瞬态退火中高密度缺陷对As增强扩散作用模型分析

分析了注入As在快速退火中的增强扩散效应,特别分析了注入层中缺陷生成过程所伴随的增强扩散效应。退火中引起高密度缺陷两种过程是:一反冲氧的作用;二高剂量注入As在品格中引入应力的作用。实验中发现,剂量高达2×10~(16)cm~(-2)和As通过SiO_2层注入硅时(As射程等于SiO层的厚度),注入的样品经高温退火后,As杂质剖面出现拐点。以拐点为分界划分出快扩散和慢扩散两个区域。用Boltzmann-Matano)方法计算了As在退火期间在硅中的扩散系数。用高压透射电镜观察表明,从硅表面到拐点处存在着高密度的缺陷,并且分析了缺陷在1～12s期间的发展过程。结果表明。在最初1～3s内已形成了高密度缺陷,且这种缺陷热稳定性很高,即使经1 150℃180s退火仍然存在。在此基础上分析高密度缺陷对增强扩散影响的模型。     

高压反偏硅PN结的漏电流对研磨损伤层的影响

本文通过对硅整流管反偏直流产生电流温度关系、伏安特性和对应的深能级瞬态谱(DLTS)的研究,揭示了均为硬转折特性的试样漏电流有较大差异的根源是:表面研磨损伤层引入了新的深中心,使PN结的漏电流增加了一个隧道电流分量;并分析了导电机理.根据理论分析,修正了反偏PN结漏电流理论.     

离子注入白光退火技术和浅结工艺的研究

利用白光快速退火设备研究了白光退火特性,得到As通过siO_2注入Si制备0.1～0.15μm无缺陷浅结的最佳条件.发现As通过SiO_2注入的样品退火后其载流子浓度分布出现双峰现象,进而提出了分析这种现象的增强扩散模型.还发现B+As双注入的样品经瞬态退火后消除了减速场.     

激光损伤硅片背面对微缺陷的吸除效果

本文研究了cwCO_2激光器照射硅片背面产生辐射损伤对微缺陷的吸收效果:对MOS界面特性的影响,对表层少子寿命的影响,对PN结漏电流、晶体管电流放大系数h和击穿电压BV_(ce0)的影响:对集成电路成品率的影响。结果表明,这种方法能有效地吸除金属杂质和微缺陷,能显著提高少子寿命、改善Si/SiO_2的界面特性、降低PN结的漏电流、提高击穿电压和晶体管小电流放大系数,使KD45的成品率提高50％,     

半绝缘砷化镓的热反型研究

高压液封直拉法生长的未掺杂半绝缘GaAs和水平法生长的掺Cr的半绝缘GaAs二种样晶在有As气氛和没有As气氛保护下分别在真空封管中在740℃退火4小时后,电学测量发现有As气氛保护的GaAs表面未出现热反型,而没有As气氛保护的GaAs表面出现热反型层。光致发光谱测量发现在热反型的样品中并没有出现与Mn_(Ga)相连系的1.41eV发射峰,而是与C_(As)相连系的1.490eV发射峰强度在退火后大大增强。一系列实验表明在真空退火后SI-GaAs表面低阻反型层的产生可能是由于在热退火过程中表面产生的大量V_(As)向内扩散,使表面层中的Ci填充V_(As)形成C_(As),从而使表面层的C_(As)受主浓度增加,导致形成低阻反型层。     

退火温度对Al掺杂ZnO薄膜结构和光学性质的影响

采用溶胶-凝胶法在石英衬底上沉积Al掺杂的ZnO(AZO)纳米薄膜,研究了退火温度对薄膜的结构和光学性质的影响.结果表明:AZO薄膜呈c轴择优取向的纤锌矿结构.在一定的温度范围内,晶粒尺寸的大小随退火温度的升高而增加.当退火温度为900℃时,样品表面平整致密,样品可见光区的透射率达80%.当温度上升1 000℃时,晶粒尺寸达到最大,但样品表面出现裂纹,可见光区域的透射率下降.进一步提高退火温度则由于热缺陷导致了结晶质量的退化,一定范围内退火温度的升高能够提高样品的晶体中原子排列的有序性,有助于晶粒的长大,但同时也增加了样品内氧空位(Vo)和锌间隙(Zni)的缺陷浓度.     

离子注入退火晶格恢复和电激活动力学研究

给出了As和P注入硅的电激活能与退火温度的关系.用这些结果和表示晶格去除率与退火温度的关系式,研究了损伤的晶格恢复和杂质电激活动力学,发现低剂量As注入硅,在退火过程中仅出现1～2个低的激活能.当注入剂量大于5×10~(15)cm~(-2)时,硅注入区转变成了无序层,退火过程中则出现无序层外延生长区、过渡区和电激活能区3个特征温区,并在激活能区可观察到2～3个激活能.当硅在300℃温度下注入As,注入剂量为1×10~(16)cm~(-2)时,注入层中未出现无序层,退火过程中仅有激活能区,在此区能测到3个激活能.     

