GaAs红外发光二极管的可靠性研究

从反向测试中出现的二次击穿器件，分析了其失效原因，表明晶体内缺陷或机械损伤琪的热斑引起器件发生二次击穿，从而提出了工艺改进措施。     

掩埋双p-n结波长探测器的弱光探测

为提高掩埋双p-n结(BDJ)波长探测器对弱光探测的信噪比,不采用其一般的光电导工作模式,而应用它的光伏工作模式,并借助锁相放大技术,测量上下2个p-n结的光生电压,不仅得到了光生电流比与波长的关系曲线,而且抑制了大量噪声,更有利于弱光的探测.     

非晶态半导体硅p-n结

早在1976年初,W.E.Spear等人已制成非晶态硅(a—si)p—n结。本文是探讨建立一种与之相应的静态理论,在隙态密度分布函数未知的情况下,利用积分中值定理,并对p—n结能带的性质作了适当假定之后,就达到了预期的目的。结果表明,在轻掺杂情形下,这种理论与晶体p—n结突变结理论在数学形式上仅差一个因子。     

制作p-n结的一种新途径

p—n结,对研究半导体的人特别是对制作半导体器件的人来讲,有着重要的意义。用作整流或电子计算机中的开关元件的二极管就是一个加了外引线的p—n结。可以起放大、振荡作用的结型晶体管和结型场效应晶体管是由互相靠近的两个p—n结组成的;其它如可控硅,一些光电器件等也是由p—n结构成的;因此,要制作半导体器件,就得设法形成符合要求的p—n结。现在形成p—n结的方法有合金烧结、热扩散、离子注入等。这些方法现在已有较成熟的工艺和相应的理论。目前扩散技术、离子注入技术已成为制作半导体器件的重要技术。是不是形成p—n结的方法就是这些呢?我们     

双异质结GaAs激光器辐射场及其方向性的改善

提出一线微透镜与双异质结GaAs激光器组合的结构,以改善其辐射场的方向性。     

高功率微波激励下p-n结器件响应

通过采用时域有限差分方法 (FDTD)和混合算法处理半导体器件所满足的刚性、耦合、非线性偏微分方程组 ,建立PN结半导体器件在高功率微波 (HightPowerMicrowave)激励下瞬态响应的一维模型 ,并在此基础上进行二极管功率耗散情况的分析和对微波信号响应截止频率的计算 ,从而对PN结半导体在高功率微波激励下的损伤机理进行研究 .计算表明 ,二极管功率耗散主要集中在源电压正半周峰值附近 ,器件的热击穿应发生在信号的正半周期内 ,10GHz应可视为该二极管对微波信号响应的截止频率     

p-n结正向不稳态的异常衰减

本文从结电容放电的观点探讨注入电流脉冲结束后p—n结不稳态的异常衰减过程。分析指出:在小注入条件下,结暂态电压有两种异常衰减,都形成驼峰曲线。势垒区复合中心导致开路驼峰出现;结并联漏电通道则诱发非开路驼峰。这两种驼峰的发生都归结于势垒电容放电。开路驼峰曲线的拐点为V_t(t_i)=V_D-(2KT/q)(突变结)及V_g-(4KT/3q)(线性缓变结);非开路驼峰曲线的拐点则为V_t(t_i)=(2/3)V_D(突变绪)及(3/4)V_g(线性缓变结)。两种驼峰曲线的初段均可用来测量结型器件的少子寿命。     

GaAs0.55P0.45发光二极管中的无辐射陷阱

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了GaAs0.55P0.45红色发光二极管深能级.结果表明,有B陷阱的GaAS0.55P0.45红色发光二极管亮度比有C陷阱的低;并对B陷阱深能级位置的真实值进行了详细计算.     

非对称石墨烯p-n结中电子聚焦点移动现象

基于电子光学性质,文章研究了非对称石墨烯p-n结中电子聚焦点的移动现象.应用非平衡格林函数方法展示了不同情况下聚焦点移动规律,并根据电子在界面散射行为解释了该现象.     

关于薄基区p-n结反向恢复的某些近似

本文給出基区寬度小于扩散長度的面結型二极管底基区寬度与有效寿命的近似关釆式,並說明依据这些关系式利用二极管的反向恢复特性与断路結电压的衰减曲綫測量这种二极管的基区寬度与有效寿命的可能性.     

