“战略性先进电子材料”重点专项——印刷TFT材料与器件的研究

根据国家重大研发计划战略性先进电子材料专项中新型显示的指南方向,以天津大学胡文平教授为首席科学家的项目组整合国内印刷TFT材料与器件相关企事业优势单位,通过全链条设计,解决印刷TFT材料与器件面临的重大科学问题,并分5个课题开展研究:材料、墨水、器件、阵列、集成。项目旨在开发国际领先、具有应用潜力和自主知识产权的印刷TFT材料和器件技术,抢占战略性先进电子材料国际制高点,确立我国在该领域的领先地位。     

短波长半导体发光材料与器件的研究进展

叙述了GaN及ZnO发光材料与器件的研究进展,同时简单介绍了GaN发光器件的应用.     

超宽禁带二维半导体材料与器件研究进展

超宽禁带二维半导体作为二维材料研究领域的前沿之一,在紧跟第三、四代半导体朝着大带隙、大功率方向发展的同时,也为集成电路往小体积、高集成度方向的探索提供了思路.根据晶体堆积是否为范德华层状结构,超宽禁带二维半导体在材料层面的研究内容一方面是将已有的或成熟的非层状材料通过各种限制手段将第三维度压制在纳米量级,另一方面则是探索新型的范德华层状材料通过生长或剥离的方式得到其单层或少层结构.从器件层面看,超宽禁带二维半导体无论是以独立形式还是两两组合叠成异质结,形成的器件大多都以探测紫外波段的电磁辐射为目的,进一步可以做成包括成像系统、数字通讯等在内的光学传感器.若是辅助以柔性衬底,那么二维材料将发挥天然的可弯折优势,被广泛应用到柔性场效应晶体管、柔性紫外探测器、显示器等可穿戴电子器件中.而当材料有对外界刺激(如光照)表现出“记忆”特性时,说明可以将材料用于类神经突触传感或神经网络学习.此外,超宽禁带二维半导体中具有超大带隙的部分材料是极具潜力的电介质,它们往往拥有远比氧化硅大的介电常数与击穿电压,在减薄器件体积的同时也优化了器件的性能.最后,少数超宽禁带二维半导体是许多材料制备过程中的衬底,它...     

碳化硅材料与器件

对碳化硅的研究从1907年就开始了，当时H．J．Round通过在一个金属针和碳化硅晶体之间加上偏压示范了黄色与兰色的辐射光。1932年俄国科学家OleyLosev发现了出自碳化硅的两种类型的光辐射，现在我们称之为预击穿光线和场致发光辐射。人们在半个世纪以前已经认识到了在半导体电子学中使用碳化硅的潜力。它最值得注意的性质是（1）宽能带间隔，对于不同的多形体为3至3．3eV；     

新一代CMOS器件栅介质材料研究进展

随着微电子技术的飞速发展,按照摩尔定律发展的要求,SiO2的极限厚度已经成为Si基集成电路提高集成度的瓶颈。寻求代替SiO2的其它新一代高k栅介质已成为当今微电子技术发展的必然趋势。文章介绍了几种最有可能成为下一代栅介质的高k材料,并对其研究进展和存在的问题进行了阐述。     

有机光伏材料与器件

正有机光伏器件是由共轭聚合物(或p-型共轭有机小分子)给体和富勒烯(或非富勒烯n-型有机半导体)受体的共混膜夹在透明导电电极和金属电极之间所组成,具有器件结构简单、制作成本低、重量轻和可制备成柔性器件等突出优点,近年来受到广泛关注,相关材料和器件的研究获得了快速发展。有机光伏器件研究的核心是提高光电能量转换效率(PCE),而提高效率的关键是拥有高效给体和受体光伏材料、高性能界面修饰层材料和新型器件结构。     

有机电致发光材料与器件

正有机/高分子电致发光(OLED/PLED)是指具有半导体特性的有机/高分子材料在电场的激发作用下发光的现象,具有驱动电压低、发光效率高、响应速度快、超轻超薄、可制作在柔性衬底上等优点,在平板显示和固体照明两个领域具有非常广阔的应用前景。按照器件工作原理,有机电致发光材料与器件研究的主要内容包括以下几个方面:活性层材料(红绿蓝三基色发光材料,包括荧光材料和磷光材料)、器件组装的匹配材料(空穴和电子注入与传输材料)、界面材料(阳极和阴极界面修饰材料)、电极材料(ITO电极、     

