PTCDA/p-Si异质结势垒的形成及电流传输机理分析

根据有机半导体材料 PTCDA与无机半导体 p型 Si能够形成同型异质结PTCDA/p- Si,分析讨论了它在正、反向偏压作用下的能带结构及其电流～电压特性。     

降低Si基有机光电探测器暗电流的研究

报道了以P型Si单晶为衬底,在其表面真空蒸发有机半导体材料苝四甲酸二酐（PTC-DA）,由此制作的异质结PTCDA/P-Si（有机/无机）光电探测器,通过Si单晶表面处理及衬底温度的控制可降低其暗电流提高灵敏度的方法.     

(112)面CdTe/Cd1-yZnyTe,Hg1-xCdxTe/CdTe和CdTe/GaAs异质结的方向倾斜

用X射线双晶衍射(XDCD)法测得分子束外延(MBE)法生长的CdTe/Cd0.959Zn0.041Te(112)B异质结的倾斜角为0.2185°,而且朝［1-1-1］晶体学方向倾斜.为了获得较精确的倾斜角值,绘制了外延层和衬底衍射角的差值Δθ与绕样品表面法线旋转的角度φ之间的准正弦函数.为高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)分析制备了MBE法生长的Hg0.535Cd0.465Te/CdTe/GaAs(1-12)B多层异质结的横截面薄膜.CdTe/GaAs异质结的HRTEM明场象表明CdTe(1-12)缓冲层相对于GaAs(1-12)衬底朝［1-11-］方向倾斜约3°,并且在Hg0.535Cd0.465Te/CdTe异质结,Hg0.535Cd0.465Te(1-12)外延膜相对于CdTe(1-12)缓冲层在［11-1］方向,即［1-11-］的反方向倾斜约1°.也分析了Hg0.535Cd0.465Te/CdTe/GaAs多层膜之间的倾斜角关系.     

（112）面CdTe／Cd1—yZnyTe,Hg1—xCdxTe／CdTe和CdTe／GaAs异质结的方向倾斜

用 X射线双晶衍射 ( XDCD)法测得分子束外延 ( MBE)法生长的 Cd Te/ Cd0 .959Zn0 .0 4 1 Te( 112 ) B异质结的倾斜角为 0 .2 185°,而且朝 [1- 1- 1]晶体学方向倾斜 .为了获得较精确的倾斜角值 ,绘制了外延层和衬底衍射角的差值Δθ与绕样品表面法线旋转的角度 之间的准正弦函数 .为高分辨率透射电子显微镜 ( HRTEM)分析制备了 MBE法生长的 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As( 1- 12 ) B多层异质结的横截面薄膜 .Cd Te/ Ga As异质结的 HRTEM明场象表明 Cd Te( 1- 12 )缓冲层相对于 Ga As( 1- 12 )衬底朝 [1- 11- ]方向倾斜约 3°,并且在 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te异质结 ,Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te( 1- 12 )外延膜相对于 Cd Te( 1- 12 )缓冲层在 [11- 1]方向 ,即 [1- 11- ]的反方向倾斜约 1°.也分析了 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As多层膜之间的倾斜角关系 .     

石墨烯/PC6/石墨烯异质结输运性质第一性原理研究

自石墨烯成功制备以来,二维碳基材料的研究受到了广泛关注,可期待克服硅基场效应管中出现的短沟道效应.采用密度泛函理论和非平衡态格林函数相结合的第一性原理方法,研究了石墨烯/PC₆/石墨烯异质结输运特性.研究发现金属的石墨烯与半导体的PC₆之间为肖特基接触,形成的势垒为0.15 eV.在非平衡态下,电流随电压增大,呈非线性增加特性.在较小的偏压下,可获得较大的开路电流.     

水热法制备菱面体BiFeO_3/CdS复合材料及其可见光性能（英文）

通过两步水热法成功制备了不同摩尔比例的新型异质结复合催化剂BiFeO_3/CdS.利用XRD、SEM和UV-vis等手段对复合材料的物相、形貌和光学性能进行了表征;并通过降解罗丹明B(RhB)对其光催化活性进行评价.结果表明,与单独半导体材料相比,复合催化剂在可见光下光催化降解效率更高,稳定性能更加优异.此外,本文还探讨了光催化降解机理.     

水热法制备菱面体BiFeO3/CdS复合材料及其可见光性能

通过两步水热法成功制备了不同摩尔比例的新型异质结复合催化剂BiFeO3/CdS利用XRD、SEM和UV vis等手段对复合材料的物相、形貌和光学性能进行了表征;并通过降解罗丹明B(RhB)对其光催化活性进行评价.结果表明,与单独半导体材料相比,复合催化剂在可见光下光催化降解效率更高,稳定性能更加优异.此外,本文还探讨了光催化降解机理     

复相多铁材料中电场调控自旋的翻转

电场调控的自旋翻转因在低能耗高密度的新型存储器件中有巨大的应用潜力而受到人们的广泛关注.在复相多铁材料中,利用磁电耦合效应有可能实现电场调控自旋的翻转.我们在CoPt/PMN-PT异质结中,利用电场调控矫顽力的变化,实现了电场调控自旋的翻转.在铁磁形状记忆合金Mn-Ni-Sn与0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3组成的复合材料中,通过电场调控交换偏置场的变化,无需偏置磁场就可以实现电场调控自旋的翻转.     

