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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
李翔  郭筝  赵立新 《科技资讯》2006,(33):62-62
本文介绍了CMOS图像传感器的最终测试系统的实现,包括硬件结构、Filter设计和顶层应用程序设计,着重介绍了在DirectShow平台下开发传输Filter的方法,并给出了最后的程序效果。  相似文献   

2.
CCD和CMOS图像传感器性能比较   总被引:4,自引:0,他引:4  
简单介绍了CCD(电荷耦合器件)与CMOS图像传感器的结构,并对二者的性能特点进行了比较。对他们的现状和发展趋势进行了分析,说明了CCD图像传感器和CMOS图像传感器之间存在的长期竞争。  相似文献   

3.
为解决在2.5 V供电下的LVDS(Low Voltage Differential Signaling)驱动器处理1.2 V数字信号时,由于传统电平转换电路性能较差,且易产生误码的问题,设计了一款应用于CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)图像传感器芯片的LVDS接口电路,该芯片中数字电路采用1.2 V供电,LVDS驱动器使用2.5 V供电.笔者提出两种电平转换电路方案,用于解决该问题.方案1将1.2 V数字信号进行电平转换,再使用D触发器对转换后的信号进行采样,从而避免误码的产生;方案2使用迟滞比较器作为电平转换电路.设计采用TowerJazz 65 nm CMOS工艺进行流片验证.经过测试,两种方案均有效地解决了LVDS驱动器误码的问题.  相似文献   

4.
CMOS图像传感器电路噪声分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
从基本电路原理出发,分析了采用互补金属氧化物半导体(CMOS)传感器获取图像的基本噪声来源,以及各噪声源的基本特性及其对输出图像的影响,讨论了不同系统结构CMOS图像传感器的图像噪声表现与相应噪声消除以及提高图像质量的系统解决方案,并进行了仿真验证.  相似文献   

5.
为解决在2. 5 V 供电下的LVDS( Low Voltage Differential Signaling) 驱动器处理1. 2 V 数字信号时,由于传统电平转换电路性能较差,且易产生误码的问题,设计了一款应用于CMOS ( Complementary Metal Oxide Semiconductor) 图像传感器芯片的LVDS 接口电路,该芯片中数字电路采用1. 2 V 供电,LVDS 驱动器使用2. 5 V供电。笔者提出两种电平转换电路方案,用于解决该问题。方案1 将1. 2 V 数字信号进行电平转换,再使用D 触发器对转换后的信号进行采样,从而避免误码的产生; 方案2 使用迟滞比较器作为电平转换电路。设计采用TowerJazz 65 nm CMOS 工艺进行流片验证。经过测试,两种方案均有效地解决了LVDS 驱动器误码的问题。  相似文献   

6.
基于CMOS图像传感器的纳型卫星遥感系统设计   总被引:4,自引:0,他引:4  
为满足纳型卫星的遥感系统要求,设计了一套基于互补型金属氧化物半导体CMOS图像传感器的纳型卫星遥感系统,采用PC机模拟星上数据处理系统的功能,通过控制器局域网CAN(controller area network)总线实现了对CMOS相机的控制和图像传输等功能.通过热循环实验,得到了该CMOS相机平均暗输出和暗不一致性随温度的变化曲线,预测其适于在10~25℃的空间温度环境中工作,并可经受-25~60℃的卫星舱内温度变化.  相似文献   

7.
图像传感器CMOS的性能及发展趋势   总被引:1,自引:0,他引:1  
自20世纪90年代以来,互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器随着大规模集成电路技术的提高,发展势头也越来越强劲。主要介绍了CMOS图像传感器的工作过程,通过CMOS与电荷耦合器件(CCD)的性能参数对比,凸显出了CMOS的性能优势,并指出了CMOS的发展趋势。  相似文献   

8.
基于CMOS图像传感器IBIS5-A-1300 的成像系统设计   总被引:4,自引:0,他引:4  
介绍CMOS图像传感器IBIS5-A-1300的内部结构、主要特征和工作过程;对CameraLink接口的原理和优势做了简介;在此基础上结合Xilinx的FPGA芯片设计了一款成像系统,对系统的软硬件设计过程做了说明,并对其可行性做了简要分析。  相似文献   

9.
压缩传感信号采样理论,将信息获取的技术问题从采样端转移到接收端,并使采样率很低的信号能被精确重建.与压缩传感技术不断完善的理论研究相比,其硬件结构实现更是研究的新方向.本文提出了一种基于压缩传感的CMOS图像传感器硬件电路结构,在模数转换前实现了图像的同时传感并压缩,可用于超高速成像.该结构采用1.8V0.18μm CMOS工艺实现,帧率可达每秒几万到几十万帧,适合于压缩传感的应用.  相似文献   

10.
目前在科技研究、工业生产等各行业中,对于位移的高精度测量都是不可或缺的。利用光栅传感器完成测量是目前的主要方法。光栅传感器利用光电转换的原理将位移转换为电信号,该信号经过整形、细分后输出给后级电路完成对信号的处理,最后得到位移大小方向。本文在分析光栅传感器工作原理的基础上,提出借助CMOS图像传感器代替传统的硅光电池检测莫尔条纹,完成信号的细分,实现对位移的高精度测量。文中介绍了整体电路的设计和单片机系统的硬件及软件流程。  相似文献   

