规则与PT状态方程相结合计算固体溶质在有无夹带剂超临界流体中的溶解度较采用传统的van der Waals混合规则计算的结果有较大改进。该混合规则在低压下溶质溶解度较低时可恢复到van der Waals混合规则。     

基于非易失性存储器的存储系统技术研究进展

 非易失性存储器（NVM）主要包括两类,即适用于外存的、块寻址的闪存和适用于内存的、字节寻址的持久性内存。相比于传统磁盘,闪存具有性能高、能耗低和体积小等优势;相比于DRAM（动态随机存储器）,持久性内存如PCM（相变存储器）、RRAM（阻变存储器）等,具有非易失、存储密度高以及同等面积/内存插槽下能给多核环境的CPU 提供更多的数据等优点,这些都为存储系统的高效构建带来了巨大的机遇。然而,传统存储系统的构建方式不适用于非易失性存储器,阻碍了其优势的发挥。为此,分析了基于非易失性存储器构建存储系统的挑战,从闪存、持久性内存两个层次分别综述了它们在存储体系结构、系统软件以及分布式协议方面的变革,总结了基于非易失性存储器构建存储系统的主要研究方向。     

Advancements in organic nonvolatile memory devices

As one of the most promising candidates for next generation storage media, organic memory devices have aroused worldwide research interest in both academia and industry. In recent years, organic memories have experienced rapid progress. We review the development of organic resistive switching memories in terms of structure, characteristics, materials used, and integration. Some basic concepts are discussed, as well as the obstacles hindering the development and possible commercialization of organic memory d...     

自适应模糊多级中值滤波器

结合模糊关联存储方法（FAM）,提出了修改后的多级中值滤波器－－自适应模糊多级中值滤波器（AFMMF）,该滤波器克服了传统多级中值滤波器（MLMF）的一些缺点,实验结果显示,在处理“短线”噪声的过程中,AFMMF能更好地保留边缘,取得了更好的效果。     

基于B/S模式网络存储的软件实现研究

对目前主要的数据存储方式进行了介绍，针对网络中单个应用系统存储需求紧张而同时网络中存在存储资源浪费、闲置等情况，提出了用软件实现基于B／S模式的网络存储系统BSMSM(B／S Model based Shared Memory)，从而实现了跨平台的网络存储．