V2NO2/TiSi2N4异质结界面性质调控的理论研究

使用第一性原理计算研究了外加电场对V₂NO₂/TiSi₂N₄异质结构接触类型和肖特基势垒的调控．计算结果表明,外电场可以有效地调控V₂NO₂/TiSi₂N₄肖特基势垒的高度及其异质结的接触类型．正负向外电场均能实现V₂NO₂/TiSi₂N₄异质结构p型与n型肖特基接触之间的动态转化．此项工作为基于TiSi₂N₄半导体的肖特基功能器件及场效应晶体管的应用提供理论基础．     

外电场调控V2NO2/MoGe2N4异质结界面性质的第一性原理

采用第一性原理计算系统地研究V₂NO₂和Mo Ge₂N₄的基础性质,及其异质结界面的电场响应特性．V₂NO₂具有类金属特性,Mo Ge₂N₄为间接带隙半导体特性．两种结构搭建的异质结具有六种不同堆叠方式,全部构型进行优化并选用了最低能量构型进行电场响应特性分析．V₂NO₂/Mo Ge₂N₄异质结构的界面相互作用为范德瓦尔斯相互作用,两种结构在异质结中良好地保持了自己的本征性质．在外电场的调控下,V₂NO₂/Mo Ge₂N₄异质结可以在p型肖特基接触和欧姆接触之间转换．结果表明,V₂NO₂/Mo Ge₂N₄是可调的金属/半导体接触．     

水平二层土壤中矩形复合地网基础接地电位研究

用矩量法,对埋在水平分层的二层土壤中的矩形混凝土内含有水平以及竖直钢筋的复合接地网,在地面所产生的电位进行了研究,得出计算公式,用FORTRAN语言编制了计算程序,用MATLAB软件绘制出电位分布图.由图看出,混凝土以及土壤的电阻率对地面电位分布影响较大,当混凝土电阻率远大于土壤电阻率时,地面地位分布与没有混凝土的地网相近,此时,地面电位在钢筋外部边角附近下降较快,跨步电压在此处形成一个峰值;当混凝土电阻率远小于土壤电阻率时,地面电位则在混凝土的外部边角附近下降较快,跨步电压在此处形成一个峰值;当混凝土电阻率与外部土壤电阻率相差不是很大时,跨步电压则在钢筋外部边角附近以及混凝土的外部边角附近各形成一个峰值.从安全接地来看,利用基础接地时,应对这2处跨步电压可能出现峰值的地方都加强安全措施.     

基于动态模拟实验分析企业供电系统的稳定性

针对某公司年产60万t乙烯改扩建项目的供电系统结构,重点研究了在该供电系统结构下大功率电动机启动对系统母线电压的影响．根据电力系统理论,在试验室里仿真建立一个供电系统的动态物理模型,利用仿真实验结果来验证供电系统设计的合理性和可靠性,并通过供电系统的实际运行情况也验证了实验的正确性．     

电介质对电位移矢量的影响

本文讨论了电位移矢量仅与自由电荷有关的条件及极化电荷的分布规律，从而得出了电位移矢量一般情况下不仅与自由电荷有关，而且还与极化电荷有关的结论。     

求解串联电容器的限制条件

本文从电路理论出发，经严密推导得出结论，实际串联电容器的电压与电量大小与所采用电源的频率有关，文献[1,23]的结论只有通有高频交流电压时适用，对文献[1,2,3]的试点起到补充说明的作用。     

双层聚合物发光器件中的输运特性研究

基于载流子电导是空间电荷限制与空间电荷在器件内部指数减小的假设,通过引入电荷空间分布的特征长度及有效迁移率,并考虑注入电流为热电子电流和隧穿电流,由此对器件的输运特性进行了详细讨论.结果表明电荷空间分布的特征长度对器件中的载流子浓度、电场强度及电流有很大影响;器件功能层厚度对器件的电场强度影响较大,对器件I-V特性影响不大.     

球对称分布带电体电场强度的计算方法研究

当带电体的电荷分布具有某些特殊对称性时,电场强度分布也具有一定对称性,选择合适的闭合积分曲面即高斯面,就可用高斯定理计算电场强度.应用高斯定理对球对称分布带电体求解电场强度,能加深对高斯定理应用范围及其使用方法的理解.     

高压交变芒刺电场对大豆种子萌发及活力的影响

将水域中培养的大豆种子,置于电场中处理3 d,30 min/d,25℃光照培养箱中培养,使其发芽.观察测量其发芽势、发芽率、发芽指数、活力指数、芽长、芽鲜质量、芽干质量和过氧化氢酶活性(POD activity)及可溶性蛋白含量(soluble protein content)等指标.结果发现,高压交变芒刺电场对大豆种子萌芽具有促进作用,特别是2 kV电场处理组与对照组相比发芽率、发芽指数和活力指数分别提高了15.0%,51.2%和127.4%,过氧化氢酶活性比对照组提高83.9%,可溶性蛋白含量比对照组提高16.1%.     

在高真空条件下镀制的光学膜

本文论述了在高真空条件下(P<2×10~(-3)Pa)制备的电介质膜、高反射金属膜、吸收材料的半透明膜.讨论了产生高透射率电介质膜和反射率金属膜的某些重要因素.