氮化镓的材料与器件

本书是新加坡世界科技出版公司出版的《电子学与系统专题》丛书的第33卷。GaN半导体具有独特的材料性质，这些性质引发了半导体系统光电子和电子器件的研究与开发的极大兴趣。氮化物材料与器件对高功率、高温度应用极为有前途，其主要优点是高电子迁移率和饱和速度、在异质结界面上的高层载流子浓度、高击穿电场及当它们生长在SiC或大量的A1N基片上时的低热阻抗。     

酞菁在分子材料器件方面的研究进展

酞菁是一个有近百年历史的老化合物,但围绕酞菁的研究工作常盛不衰, 这在有机光电子功能材料的研究中是极为罕见的. 最根本的原因是酞菁本身具有优异的光电性能和在现代科学技术一些领域里广泛的应用前景. 文中综述了酞菁在分子材料器件, 包括有机发光二极管,场效应晶体管和气体传感器方面的研究进展,并对今后的前景进行了展望.     

硅基阻挡杂质带红外探测材料与器件研究进展

红外探测在天文物理研究领域具有极其重要的应用前景,由于天文深空探测对象的特殊性,对红外探测器的性能要求十分苛刻.阻挡杂质带(BIB)红外探测器,因其具有响应波段宽、噪声低、灵敏度高以及抗辐射性能好等优点,在过去30年中发展成为国际上天文领域首选的红外探测器.BIB红外探测器的探测波长覆盖中红外到远红外波段,它的推广应用促进人类在天文深空探测领域取得了一系列重大的科学成果.我国在BIB红外探测器的研究起步较晚,近年来也取得了较大进展,但是与国际领先水平相比尚有较大差距.本文主要回顾、评述了过去5年多我国在BIB红外探测器领域的研究进展,对BIB红外探测材料及其相应BIB器件的制备工艺、物性表征和光电响应特性,以及表面等离激元对器件光电响应的调控等做了详尽介绍,为我国BIB红外探测器的发展提供参考和实验依据.     

应用于柔性有机电致发光器件的导电衬底材料研究进展

柔性有机电致发光器件(OLED)的制作是有机光电子领域内最具挑战性的课题之一.本文通过国内外近五年内柔性OLED器件衬底材料领域的最新研究成果,总结了柔性透明导电衬底材料的种类和制备技术,分析了各自的优缺点并提出了其未来的发展前景与趋势.     

太阳能电池材料的制备与器件调研

为了降低电池生产成本,满足未来可再生能源利用要求,人们对太阳能材料的研究始终没有停止。有机半导体材料具有制造简单、生产成本低、光伏效应明显等特点受到了人们的广泛关注。该文以导电聚苯胺太阳电池制备为例,探讨太阳能电池制造的相关技术,以期我国可再生能源的研究提供有意义的参考。     

高效蓝色有机发光材料与器件

有机半导体由于具有柔软性而可卷曲成形,具有可溶加工性而采用印刷成膜,从而使得加工成本有可能大大降低而受到广泛关注．本文针对有机发光材料中n型材料不足及宽能带与高电子传输性不可同时实现的难题,我们设计与合成了一系列的宽带电子传输材料并应用于蓝色磷光器件,实现了将近100％的内量子效率蓝色磷光．针对蓝色发光材料色度不纯的问题,我们设计了深蓝色荧光材料,其器件色度坐标CIE（0．15,0．08）,与NTSC标准蓝光相当接近,同时实现接近理论极限的外量子效率发光．针对器件中由于平面波导及表面等离激元等能量模式的损失,我们利用有机材料的自团聚现象在有机发光器件金属阴极上制备无规的纳米结构,把束缚能量转化成自由光子,使得顶出光效率提高到2．1—2．7倍,且不改变原有器件的发光光谱形状．     

光子学与光子器件的研究进展

<正>光学在科学中占有独特的地位,在所有的科学领域中唯有光学贯穿于整个科学发展的进程,从最早墨子的小孔成像到今天的量子通信。光学让人类对世界的认识从宏观到微观两个相反的方向无限地延伸。Fast望远镜已经观测到距地球1.6万光年的脉冲星,最新的显微镜已经能看到原子的形状。     

新型钙钛矿材料及器件

正2019年8月13日,主题为新型钙钛矿材料及器件的钙钛矿国际研讨会在成都举行。此次会议由WILEY出版集团、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、InfoMat期刊共同主办。会议重点围绕新型钙钛矿材料与器件的最新研究进展及其在光电、能源等领域的应用展开研讨。会议邀请了国内外相关领域近50名著名学者与会,共同推进相关领域的科技创新。电子科技大学副校长胡俊全主持会议开幕式。