广东省第三代半导体创新发展刍议

第三代半导体是指以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体(禁带宽度大于2 eV),近年来扩展至氮化铝(AlN)、金刚石、氧化镓(Ga2O3)、氮化硼(BN)等超宽禁带半导体.相比于以硅(Si)、锗(Ge)为代表的第一代半导体和以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表的第二代半导体,第三代半导体具有更...     

广东省信息安全技术院士工作站

正【建站情况】为保障广东省信息安全产业持续发展,为地方经济发展提供具有关键性的信息安全威胁抵御服务和安全保障服务,广东省信息安全测评中心经广东省科技厅批准,于2012年12月开始承担广东省信息安全技术院士工作站建设项目。院士工作站自成立以来,发挥了国内知名院士及高校专家学者国家级战略层面的技术引领作用,聚集国家水平的创新资源,推动     

三代半导体材料发展历程

正第一代半导体材料:主要指硅(Si )、锗( Ge)元素半导体材料兴起时间:20世纪50年代性能特点:取代了笨重的电子管,促进了集成电路的产生。主要应用:低压、低频、中功率晶体管、光电探测器。第二代半导体材料:以砷化家(GaAs )、磷化钢(InSb )为代表兴起时间:20世纪70年代     

第三代半导体辐射探测器研究进展

以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、金刚石等为代表的第三代半导体具有大的禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子速率、高热导率以及具有高的位移阈能,耐高温、耐辐照能力,在核装置运行监测、空间探测、高能粒子物理探测等领域具有重要的应用潜力.介绍了第三代半导体的相关性质、辐射探测器主要制备方法以及不同类型辐射探测器的研究进展,展...     

第三代半导体产业发展与趋势展望

第三代半导体是全球半导体技术研究前沿和新的产业竞争焦点.综述了第三代半导体发展现状、中国对第三代半导体产业的科技支持政策及当前面临的风险和存在的问题.阐述了第三代半导体产业技术创新战略联盟的探索实践,包括推动产学研用创新联合体对接国家重大项目、推动国家级公共平台和产业创新生态建设、制定团体标准并推动相关检测平台建设、通...     

第三代半导体迎来新发展机遇

半导体材料是信息技术的核心基础材料,一代材料、一代技术、一代产业,半个多世纪来从基础技术层面支撑了信息技术翻天覆地的变化,推动了电子信息科技产业可持续蓬勃发展.同样地,信息技术和电子信息科技产业发展需求又驱动了半导体材料与技术的发展.     

封面图片说明：三代半导体材料发展历程

 第一代半导体材料：主要指硅（Si）、锗（Ge）元素半导体材料兴起时间：20世纪50年代性能特点：取代了笨重的电子管,促进了集成电路的产生。主要应用：低压、低频、中功率晶体管、光电探测器。     

半导体光电结构材料及其应用

半导体光电结构材料广泛应用于信息、照明、交通、能源、医疗、军事等领域.介绍了厦门大学近年来在半导体光电结构材料研究的进展,着重介绍高Al组分AlGaN、高In组分InGaN、GaN基半导体、Si基半导体、ZnO基半导体等结构材料研发中所取得的进展及其在大功率LED、紫外LED、激光器、探测器、太阳能电池等光电器件中的应用.     

先进半导体研究院：引领第三代半导体产业新变革

<正>建设背景硅及先进半导体材料是发展半导体技术的基石,是全球半导体产业竞争的焦点。近年来,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料,以其优越的性能和巨大的市场前景,迅速开辟出全球半导体市场的新赛道。我国《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中明确提出,要加速推动以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程,催生一批高速成长的新材料企业,极大促进第三代半导体产业在我国更快更好地发展。     

短波长半导体发光材料与器件的研究进展

叙述了GaN及ZnO发光材料与器件的研究进展,同时简单介绍了GaN发光器件的应用.     