11.
CMOS图像传感器技术特点的分析与研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
分析CMOS图像传感器的原理、性能。从特点上比较各个类型CMOS图像传感器的优缺点,指出了CMOS图像传感器的技术问题。  相似文献   

12.
本文介绍了一种以AVR单片机为控制平台的廉价,快速,简洁的基于CMOS图像传感器的机器人寻线控制系统。系统通过CMOS传感器对地面的深绿色和白色图像信号进行采集和二值化处理,得到的信号通过AVR单片机后输出PWM波和D/A信号去驱动行走机构。实行了对机器人的寻线行走控制准确定位。为提高机器人的自主性和智能性,本系统在设计中还使用了红外遥控实现机器人的无线启动功能和使用超声波模块实现机器人的避障检测功能。  相似文献   

13.
一种用于CMOS图像传感器的彩色插值算法   总被引:1,自引:0,他引:1  
讨论一种对CMOS图像传感器输出原始图像的彩色插值的新算法.该算法利用Bayer彩色滤光阵列的色信号特性和自然景物的一些特征,减少了常规插值算法带进的噪声.实验结果表明该算法恢复的图片与常规算法相比,轮廓更清晰,伪色彩更少.  相似文献   

14.
结合CMOS图像传感器ADCS-2121在全自动便携式太阳辐射计中的应用介绍了CMOS图像传感器在光学系统定位中的具体应用,并与传统的采用四象限探测器作为光斑探测器进行了比较。结果表明,此种方法具有定位精度高、可自由规定零点等优点,且根据需要规定CMOS图像传感器表面的跟踪范围,具有很好的应用性。  相似文献   

15.
设计了一种基于新型像素结构的高速低功耗图像传感器芯片.芯片采用提出的梯度掺杂掩埋型光电二极管(PPD)和非均匀掺杂沟道传输管的像素结构,有效地提高了PPD中光生载流子的横向转移速度,降低了光生载流子的残留,减少了图像传感器芯片的拖尾现象.芯片采用低功耗设计的像素信号读出电路阵列,降低了图像传感器芯片的整体功耗.图像传感...  相似文献   

16.
近年来提出的压缩感知理论将信号采样和压缩同时进行,突破了奈奎斯特采样定理的限制,为低采样高分辨率成像提供了可能.为此,提出了一种基于CMOS图像传感器的压缩感知成像算法,采用并行处理策略对CMOS图像传感器A/D转换前的模拟像素矩阵进行压缩采样,减轻了A/D转换模块的负担,大大降低了CMOS图像传感器的功耗,并且该算法实现电路简单.仿真结果表明,所提算法能快速有效地进行测量值的获取,利用TVAL3算法重构的图像主客观质量较好.  相似文献   

17.
基于SMIC 0.18gm工艺设计了一种低噪声的四管像素结构。通过在像素内增加传输管和存储节点实现了相关双采样,可同时消除固定模式噪声和随机噪声;采用Pinned光电二极管技术大幅降低了表面暗电流。所设计像素尺寸为3.6μm×3.6μm,并将其应用于一款648×488像素阵列CMOS图像传感器,经流片测试,图像传感器信噪比可达42dB,在25℃下表面暗电流为25mV/s(转换成电压表示的)。所设计的四管Pinned光电二极管像素结构相对于传统三管像素结构,具有较低的噪声和暗电流。  相似文献   

18.
分辨率是CMOS图像传感器最重要的指标之一,分辨率越高,意味着像素阵列越大,像素阵列横向尺寸的增大对时序控制驱动电路的驱动能力提出了更高的要求,纵向尺寸增大也使得延迟影响行选信号的正常产生.本文研究了超大阵列CMOS图像传感器时序控制驱动电路.在像素阵列尺寸确定的情况下,采用左右两端同时驱动来提高控制电路的驱动能力,分...  相似文献   

19.
王洪彬 《科学技术与工程》2012,12(14):3478-3482,3489
设计了一种集成多功能控制电路的智能化CMOS图像传感器,并应用数模混合集成电路的设计流程做了电路实现。详细描述了芯片架构的细节以及设计流程。设计的每个功能都在仿真系统中经过验证。实现的功能包括:可选快门模式(全局模式及滚动模式)、相关双采样、可编程增益放大器、开窗口、多窗口(多达4个独立窗口)、亚采样、反转、镜像、可扩展动态范围的多次复位技术、SPI(Serial Peripheral Interface,串行外设接口)等。  相似文献   

20.
首先介绍了CMOS图像传感器的发展状况,并简单分析了影响其性能的一些因素;然后详细介绍了高填充系数技术和直接成像传感器技术,及其对CMOS图像传感器性能的改善,并对这两种技术的应用做了介绍;最后说明了CMOS图像传感器和CCD图像传感器之间将存在的长期竞争。  相似文献   

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