GaAs／GaAlAs双异质结脊型波导无间距方向耦合器

本文对具有金肖特基势垒电极的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双异质结脊型波导无间距方向耦合器进行了研究。通过合理设计器件结构，降低波导层中载流子浓度，适当控制脊高和包层中Ａｌ含量以及采用剥离掩膜，反应离子蚀刻等技术使器件总损耗降为１２．２ｄＢ，串音达一２５．９ｄＢ．     

石墨烯p-n结中巨磁阻效应的磁场调控

研究了磁场作用下石墨烯p-n结中的Klein隧穿效应。采用石墨烯的紧束缚模型,用非平衡格林函数方法分析了磁场对石墨烯p-n结输运性质的具体影响。发现透射率曲线的侧向偏移可用经典洛伦兹力图像定量的进行解释。通过理论计算,得到了透射率曲线与不同变量之间的关系。在垂直磁场作用下,狄拉克费米子沿着回旋轨道运动,通过分析入射角和透射率之间的关系,得到了隧道效应被完全抑制时的能量范围。     

一种红外发光二极管的驱动电源设计

阐述了一种基于单片机ATmega64的红外驱动电源的设计,系统包括恒流源电路、DA转换、PWM和软件设计等,采用MAX4544和74123实现了对电路的保护和PWM的准确输出。     

GaAs红外发光管芯片的表面性质

利用扫描电子显微镜观察 Ｇａ Ａｓ 外延层及 Ｉ Ｒ Ｌ Ｅ Ｄ 芯片的表面，测量了输出辐射强度随芯片表面不同形貌的变化，讨论了 Ｇａ Ａｓ 红外发光二极管外延及芯片工艺对器件光学、电学性质的影响． 结果显示，芯片表面玷污、划伤，电极磨损，使输出辐射强度降低．     

P 型掺杂对AlGaInP 双异质结发光二极管的Al 组分确定的影响

在双异质结发光二极管(DH-LED)实际材料生长过程中,它的限制层的Al组分的确定有较大的随意性.在不同的P型掺杂程度下,通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了限制层Al组分分别对应确定为一个最合适的取值,此时有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,LED的复合效率最高.从而可以探索P型掺杂对限制层Al组分确定的影响的规律,并得到一个较合适的掺杂浓度.这对于器件结构设计以及相关的金属有机化合物气相沉积(MOCVD)材料生长有一定的指导意义.     

硅扩散p-n结势垒宽度和势垒电容的计算

p-n结势垒宽度和势垒电容在半导体器件的设计与制造工作中是经常需要计算的。这两者都是外加电压的函数,同时还与p-n结中的杂质分布有关。对于单边突变结和线性缓变结近似的情形,由势垒区电位所满足的一维泊松方程求解,所得到的势垒宽度和电容随外加电压和杂质浓度(或浓度梯度)而变化的关系,是简单的解析表达式。而对于实际的扩散p-n结,把它作为上述两种情形的近似,其范围是比较狭窄的。在不同的扩散条件下,p-n结杂质的分布情况也不同,有时往往是很复杂的。Lawrence和     

用光泵浦法评价AlGaAs/GaAs/AlGaAs双异质结外延片

本文提出了采用光泵浦法评价掩埋异质结构(BH)激光器的一次外延片质量的技术。该评价技术简便易行,对样片无破坏性,且可由其测量结果预言激光器发射波长和阈值等特性。     

带p-n结半导体器件飘流扩散模型的拟中性极限

研究了模拟带p-n结的绝缘半导体器件的双极飘流扩散方程组的德拜长度、消失极限(拟中性极限).同时给出了扩散方程组的极限解.     

P型掺杂对AlGaInP双异质结发光二极管的AI组分确定的影响

在双异质结发光二极管(DH—LED)实际材料生长过程中，它的限制层的AI组分的确定有较大的随意性．在不同的P型掺杂程度下，通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况，从理论上剖析了限制层AI组分分别对应确定为一个最合适的取值，此时有源层中的载流子应有一个最大数量的复合，LED的复合效率最高．从而可以探索P型掺杂对限制层AI组分确定的影响的规律，并得到一个较合适的掺杂浓度．这对于器件结构设计以及相关的金属有机化合物气相沉积(MOCVD)材料峰长有一定的指导意义。     

简并锗p-n结热电流与体电阻的温度关系

§1.引言自从江崎指出在簡并半导体P-n結处于較大正向偏压时,流过結的电流与一般低掺杂半导体P-n結中的扩散电流雷同之后,几年来对这一部分电流性质的研究工作并不多見。直到最近Sommers和Meyerhofer等在系統研究簡并锗特性基础上,对这一部分电流,即所謂热电流(因为它与温度有較灵敏的依賴关系),进行了探討和分析;提出了对此电