ZnS:Cu:Cl,Er直流场致发光薄膜极性的研究

本文认为,ZnS:Cu,Cl,Er薄膜的不同直流场致发光极性和光生伏特极性,系因不同的薄膜结构引起。初步理论分析与观察到的亮度-电压、电流-电压关系以及主要发光谱线的亮度-电压关系曲线相一致。     

薄膜的场致发光

估计进导带的具体结构，计算了碰撞激发截面，从其六个主要特征中看出过热电子能量的重要性，提出了分层优化方案，对预热，加速、发光层分别优化以提高过热电子能量，并以谱线丰富的Ｅｒ３＋离子作为发光材料的激活剂，利用其发光强度的蓝或绿红比定性地表示电子的能量，从发光的亮度、效率、蓝红或绿红比都显示了这一方案的优越性．进一步分析了过热电子的能量分布、倍增发生的区域及其系数、场致发光强度与能级寿命的关系、发光的二次陡升、激发态的离化、能量弛豫及传递、界面上的能带断错及弯曲、深陷阱的空间分布等．它们的数据都支持分层优化方案的正确性、优越性     

薄膜的场致发光

估计进导带的具体结构，计算了碰撞激发截面，从其六个主要特征中看出过热电子能量的重要性，提出了分层优化方案，对预热，加速，发光层分别优化以提高过热电子能量，并以谱线丰富的Ｅｒ＾３＋离子作为发光材料的激活剂，利用其发光强度的蓝或绿红比定性地表示电子的能量，从发光的亮度、效率、蓝红或绿红比都显著了这一方案的优越性。进一步分析了过热电子的能量分布，倍增发生的区域及其系数，场致发光强度与能级寿命的关系、发光     

ZnS:TmF3薄膜电致发光特性的研究

为了提高蓝色薄膜电致发光器件(TFEL)的发光亮度,自行配制了氟化铥(TmF3),并制备了以ZnS:TmF3为发光层的薄膜电致发光器件,研究了TmF3的掺杂浓度对ZnS:TmF3 发光器件发光特性的影响.实验结果显示,当掺杂浓度为1.2%mol时,发光亮度最强.     

ZnS:Cu,Cl,Er场致发光薄膜光生伏特效应的研究

某些ZnS:Cu,Cl,Er薄膜,非但在直流场作用下有发光现象(D C E L),而且在光照射下呈现光伏现象(P V E)。实验发现这两个现象之间存在有趣的联系,因此对其光伏现象的研究有助于了解其场致发光过程。     

薄膜场致发光屏研制成功

一种性能优于目前国内外通用的液晶、阴极射线管、等离子体、真空荧光、发光二极管等显示器的新一代固体平板显示器——薄膜场致发光屏,在天津理工学院材料物理研究所正式通过天津市科委组织的科技成果鉴定。这种发光屏是一种直接将电能转换为光能的显示器。有关专家认为,这项研究所选用的新材料,采用预热电子、加速电子和激发发光中心等过程的三层或多层结构均属国际首创。     

薄膜场致发光数字动态显示

研制成稀土掺杂ZnS薄膜直流场致发光数字屏并用于数字动态显示设备中。本文着重描述数字多路显示电路的设计和消除“串字”的方法;采用电容存贮显示,从周期平均亮度的计算,求得亮度与电路参数之间的关系式。     

薄膜ZnS：Er^3＋的近红外发光

报道了用分舟热蒸发法研制的掺铒硫化锌薄膜器件的电致近红外发光特性，用Ｘ射线衍射技术对薄膜的微观结构进行研究，指出了掺铒薄膜发光与薄膜微结构的关系．     

交流粉末场致发光计时仪的研制

本文报道了用交流粉末场致发光屏做显示器、大规模集成电路和分立器件组成控制器,研制成大面积显示计时仪的实验结果。实践证明,该计时仪作为一种计时装置用于社会是成功的。     

溅射法制备ZnS∶Er~(3 )薄膜的微结构研究

利用射频磁控溅射法制备掺铒硫化锌薄膜，用Ｘ射线衍射和Ｘ射线光电子能谱技术，研究薄膜微结构，发现薄膜中多晶沉积有择优取向趋势，掺杂的铒有表面集聚现象，这将对薄膜的激发态产生影响．     

ZnS DOEL薄膜光电特性的研究

对Al-Al_2O_3-ZnS:Cu,Er,Cl-SnO_2直流薄膜电致发光(DCTEL)器件作了光电特性测量。发现被测器件的C-V特性类似于MIS结的特性。分析正向偏置器件产生电致发光,I-V、B-V关系,发光延迟与衰减及E_r~(3 )特征发射谱等实验结果,初步认为;在所研究的EL器件中,对应于E_r~(3 )特征谱线的发光中心不属于直接碰撞激发,而是敏化发光;Cu可能主要起着敏化剂的作用。     

PBMR法和ZnS:Er~(3+)薄膜的吸收光谱

本工作提出一种测定掺杂薄膜弱吸收的新方法,即平行偏振光布德斯特角多次内反射方法(简称PBMR法),有效地消除薄膜干涉对吸收光谱的影响,具有简单、可靠、灵敏度高的优点;应用PBMR法首次获得了稀土掺杂薄膜(ZnS:Er~(3+))的吸收光谱。     

