La2O3施主掺杂（MgCoNi）O系氧敏材料的高温缺陷化…

讨论了少量Ｌａ２Ｏ３施主掺杂的（ＭｇＣｏＮｉ）Ｏ系样品在不同测试温度下的电导与氧分压关系。实验发现，施主杂质有两方面的作用：当施主含量较低时，以缺位补偿为主；另一方面，施主含量较高时，电子补偿占优，随着施主含量的增加，由缺位补偿向电子补偿过渡，用阳离子缺位扩散控制机制解释了施主杂质对晶粒生长的影响。     

施主掺杂的（MgCoNi）O系材料的高温电导研究

研究了掺杂Ｌａ２Ｏ３施主的（ＭｇＣｏＮｉ）Ｏ系氧敏材料性能．ｘ－ｒａｙ衍射分析表明少量施主的掺入并不改变材料的晶体结构．材料在高温时的电导与氧分压关系表明施主对材料的缺陷结构具有相当重要的影响．在高温下，施主掺杂样品的缺陷仍以金属缺位为主，在１００＞ＰＯ２≥１０－１０区间，金属缺位补偿占优，此时表现为电导对氧分压不太敏感．用缺陷化学的方法对施主的行为进行了合理的解释．     

屏蔽对GaAs／AlxGa1—xAs异质结系统中施主结合能的影响

对半导体单异质结系统，引入了三角势近似异质结势，考虑电子对杂质库伦势的屏蔽影响，利用变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的单电子基态能量，对GaAs/AlxGa1-xAs系统的杂质态结合能进行了数值计算，给出了结合能随杂质位置和电子面密度的变化关系，并讨论了有无屏蔽时的区别。     

Ⅲ族氮化物量子点中类氢施主杂质位置对束缚激子结合能的影响

在有效质量近似下，运用变分方法，考虑内建电场效应和量子点（QD）的三维约束效应的情况下，研究了类氢施主杂质在量子点中的位置对Ⅲ族氮化物量子点中束缚激子结合能的影响。结果表明：当类氢施主杂质位于量子点中心时，对于InxGa1-xN／GaN量子点，量子点高度和In含量存在临界值，当参数大于临界值时，约束在QD中束缚激子的结合能升高，激子态的稳定性增强，提高了激子的离解温度，使人们能在较高的温度条件下观察到半导体量子点吸收谱中的激子峰。而类氢施主杂质总是使束缚在GaN／AlxGa1-xN量子点中激子的结合能升高，载流子被更强的约束在量子点中。说明对GaN／AlxGa1-xN量子点，杂质使人们能在更高温度下观察到量子点中的激子。类氢施主杂质位于量子点上界面时，束缚激子的结合能最大，系统最稳定；随着施主杂质下移，激子结合能减小，激子的离解温度下降。     

外磁场下电子-声子相互作用对球形量子点杂质态的影响

在有效质量近似下,采用变分法研究了外磁场下球形量子点中的施主杂质基态结合能随量子点半径和磁感应强度的变化关系.考虑电子与体纵光学声子和表面光学声子相互作用,计算了施主杂质态结合能随杂质位置和量子点半径的变化.数值结果表明,结合能随量子点尺寸减小和外加磁感应强度的增强单调增加,且基态结合能明显依赖于杂质位置和电子-声子相互作用.     

屏蔽对GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结系统中施主结合能的影响

对半导体单异质结系统 ,引入三角势近似异质结势 ,考虑电子对杂质库仑势的屏蔽影响 ,利用变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的单电子基态能量 .对 Ga As/Alx Ga1-x As系统的杂质态结合能进行了数值计算 ,给出了结合能随杂质位置和电子面密度的变化关系 ,并讨论了有无屏蔽时的区别     

施主掺杂钛酸钡陶瓷最大势垒高度计算

在不同的施主杂质Ｎｂ２Ｏ５含量下,对ＢａＴｉＯ３半导陶瓷样品测量了电流－电压关系,发现结果不遵循经典的海旺模型,而与从修正的势垒模型出发得到的结果符合较好,根据修正的势垒模型,由实验结果导出了ＢａＴｉＯ３陶瓷的最大势垒高度。     

ZnO的p型掺杂研究进展

ZnO是一种宽带隙Ⅱ~Ⅵ族半导体材料,由于其独特的性能,如高电子迁移率、广泛的激子结合能,是一种很有前途的光电器件材料;但因本征施主缺陷和施主杂质引起的自补偿效应等很难使其有效地实现n型向p型导电的转变.介绍了ZnO的p型掺杂机理、掺杂元素分类及国内外对p型ZnO研究的最新进展.     

