铟掺杂对氮化镓热导率的影响

使用铟（In）掺杂氮化镓（GaN）可以调制其许多性质,从而使其广泛地应用于各种领域。在应用过程中,材料的热导率是至关重要的性质,直接关系到器件的稳定性,因此对In掺杂GaN的热导率进行研究是十分必要的。本文使用第一性原理方法求解玻尔兹曼输运方程研究了In掺杂对GaN热导率的影响,结果表明掺入In之后,GaN的热导率明显...     

硅的浓度对Si-Ge合金声子热导率影响的数值研究

为计算硅的浓度对Si-Ge合金材料声子热导率的影响,利用线性插值的方法,对Si、Ge的参数进行取值.以Gauss-Legendre公式为基础进行数值积分,通过Matlab计算本征热导率与Callaway、Holland模型中声子热导率的比值.研究发现,当浓度fi与原子相对质量Mi满足关系:fGeMGe≈fSiMSi时,对声子热导率影响最大.     

流体混合程度对晶体生长速率的影响

运用化学反应工程的观点和方法研究了工业结晶过程中流体的混合状态及其对晶体生长速率的影响。结果表明，对全混流工业结晶器来说，在两种极端的混合（完全离集与最大混合）状态下，晶体生长速率有明显的差异，进而影响晶体产品的粒度及其分布。     

不同矿化时间下水杨酸对碳酸钙晶体生长的影响

以有机小分子水杨酸为添加剂对碳酸钙晶体的生长进行调控,并用X-射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和热重分析(TGA)方法对碳酸钙晶体的晶型和形貌进行了表征。结果显示,当pH值为7.0,加入0.04 mmoL水杨酸时,反应6小时和12小时后碳酸钙晶体的晶型为球霰石和方解石的混合晶型;而当矿化时间延长到24小时后,球霰石的晶型几乎消失,产物基本为方解石。     

碳纳米管复合材料的有效热导率

考虑到碳纳米管的空间取向分布特征,建立了碳纳米管复合材料的有效热导率模型。根据Maxwell理论,推导出了计算碳纳米管复合材料有效热导率的简单公式。应用实例表明,该模型能够很好地解释在碳纳米管纳米流体中观察到的热导率异常增加现象,还可以用来分析纳米管复合材料的渗流性质,而且理论计算结果与实验结果吻合较好。     

含水量与孔隙率对土体热导率影响的室内实验

为建立热导率与影响因素间的确定性关系和推算公式,需要严格的实验,即研究某一影响因素时应保持其他因素不变.在严格控制其他各影响因素的情况下,分别研究了土体热导率随含水量(保持孔隙率、土样成分等不变)及随孔隙率(保持含水量、土样成分等不变)的变化规律,在此基础上再对影响因素的综合影响进行研究.并从微观的角度分析土体热导率的变化规律,研究其内在传热机制.分析发现,土样种类不同,热导率随含水量及孔隙率的变化规律也不同,同时还发现土体内部粘粒含量是表征热导率递变速率发生明显变化的重要因素.给出了土体热导率的经验公式,将该公式计算值与工程土体的实验值进行对比后发现,两者间相对误差较小,该公式可直接应用于实际工程.     

亚洲晶体生长和技术的发展

应亚洲晶体生长和晶体技术协会(ASCGCT)主席、韩国汉阳大学工学院院长吴根镐(Keun Ho Auh)教授的邀请，笔者于2003年11月13-16日代表蒋民华院士和陈创天院士访问了韩国汉阳大学，     

氯化钠对石膏晶体生长习性影响的分子动力学模拟

如何有效控制溶液体系下石膏晶体的生长行为已成为脱硫行业亟待解决的问题之一,而晶体生长过程的有效信息往往无法及时有效在线检测.利用分子动力学模拟技术,计算出石膏晶体特定晶面的附着能、面心距离和面积等参数,确定了其形态学上重要的生长晶面及其表面结构,理论研究了氯化钠溶液与石膏晶体主要生长面之间的相互作用机制.并通过实验得到氯化钠对石膏晶体形貌的影响,与分子动力学模拟结果进行对照分析.结果表明,由于氯化钠溶液对石膏晶体不同晶面的作用变化,可以显著改变石膏晶体形态,模拟结果与实验一致,分子动力学模拟可以为晶体的形态控制提供理论基础.     

合金钢的热导率计算

基于大量钢的热导率数据,采用多元线性回归方法建立了合金钢的热导率和化学成分的定量关系式.回归分析结果表明,用强碳化物和非强碳化物形成元素的总质量分数,Si和C的质量分数作为多元线性回归的自变量是合适的.由于和基体Fe的外层电子结构的显著差异,Si元素对钢的热导率的减小效果远大于过渡族元素;C元素增加钢的热导率是由于C原子的增加使更多的碳化物形成元素分配到碳化物中,从而减弱了这些元素对基体热导率的影响.     

温度对KNSBN晶体二波耦合增益的影响

对３００Ｋ至４２０Ｋ温度范围内的光折变晶体ＫＮＳＢＮ（钾钠铌酸锶钡）的前向二波耦合特性进行了实验观测和理论分析,结果表明,光增益不仅取决于实验的几何配置而且对温度有较大的依赖性,由室温提高温度至３６０Ｋ可提高放大倍数一倍以上     

温度场对自蔓延高温合成致密化的影响

在自蔓延高温合成（SHS）致密化工艺中，准确确定施压滞后时间是工艺控制的关键．施压滞后时间的上限值一般是根据SHS过程的坯块表面温度与时间关系曲线获得，难以真实地反映坯块内的温度变化．作者以传热学理论为基础，针对SHS－准热等静压过程，建立了燃烧产物内的温度分布方程，并以此解释了最终产物内密度分布存在差异和形状变化的原因．     

晶习改变剂在芒硝贮热物质中的应用

在芒硝贮热物质中加入晶习改变剂P—6或S—12或P—A 等能有效阻止芒硝晶体颗粒增大,因此能保持较高的熔化热,从而大大延长贮热物质的使用寿命.     

DKDP晶体的固-固生长

本文描述 DKDP 晶体的固一回生长现象。它可以在四方母体上发生,也可以在单斜母体上发生。固一固生长过程与母相晶体的对称性有关,与周围的介质无关。测量了不同温度下的生长速度,对固一固生长的机制进行了讨论。     

斜煤井天然采光中温度场变化模型

本文对斜煤井天然采光中温度场变化的可能性作了分析,建立了数值模型。用量纲分析法和相似性理论得到了温度变化的初估值、用计算传热学方法求数值解,留待后续工作中进行。     

扰动边界条件下晶体生长模型的渐近分析

主要研究扰动边界条件下的二维非稳态晶体生长问题,利用摄动方法将问题展开后求出问题的零阶及一阶渐近解进行讨论.发现其解在晶体生长方向呈现出指数衰减,从理论上证明了固液界面前沿温度呈现指数衰减是晶体生长的一个本质特性.并提出扰动边界条件下具有固液平直界面的晶体生长问题的稳定性条件,为晶体生长的理论研究及实验工作提供一些理论依据.     

有限元法用于晶体生长形态的研究

给出了一种新的椭圆型有限元网格生成方程,该方程综合考虑了网格的平滑性、正交性和适应性,并被成功地地研究各向异性生长晶体的自由生长过程的形态。该方法也可被推广应用春他的自由界面问题中,同时,根据选取不同形式的生长动力学方程研究了各向异性晶体的自由生长过程,得到了与一般理论相一致的结果。