电路暂态过程的时间常数

时间常数直接反映了暂态过程的持续时间。在引入一个描述暂态过程衰竭程度的普适量的基础上，给出了对一阶和二阶电路都适用的暂态过程时间常数的统一定义；以RLC串联电路为例，计算了二阶电路暂态过程的时间常数，结果表明在大多数情况下，二阶电路暂态过程的时间常数可用简单的近似公式估算。     

正弦信号激励下RC电路暂态过程的分析及仿真测试

为了系统地研究正弦信号激励下RC一阶电路的暂态过程,从电路的微分方程出发,推导出电路的完全响应是正弦稳态分量与暂态分量相叠加的数学表达式,暂态分量使电路在暂态过程产生过压现象,分析了产生最大过压时正弦激励信号的初相角条件.并用Multisim软件进行了仿真实验测试.     

二阶电路的SIMULINK仿真及封装

通过对一般二阶电路的数学模型分析,分别用三种方法建立了电路的仿真模型,并给出设计模块图和仿真实例;演示了二阶电路仿真模型的封装,在子系统的参数设置窗口中统一设置电路变量.利用Simulink对二阶电路进行仿真和封装,方法简单实用,使用界面良好.     

三组要素法

<正> 一前言我们都知道,对于一阶电路的暂态,有一个求解直流响应的简便方法,这就是“三要素法”[1].最近,我们把这个三要素法推广到求解一阶电路的冲激响应与正弦响应[2].对于二阶电路,相应的是一个二阶常系数微分方程,其暂态过程的求解与结果都比一阶电路的情况复杂得多,比如,教材[1]是讲得比较全的,也只着重讨论了 RLC 串联电路的零输入响应与直流响应,也没有提出类似的三要素法,本文首先对二阶电路的直流响应提出“三组要素法”的概念,继而将此法推广到求解 RLC 串联电路的冲激响应与正弦响应.     

从畸变的二阶冲激响应中反演

通过分析,本文指出了使二阶系统冲激响应产生畸变的主要因素是二阶系统阻尼自由振动的参预.为消除二阶系统暂态过程对冲激信号的影响,通过实例,介绍了从实测畸变冲激波形反演原始激励的技术.     

RLC串联电路的求解及电流曲线的分析

应用拉格朗日方程对非线性RLC串联电路的暂态过程进行了求解,对所得到的解析解进行了分析,得到了非线性RLC电路的一些普遍特征.通过对RLC串联谐振电路中的谐振态量分析说明,给出谐振态量与电路参数、品质因数的关系式,说明了谐振电流曲线的非对称性,对实际应用具有一定的参考价值.     

RLC串联电路暂态过程临界阻尼电阻的测定

分析了RLC串联电路暂态过程中阻尼电阻、振幅及阻尼度之间的关系.并对用相邻振幅值(Ln和Ln+1)求电路临界阻尼电阻的方法进行了实验验证,该方法有较高的准确度.     

RL一阶电路在正弦输入下的暂态过程

对正弦输入下的RL一阶电路的暂态过程进行了讨论,分析了电路在接通正弦交流信号时,直接进入稳定状态的条件及在零状态时的过电流现象。     

一阶电路暂态过程的研究

对直流激励下一阶电路的暂态过程进行了讨论分析了电路在接通直流电源时,直接进入稳态响应的条件以及产生高电压和高电流现象的原因。     

RL一阶电路在正弦输入下的暂态过程

对正弦输入下的ＲＬ一阶电路的暂态过程进行了讨论,分析了电路在接通正弦交流信号时,直接进入稳定状态的条件及在零状态时的过电流现象。     

开关电源电磁兼容性场路综合分析方法研究

开关电源具有功耗小、效率高、体积小、重量轻等优势,然而由于开关电源工作在高频状态,其产生的瞬态脉冲包含有高频谐波,从而形成较强的传导干扰和辐射干扰,电磁兼容问题相当突出。因此在开关电源的设计阶段,单纯的用场或路的方式都不能完整地解决电磁兼容问题。通过运用三维电磁场仿真软件和电路仿真软件分别解决辐射干扰和传导干扰问题,从而以场、路结合的方式在设计阶段进行互补分析,可以合理有效地提高开关电源的电磁兼容性,以达到相关的标准。     

D类音频功放芯片自恢复过流保护电路

针对高功率D类功放芯片使用过程中可能出现的短路操作导致芯片损坏的风险,设计并实现了一种具有自恢复能力的D类功放过流保护电路。在功放芯片输出管脚发生对地短路、对电源短路、或者2个输出管脚之间相互短路时,能够及时关闭功率电路输出以保护芯片不会损坏。芯片测试结果表明,5 V/4 Ω条件下,该D类功放输出最大功率2.75 W,效率90%。过流保护电路工作正常,过流域值约为3A。较之其他电路方案,本方案的优点在于,当短路事件去除后,能够及时自动恢复正常输出,克服了传统保护方案需要芯片复位才能恢复正常工作的缺点。     

谐波起动电动机起动切换瞬变电流的研究

本文研究了谐波起动电动机起动切换瞬变电流的规律.运用四阶尤格-库塔法,对Y-△起动和谐波起动过程的切换瞬变电流进行仿真计算,给出了计算结果,与实测值相比,获得了较为一致的结果,分析计算与实测结果表明,A型谐波起动的断电切换过程中存在着瞬变电流冲击,就其冲击幅度和持续时间看,不会对电网和电源变压器造成不良的影响.     