BaFBr:Ce~(3+)的发光特性

研究了Ce~(3+)在BaFBr基质中的发光性质。根据不同激发(发射)条件下的发射(激发)光谱,鉴别出BaFBr:Ce~(3+)具有两种不同的发光中心。对发射光谱中的发射峰作了高斯峰分解,发现BaFBr:Ce~(3+)的发射峰是成对出现的双峰,分别对应于Ce~(3+)的两种不同的发光中心。它们可归属为~2D_(3/2)低能级到~2F_(5/2),~2F_(7/2)的双基态的跃迁。 实验表明,BaFBr:Ce~(3+)具有较好的发光性质,可以用作X射线或光致发光材料。     

水热法制备ZnS:Mn纳米晶体及其发光特性

研究了水热法(200°C)制备的不同浓度Mn掺杂ZnS纳米晶体发光特性。所合成样品为10～16 nm的立方相纤锌矿结构,随着Mn掺杂浓度的增加,PL光谱峰值产生了红移。在摩尔比为10 ％ Mn掺杂时PL发光最强。讨论了样品的发光机理,计算了晶体场强度,同时观察到摩尔比为10 ％ Mn掺杂样品发出白光,说明其在白光LED及全色荧光粉中具有潜在的应用价值。     

ZnO:Al(ZAO)薄膜的特性研究

用直流磁控反应溅射技术制备了综合性能优良的ZnO:Al(ZAO)薄膜.X光衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和Auger电子能谱(AES)等分析结果表明,适量的铝掺杂和氧流量可有效地控制Al2O3相的生成.铝在薄膜表面的存在形式单一,并且Zn,O,Al各元素纵向分布均匀.理论与实验研究表明,对于高度简并的ZAO半导体薄膜,在温度较低时,离化杂质散射占主导地位;温度较高时,晶格振动散射将成为主要的散射机制;晶界散射仅当晶粒尺寸较小(与电子的平均自由程相当)时才起作用.此外,优化工艺参数可获得低电阻率(～5×10-4Ωcm)的ZAO薄膜.在可见光区,其透射率＞80%;在近中红外光区,其反射率＞60%.     

掺入Eu~(3+)中间层对ZnS:Mn~(2+)核壳量子点发光特性的影响

掺入稀土元素有望实现半导体量子点的尺寸可调的光谱吸收与稀土离子窄的发射峰的有效利用.利用高温成核法合成出EuxZn1-xS:Mn(x=0、0.2、0.4、0.6、0.8、1)核壳量子点.X射线衍射结果表明,不同Eu3+掺入量的量子点样品为闪锌矿结构;X射线光电子能谱结果表明,在1120~1180 e V之间存在Eu3+的3d3/2和3d5/2峰.光致发光谱和时间衰减曲线表明,随着Eu3+掺入量增加,发光强度和荧光衰减寿命呈现出先增强后减小的趋势,Eu3+和Mn2+之间存在偶极子—偶极子相互作用的无辐射能量传递过程.     

CeO_2:Eu~(3+)薄膜的制备及其发光性能研究

采用Pechini法制备Eu3+掺杂的CeO2:Eu3+薄膜.利用X射线衍射(XRD)﹑原子力显微镜(AFM)和光致荧光光谱(PL)对样品进行表征.结果表明:薄膜样品在700℃就结晶成纯面心立方萤石结构的多晶薄膜;PL激发谱中,300～360 nm的宽带激发峰起源于基质CeO2的吸收.     

(Ba0.8Sr0.2)TiO3薄膜的室温发光行为研究

以醋酸钡和钛酸丁酯基特殊前驱体为原料,采用溶胶凝胶法制备钛酸钡锶(Ba0.8Sr0.2)TiO3(BST0.8)铁电薄膜,研究了组织结构、微观形貌和光致发光性能.结果表明,非晶BST0.8铁电薄膜表面表现为尺寸约为20 nm左右的岛状结构,光滑致密,无裂纹和孔洞等缺陷,1μm2表面粗糙度约为1.74 am.激发波长为450nm时,在室温环境下非晶BST0.8薄膜在波长520～610 nm处发出强烈的可见光,峰值为540～570 nm,结晶态的BST0.8薄膜无发光现象.非晶BST0.8薄膜在波长330～900 nm范围表现为极高的透过率,光学透过率大于80%,最高峰值达93%.     

ZnS:Cu2+应力发光薄膜力学性能研究及应用

采用ZnS:Cu²⁺应力发光粉末与聚二甲基硅氧烷(PDMS)混合制备ZnS:Cu²⁺-PDMS应力发光薄膜。利用数字图像相关(DIC)方法对ZnS:Cu²⁺-PDMS应力发光薄膜进行轴向拉伸测试,获得其全场变形、应变分布信息,证实其具有良好的柔弹性形变性能。将ZnS:Cu²⁺-PDMS应力发光薄膜应用于混凝土断裂监测中。监测结果表明：ZnS:Cu²⁺-PDMS应力发光薄膜在混凝土裂缝扩展过程中发光效果明显,可以较好地实现混凝土断裂过程的可视化监测。     

金刚石薄膜场致发射的研究

给出了以硅片和钼片作基底,在不同掺杂状态下的几种金刚石薄膜的发射特性和两种金刚石 薄膜的扫描电子显微镜照片及喇曼光谱.测试结果表明,掺杂后的金刚石薄膜的发射电流密 度可增大一个数量级.