类氢杂质对InxGa1-xN/GaN和GaN/AlxGa1-xN量子点中束缚激子态的影响

在考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应的情况下,运用变分方法研究了类氢施主杂质的位置对Ⅲ族氮化物量子点中束缚激子态的影响.结果表明:当类氢施主杂质位于量子点中心,InxGa1-xN/GaN量子点的高度和In含量大于临界值时,约束在QD中激子的基态能降低,激子态的稳定性增强,在较高的温度下观察到半导体量子点吸收谱中的激子峰,发光波长增大.而类氢施主杂质总是使束缚在GaN/AlxGa1-xN量子点中激子的基态能降低,杂质可能使在更高温度下观察到GaN/AlxGa1-xN量子点中的激子,发光波长增大.研究发现类氢施主杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,系统最稳定;随着施主杂质下移,激子基态能增加,激子的解离温度下降,发光波长减小.     

类氢杂质对In_xGa_（1-x）N/GaN和GaN/Al_xGa_（1-x）N量子点中束缚激子态的影响

在考虑内建电场效应和量子点（QD）的三维约束效应的情况下,运用变分方法研究了类氢施主杂质的位置对Ⅲ族氮化物量子点中束缚激子态的影响.结果表明：当类氢施主杂质位于量子点中心,InxGa1-xN/GaN量子点的高度和In含量大于临界值时,约束在QD中激子的基态能降低,激子态的稳定性增强,在较高的温度下观察到半导体量子点吸收谱中的激子峰,发光波长增大.而类氢施主杂质总是使束缚在GaN/AlxGa1-xN量子点中激子的基态能降低,杂质可能使在更高温度下观察到GaN/AlxGa1-xN量子点中的激子,发光波长增大.研究发现类氢施主杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,系统最稳定;随着施主杂质下移,激子基态能增加,激子的解离温度下降,发光波长减小.     

NiO替位掺杂对（Mg_xCo_（1－x））O系材料的影响

用ＮｉＯ替位掺杂对（Ｍｇ＿ｘＣｏ＿（１－ｘ））Ｏ系氧敏材料的性能进行了研究，通过测量样品在不同氧分压条件下的高温平衡电导，以及用ＸＲＤ，ＳＥＭ，差热分析等手段对样品进行了分析。实验发现替位掺杂的ＮｉＯ强烈地影响材料的稳定性、缺陷结构及微观结构等．     

Enhanced photocatalytic activity of sponge-like ZnFe2O4 synthesized by solution combustion method

A kind of cubic ZnFe2O4 with spinel structure was synthesized by an improved solution combustion method via a facile and environmentally friendly pathway and their photocatalytic activity under visible light radiation was investigated. The particle synthesized under the ignition temperature of 573 K has a pure phase. While a small amount impurities, a-Fe2O3 and ZnO, were formed in the sample during the combustion process at higher ignition temperature of 623 K. The synthesized ZnFe2O4 has a sponge-like porous structure and wide absorption in the visible-light region. The impurities a-Fe2O3 and ZnO formed in the sample probably enhance the reduction and oxidation ability and promote the separation of photo-generated electrons and holes. Comparing with ZnFe2O4 synthesized by the conventional solid state reaction, the ZnFe2O4 derived by solution combustion method showed the better photocatalytic activity under visible light radiation.     

Interplay of magnetism and high-Tc superconductivity at individual Ni impurity atoms in Bi2Sr2CaCu2O8+delta.

Magnetic interactions and magnetic impurities are destructive to superconductivity in conventional superconductors. By contrast, in some unconventional macroscopic quantum systems (such as superfluid 3He and superconducting UGe2), the superconductivity (or superfluidity) is actually mediated by magnetic interactions. A magnetic mechanism has also been proposed for high-temperature superconductivity. Within this context, the fact that magnetic Ni impurity atoms have a weaker effect on superconductivity than non-magnetic Zn atoms in the high-Tc superconductors has been put forward as evidence supporting a magnetic mechanism. Here we use scanning tunnelling microscopy to determine directly the influence of individual Ni atoms on the local electronic structure of Bi2Sr2CaCu2O8+delta. At each Ni site we observe two d-wave impurity states of apparently opposite spin polarization, whose existence indicates that Ni retains a magnetic moment in the superconducting state. However, analysis of the impurity-state energies shows that quasiparticle scattering at Ni is predominantly non-magnetic. Furthermore, we show that the superconducting energy gap and correlations are unimpaired at Ni. This is in strong contrast to the effects of non-magnetic Zn impurities, which locally destroy superconductivity. These results are consistent with predictions for impurity atom phenomena derived from a magnetic mechanism.     

