半导体光催化杀菌的机理和应用

综述了半导体光催化杀灭菌的两种机理，光生空穴和形成于半导体颗粒表面的活性氧类（·ＯＨ，Ｏ２－·，ＨＯ２·，Ｈ２Ｏ２）与细胞壁、细胞膜或细胞内的组成成分进行生化反应，使细胞功能单元失活而致细胞死亡．半导体杀菌效应在光动力学疗法和水的深度处理方面有着广泛的应用前景．     

光电转换中敏化剂的光增感效应

采用具有光和能的有机染料或导电高聚物作为光敏化剂，将其修饰到半导体超微粒多孔膜电极上，能使宽禁带宽度半导体电极吸收的光波长扩展至可见和红外光区，大大提高和改善该复合电极的光电转换效率。本文对敏化剂的作用机理、修饰电极的光增感作用进行了探讨。     

高速半导体激光器超短光脉冲产生及脉宽测试

报道了利用增压开关半导体激光器产生超短光脉冲的实验结果，研制了适合测量半导体激光器超短光脉冲宽度的强度自相关测试系统，测得其脉宽为４０ｐｓ。     

增益钳制半导体光放大器的实验研究

为了提高半导体光放大器（SOA）的3dB饱和输出功率和稳定增益，用外腔反馈的方法在普通半导体光放大器的增益谱边缘引入一个钳制激光振荡，研制了增益钳制半导体光放大器（GC－SOA），对其阈值特性，增益特性及开关特性进行了实验研究，结果表明，通过在SOA的增益谱边缘引入钳制激光，稳定了SOA的增益，使SOA的饱和输出功率提高了4dB.     

强调制半导体激光超短光脉冲

从理论上讨论了强调制半导体激光器产生的超短光脉冲，解释了用微波强调制半导体激光器产生超短光脉冲的实验结果．     

加研制出新一代纳米捕光“天线”

近日,加拿大科学家从植物的光合作用装置——捕光天线中汲取灵感，研制出了新一代纳米捕光“天线”，它能控制和引导从光中吸收的能量。特殊的纳米材料“量子点”由美国耶鲁大学的物理学家提出，其往往是由砷化镓、硒化镉等半导体材料为核，外面包裹着另一种半导体材料而形成的微小颗粒。     

滤波光反馈半导体激光器的动态特性及混沌同步通信研究

理论推导了滤波光反馈半导体激光器的稳定输出条件,比较分析了常规光反馈和滤波光反馈对半导体激光器输出动态特性的影响;同时,建立了基于速率方程的滤波光反馈半导体激光器混沌同步通信系统模型,研究了滤波光反馈半导体激光器系统的混沌同步特性和通信性能。结果表明：窄带滤波反馈可以保证半导体激光器持续工作在稳态输出状态;适当滤除反馈光的高频成分,可以扩展混沌半导体激光器系统的稳定同步区域,增强混沌同步鲁棒性,提高系统的混沌同步通信性能。     

阶跃光激励下半导体的温度变化

建立了阶跃光激励下半导体材料温度变化的一维理论模型.采用本征函数法得到了阶跃光激励下半导体中光生载流子和温度随时间的变化关系,并研究了少数载流子寿命对这种变化的影响.同时,利用阶跃光激励的光热光偏转实验研究了少数载流子寿命不同的半导体样品的光热光偏转信号.实验结果与理论结果符合较好,表明阶跃光激励的光热技术可用于对半导体材料参数进行表征.     

半导体物理

本书是一本教材，系统地介绍了半导体物理的理论知识。为了使学生能更好地理解和应用这些理论和概念，本书还对一些基于半导体的重要系统的原理进行了简单的解释。全书共分10章。第1章半导体简介，介绍了半导体的定义和重要性、半导体理论的基础和一维理想结晶固体的量子态；第2章理想半导体的量子态，重点介绍了三维半导体的量子态；第3章纯半导体的激发态和含杂质半导体的量子态；第4章均相半导体的统计学；第5章半导体中的迁移现象；第6章光效应；     

量子阱光电子器件的发展与中国光电子器件产业的形成

光电子技术发展推动着信息时代的变革，作为其心脏的半导体光电子器件正带动着一个新兴产业--光电子产业。 量子阱激光器是半导体激光器发展的第三里程碑。因为其性能优越，成为一代理想的激光器，在光通信、光存储、光显示等方面得到应用。 目前，中国光电子产业已具雏形，已有多家光通信器件制造公司形成年产亿元以上产值。而以光存储、光显示为代表的非通信光电子器件发展势头极其迅猛。其国产化带动数字音像和数字存储产业、全色显示屏、汽车灯、交通灯以至固体白光灯等产业，年产值规模可望在百亿以上     