超宽禁带二维半导体材料与器件研究进展

超宽禁带二维半导体作为二维材料研究领域的前沿之一,在紧跟第三、四代半导体朝着大带隙、大功率方向发展的同时,也为集成电路往小体积、高集成度方向的探索提供了思路.根据晶体堆积是否为范德华层状结构,超宽禁带二维半导体在材料层面的研究内容一方面是将已有的或成熟的非层状材料通过各种限制手段将第三维度压制在纳米量级,另一方面则是探索新型的范德华层状材料通过生长或剥离的方式得到其单层或少层结构.从器件层面看,超宽禁带二维半导体无论是以独立形式还是两两组合叠成异质结,形成的器件大多都以探测紫外波段的电磁辐射为目的,进一步可以做成包括成像系统、数字通讯等在内的光学传感器.若是辅助以柔性衬底,那么二维材料将发挥天然的可弯折优势,被广泛应用到柔性场效应晶体管、柔性紫外探测器、显示器等可穿戴电子器件中.而当材料有对外界刺激(如光照)表现出“记忆”特性时,说明可以将材料用于类神经突触传感或神经网络学习.此外,超宽禁带二维半导体中具有超大带隙的部分材料是极具潜力的电介质,它们往往拥有远比氧化硅大的介电常数与击穿电压,在减薄器件体积的同时也优化了器件的性能.最后,少数超宽禁带二维半导体是许多材料制备过程中的衬底,它...     

厦门市第三代半导体产业的现状与发展对策研究

在知识经济时代,高科技是决定一个国家综合国力和竞争能力的重要因素.以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体,具有高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能,是支撑新一代移动通信、能源互联网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件,与节能...     

浅谈第三代移动通信技术

移动通信技术自从兴起以来,因其满足了人们在任何时间、任何地点与任何个人进行通信的愿望，因此得到飞速的发展。与此同时，在信息支撑技术、市场竞争和需求的共同作用下,移动通信技术在短短的二三十年间，跨越式地发展。从传统的单基站大功率系统到蜂窝移动系统、卫星移动系统：从本地覆盖到全国覆盖，并实现了国内、国际漫游：从提供语音业务到提供包括数据的综合业务：从模拟移动通信系统到数字移动通信系统等，目前已经历了三代。     

第三代移动通信技术简述

移动通信技术3G时代全面来临,本文介绍了3G三种主流标准的主要特征,和3G在生活中的应用。     

第三代宽禁带功率半导体及应用发展现状

近年来,以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体迅猛发展,已成为中国功率电子行业的研发和产业化应用的重点.抓住第三代宽禁带功率半导体的战略机遇期,实现半导体材料、器件、封装模块和系统开发的自主可控,对保障工业创新体系的可持续发展至关重要.在分析第三代宽禁带功率半导体重要战略意义的基础上,综述了其材料、器件研发和产...     

有机复合光电功能材料与器件领域的前沿与热点

2008年6月4-7日,“有机复合光电功能材料与器件国际研讨会”（International workshop on organic and organic/inorganic composite optoelectr-onic materials and devices ）在浙江大学召开,这次会议由浙江大学、清华大学和斯坦福大学联合主办,会议主席为浙江大学的陈红征教授、清华大学的邱勇教授和斯坦福大学的鲍哲南（Zhenan Bao）教授。     

多晶半导体三碱光电阴极厚度研究

该文利用多晶半导体三碱光电阴极量子产额公式,研究了光电阴极厚度D与光吸收系数α_T(hv)和光电子逸出深度L的关系,指出阴极厚度与光电阴极光谱响应峰值位置有关。对第一类阴极,厚度应为30nm左右。对第二类阴极则为90nm。预计可通过光电阴极光谱响应峰值位置设计光电阴极厚度。研究结果首次定量给出:随着光电子逸出深度和入射光子波长的增加,光电阴极厚度将增加。如果L在40～55nm之间,则对1.0μm敏感的阴极厚度应在120nm左右。