SIMOX材料结构,电特性及杂质分析

用扩展电阻（ＳＲＰ）,二次离子质谱（ＳＩＭＳ）等方法,测量了ＳＩＭＯＸ样品的各层结构、电特性和杂质分布。讨论了不同方法的测量,说明了ＳＩＭＯＸ材料顶部硅层的扩展缺陷和杂质的施主作用。用制作适合器件需要的ＳＯＩ材料,必须控制工艺过程中顶部硅层的杂质污染和损伤。     

Fe3O4亚微米空心球的制备与表征

没有表面活性剂存在的情况下,采用溶剂热法制备了一系列粒径均匀、分散性良好的Fe3O4亚微米空心球,并对其粒径、形貌和磁性进行了系统的研究。结果表明随着反应时间延长,Fe3O4亚微米粒子逐渐形成空心结构。该实验采用的方法不仅消除了表面活性剂的影响,而且设备和操作简单,具有良好的实验教学效果,可以作为应用化学专业无机功能材料方向的综合性实验项目。     

电子在掺杂GaAs/GaAlAs斐波那契量子阱中波函数和能量性质

本文利用转移矩阵和边界条件精确计算一维定态薛定谔方程,推导出一维斐波那契量子阱结构中电子波函数的计算条件.考虑了在势阱中掺杂的情况,并且认为势阱中掺杂仅仅只是改变势阱的宽度.在半导体材料的参数范围内,进一步研究了势阱宽度对一维掺杂斐波那契量子阱结构的电子能量本征值的影响.     

层状Lix[Mn1-yCoy]O2正极材料的合成及电化学性能研究

采用柠檬酸溶胶凝胶法合成了钠锰青铜Nax[Mn1-yCoy]O2,其中Nax[Mn1-yCoy]O2(0.3≤y≤0.5)具有理想的层状P2结构;以P2结构的Nax[Mn1-yCoy]O2为前驱体,离子交换后得到O2结构产物Lix[Mn1-yCoy]O2,并进行了XRD,ICP和电化学性能研究,结果表明不同Mn/Co投料比对前驱体中Nax[Mn1-yCoy]O2的结构有较大的影响,并且不同的离子交换方法对产物Lix[Mn1-yCoy]O2的结构和组成有较大的影响。对Li0.9Mn0.7Co0.3O2在充放电电压为2.6-4.5V(vs.Li /Li),电流密度为0.2mA/cm2的充放电条件下进行电化学测试后发现,该材料的首次充放电容量达152.70mAh/g,且循环性能良好。     

LiNi0.85-xCoxMn0.15O2电化学性能的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法计算了空间群为R-3M,具有层状结构的LiNi0.85-xCoxMn0.15O2的带隙、分波态密度、嵌锂形成能和晶胞体积.计算结果表明LiNi0.65Co0.2Mn0.15O2具有较高的可逆容量,又具有较好的电池性能,为该系列金属氧化物中较为理想的锂离子电池正极材料,与文献的结果相比较,我们发现理论计算结果与实验结果有较好的一致性.本文采用CASTEP中原子混合实现镍钴含量的变化后,分析了LiNi0.85-xCoxMn0.15O2的物理性质及电化学性质.揭示了镍钴含量变化对材料作为锂离子电池正极材料的性能的影响,进而为寻找新的正极三元材料提供理论指导.     

Structural and magnetic properties of Fe3O4 nanoparticles prepared by arc-discharge in water

By using a simple and low-cost arc-discharge method in deionized water, high purity Fe3O4 nanoparti- cles have been synthesized on large scale. The structure of these nanoparticles has been studied by means of transmission electron microscope and X-ray diffraction. The synthesized Fe3O4 nanoparticles show well-defined spherical shape, with diameters ranging from 10 to 30 nm and the average diameter about 20 nm. By investigating the effects of the different processing conditions, optimum parameters were obtained. Moreover, the size of the as-grown nanoparticles can also be controlled through ad- justing the processing parameters. These Fe3O4 nanoparticles were magnetic materials, showing saturation magnetization of 64.97 emu/g at room temperature.     

高温固相法制备Sm2O3掺杂La2Ce2O7热障涂层材料

以La2 O3、CeO2和Sm2 O3为原料,采用高温固相反应法制备了Sm2 O3部分掺杂La2 Ce2 O7热障涂层陶瓷材料,其化学式为(SmxLa1-x)2Ce2O7.采用X射线衍射法研究了试样的物相结构,并通过对比各实验条件下制备的试样的X射线衍射图谱,对试样的掺杂比例、烧制温度及烧制时间进行了探究.结果表明,所制备试样为萤石结构,当掺杂摩尔比Sm：La为1：2或1：3时试样均能保持良好的相结构,以掺杂摩尔比Sm：La=1：2制备的( Sm0.33 La0.67)2 Ce2 O7材料在1600℃下具有良好的相稳定性,且其最佳制备条件为1550℃下烧制10 h,该材料是一种很有潜力的新型热障涂层陶瓷材料.