半导体光放大器对超短光脉冲放大过程中载流子寿命的变化

修正了人们在研究半导体光放大器对光脉冲的放大这一动态过程中把载流子寿命取为常数这一处理方法。通过考虑放大器中载流子的复合机制，提出了一个可研究载流子寿命变化的模型。数值计算的结果表明，在半导体光放大器对超短光脉冲进行放大这一动态吕，载流子寿命变化明显，且与输入脉冲的形状有关。     

基于半导体光放大器非线性效应的波长变换技术研究

由于半导体光放大器具有的高非线性特性,使得基于半导体光放大器的光子器件在光网络中得到了广泛的应用,本文对基于半导体光放大器的全光波长变换技术进行了讨论,并对各种波长变换技术的优缺点进行了分析。     

外腔半导体激光器的实验研究

本文报道了外腔半导体激光器的一些研究成果。利用闪耀光栅作反馈元件，对808nm波长的半导体激光器形成弱耦合外腔，实现了光谱特笥较好的窄线宽单模激光输出，线宽小于0.06nm，边模抑制比大于30dB，最大输出功率为35.4mW，总的光－光转换效率为46％。通过调整光栅转角，可以得到11.66nm的波长调谐范围。设计了光栅－反向镜联动结构，使外腔半导体激光器的输出方向不再随调谐而变化。     

增益开关半导体激光器特性的实验研究

本文用分布反馈半导体激光器和增益开关技术，研究了不同工作条件下超短光脉冲的输出特性。     

波长变换光网络的阻塞性能分析

利用一个生灭(Birth-Death)过程来描述波长路由光网络中的波长使用概率，用一个M／M／n／n排队模型描述波分复用(WDM)网络，基于链路独立性假设，研究了理想全光波长变换器和基于半导体光放大四波混频波长变换器对WDM光网络的阻塞性能影响。     

SnO_2 薄膜光谱透过率及气敏特性研究

研究了半导体氧化物ＳｎＯ２膜及其掺杂薄膜的光谱透过率气敏特性，导出了光波在固体介质中传播时的光折射率、消光系数、吸收系数的表示式，以及在“空气—薄膜—玻璃”三元系统中光透过率的近似表达式；解释了气敏使半导体氧化物薄膜系统光透过率变化的原因。所有这些结果与解释，与我们的实验结果相一致，也与一些文献报导的实验结果相符合［１，２］。     

一个新的脊背式硅光波导定向耦合器计算模型

本文提出了一个导波区域的等效折射率模型，并应用介质光波导的强耦合理论和有效折射率方法，给出一个较合理的大尺寸单模脊背式半导体光集成中定向耦合器的理论计算模型。并给出一系列计算结果。     

采用新型晶体测量超短光脉冲

采用新型晶体ＰＯＭ作倍频器件，建立了超短光脉冲二阶强度自相关检测系统，并对半导体超短光脉冲进行了测量。系统的最小可检测平均光功率为１００μＷ，可测最大脉宽为１８０ｐｓ，最高分辨率为１６ｆｓ。     

光催化材料

正半导体光催化是指光照射到半导体材料表面产生光生电子和空穴,光生电子具有强的还原能力,可以还原水制备氢气,还原CO2制备有机太阳燃料;光生空穴具有强的氧化能力,可以杀菌、消毒、降解污染物,自清洁材料表面等。半导体光催化材料已被国际公认为是一种最具潜力和重要的环境净化与太阳能转化材料,在环境、能源、化工、建材等领域应用前景十分广阔,是当前国际材料、化学、环境和能源等领域的研究前沿和热     

半导体激光血管内照射对人体的免疫调节作用

报道了半导体激光血管内照射对人体外周血Ｔ淋巴细胞亚群及ＮＫ细胞的免疫调节作用，实验结果提示：在２３例患者中经波长６５０ｎｍ，功率５ｍＷ的半导体激光血管内照射治疗１次，５次和１０次的患者中，ＣＤ３＾＋细胞亚群的百分率与照射前（６３．６６％）比较，分别提高到６５．８６％，６９．９４％，７５．０４％；ＣＤ４＾＋Ｔ辅助细胞在第十次治疗后也有所增加，半导体激光血管内照射对ＮＫ细胞及ＣＤ４＾＋／ＣＤ８＾＋具有