MOSFET开关变换电路换流过程的瞬态磁场能量密度的计算

为进一步明确电力电子电路开关瞬态过程的干扰特性 ,基于传输线理论 ,首先解决了瞬态电流环路磁矢量势计算中所遇到的难题 ,并在此基础上提出了一种瞬态场时域解析模型 .在进行高精度计算时 ,该模型与数值方法相比具有高效的特点 .最后以MOSFET开关电路为例 ,计算了该开关在关断瞬间瞬态磁场的变化规律 ,并计算了瞬态磁场能量密度 .本模型的建立为电力电子电路的电磁兼容性设计提供了依据 .计算结果与实际结果均表明 ,瞬态电流在本文所提出的实验回路中的传输时延虽为纳秒级 ,但应在瞬态模型中给予充分考虑     

基于以太网接口的电源变换器的设计

以太网是现有局域网中最通用的通信协议标准,而以太网电源是以太网的基础设备。本文设计了一种基于以太网接口的15 W DC/DC电源变换器模块电路。该电源由以太网接口电路和高效率DC/DC电源变换器2部分组成,模块中包含PoE识别信号阻抗、“0”类类型电路,采用MOSFET开关时,电源变换器的效率高达88%,PoE接口的效率可达97%以上。     

基于交流电机负载双向晶闸管关断电压暂态研究及缓冲电路参数优化

研究了以三相交流电动机为负载的双向晶闸管关断电压的暂态过程.采用综合矢量法建立关断过程的非对称系统暂态数学模型,求解结果揭示了双向晶闸管关断电压峰值及其dU/dt随RC缓冲电路元件参数的变化规律.该规律表明:缓冲电阻R存在最佳取值,它使dU/dt达到极小值,从而为合理设计缓冲电路提供了理论依据.     

一种带保护电路的低功耗LDO

为了保护芯片不受电源电压起伏的影响,设计了一种应用于移动多媒体广播(CMMB)的带保护电路的低功耗低压降线性调节器(LDO);为了保证LDO的反馈环路在所有负载电流下均稳定,采用低增益、低输出阻抗的buffer来驱动输出管,使环路的相位裕度都高于40°;为了避免输出管在过流和过热时损坏,设计了过流保护电路和过热保护电路:过流保护电路将过载的电流限制在150 mA;过热保护电路包含滞回功能,在温度高于145℃时,过热保护电路将LDO关断,当温度低于125℃时,LDO重新打开。LDO的输入电压范围为1.5～3.3 V,输出电压为1.2 V。LDO采用0.35μm CMOS工艺设计,共消耗30μA的静态电流,最大负载电流为80 mA。芯片面积为380.2μm×198μm。     

正弦激励下的R-L电路的暂态过程

深入地讨论了正弦激励下的R－L一阶电路的暂态过程，分析了该电路在接通正弦交流电时，直接进入稳态响应的条件以及该电路产生过电压、过电流现象的原因。     

预充电开关投切并联电容器合闸涌流抑制技术

电网中投入并联电容器时会产生合闸涌流,过大合闸涌流会诱发断路器分闸时的重击穿,危害电力系统的稳定运行、缩短用电设备的使用寿命。为此,提出一种预充电开关投切电容器的策略来抑制电容器投入电网时产生的合闸涌流,理论分析了预充电开关投切电容器的工作原理;提出了预充电开关投切电容器的电路模型;借助PSCAD仿真软件对预充电开关投切策略进行仿真验证,并分析了断路器的合闸时间分散性对合闸涌流抑制效果的影响。仿真结果表明,预充电开关投切电容器策略可以有效抑制合闸涌流,在准确合闸时可以将三相涌流分别减小至1.12p.u.、1.73p.u.和1.25p.u.,A相的合闸涌流可降低约70%,采用预充电开关投切电容器也大大缩短了合闸暂态过程持续的时间,证明了预充电开关投切策略的有效性。     

高压大功率单元IGBT的驱动保护

合理设计驱动电路不但可以减少IGBT开关次数和开关过程损耗,降低发热量与输出电压波形畸变率,而且还可以减少事故发生概率,提高系统安全性、可靠性与系统持续可运行时间。文中首先通过分析各种调制控制方法与驱动电路优缺点,设计了IGBT驱动调制技术方案,接着又分析了IGBT的工作特性、驱动电路要求与SCALE模块结构原理,然后,使用SCALE作为驱动元件设计IGBT驱动保护电路。经过长时间运行验证,该电路可以很好满足使用要求。