晶体管集电结由反偏到正偏的物理过程讨论

本文简述了晶体管作开关运用时集电结由反偏状态向正偏状态转化的物理本质。在动态过程的分析中引入了非中性多子和非中性少子的新提法。得出如下结论:1.只要PN结两侧出现非中性多子(即户区出现呈现非中性状态的空穴,N区出现呈现非中性状态的电子)PN结就必然由宽变窄。反之,如PN结两侧出现非中性少子则PN结就必然由窄变宽。2.P区和N区的电中性状态是PN结宽度的稳定条件。     

p-n结正向不稳态的异常衰减

本文从结电容放电的观点探讨注入电流脉冲结束后p—n结不稳态的异常衰减过程。分析指出:在小注入条件下,结暂态电压有两种异常衰减,都形成驼峰曲线。势垒区复合中心导致开路驼峰出现;结并联漏电通道则诱发非开路驼峰。这两种驼峰的发生都归结于势垒电容放电。开路驼峰曲线的拐点为V_t(t_i)=V_D-(2KT/q)(突变结)及V_g-(4KT/3q)(线性缓变结);非开路驼峰曲线的拐点则为V_t(t_i)=(2/3)V_D(突变绪)及(3/4)V_g(线性缓变结)。两种驼峰曲线的初段均可用来测量结型器件的少子寿命。     

东北红豆杉枝叶对不同CO2浓度的光合生理响应

利用LI-COR 6400测定了不同CO2浓度条件下的东北红豆杉净光合速率(PN)、蒸腾速率(E)、气孔导度(Cond)、胞间CO2浓度(Ci)及叶面饱和蒸气压亏缺(VPD).结果表明:1 a生枝和2 a生枝条叶片的PN及E均随CO2浓度升高而增大,但PN增加幅度较大,E增加幅度较小;在高CO2浓度(物质的量比为1 400×10-6)条件下,1 a生枝叶片最大PN(6.95 μmol/(m2·s))大于2 a生枝(6.87 μmol/(m2·s)).1 a生枝的E略大于2 a生枝,但差异性不大;1 a生枝与2 a生枝水分利用效率(WUE=PN/E)均随CO2浓度升高而增大,1 a生枝WUE略高于2 a生枝,但差异未达到显著水平.可见,光合速率的显著增加是导致东北红豆杉水分利用效率随CO2浓度升高而增加的主要影响因素.     

论投资外部收益率的计算方法

未普遍使用投资外部收益率法评价工程项目的具体情况,论述了投资外部收益率法用于工程投资项目的可行性及具体计算方法,分析和比较了投资外部收益率法与投资内部收益率法的优缺点,提出了用投资外部收益率法作为技术经济的主要评价方法之一的建议。     

导出相对速度分布和质心速度分布的另一方法

从混合气体系统中任意两个组分的速度的几率分布出发，在证明了从速度坐标集合到速度坐标集合之间的速度坐标变换为正则变换的情况下，本文作为柯尼希定理的应用之一，较为详细地给出了推导相对速度分布、质心速度分布的另一种方法。     

拖网翼网斜边与上、下纲形状的拟合计算

本文以翼网斜边斜率应与相对应的纲索段的切线斜率相同为条件,提出了拟合抛物线和悬链线二种形状纲索的翼网斜边网目数的确定方法。     

团队建设的理据述评

团队建设理论主要有团队角色理论、人格理论、实践活动理论和人性假设理论。探讨这些理论,并在管理实践中加以正确运用,能够有效沟通内部,改善单位及其成员个人绩效,推动单位事业的发展和进步。     

贵州工业大学逸夫楼建筑设计

能动地逸夫楼建筑设计的介绍，从一个侧面阐述了理性的思想方法和朴实的创作手法在当前建筑设计中的重要性。     

矩阵特征值界的估计的一种新表示方法

矩阵特征值的估计在理论和应用都是非常重要的,的估计结果都是用矩阵的元素或范数来表示的本文改为用主子式之和表示估计结果,并用实例验证该方法计算较简便,结果更精确。     

碳原子数估算有机物的热力学函数

以文献报道的部分正烷烃、正烯烃、正炔烃、正烷基苯、正烷硫醇２９８Ｋ下气态化合物标准生成焓、标准生成自由能、标准熵的数据为基础，通过计算机进行回归分析，得到了这些有机物的标准生成焓，标准生成自由能，标准熵均与碳原子数（ｎ）呈良好的线性关系．即据这些关系式分别计算了一系列直链有机物的，其结果与文献值相吻合．     

《佳木斯工学院学报》1990—1998年引文分析

运用文献计量学方法,对佳木斯工学院学报1990－1998年内所发表的论文后的参考文献进行了引用量,引文时间,引文语种和引文类型进行了统计分析,计算了其普赖斯指数,并和国际,国内的引文相比较,同时在此基础上进行了讨论。     

关于可测函数列积分的收敛性

积分号下取极限或逐项积分在理论和实际应用中都有十分重要的意义。本文在勒贝 格积分极限理论基础上，研究在弱条件下极限与积分交换顺序问题。     

数量分类中试验数据的函数变换

依据数量分类学原理对数量分类中试验数据的函数变换的必要性进行了分析．给出了常用的试验数据函数变换方法，确定了对试验数据进行函数变换的一般原则。