In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP液相外延材料的组分分析

一引言随着光纤通信技术的发展,发射波长λ=1.3μm光纤损耗小、色散低的光源制造已受到普遍重视。由于外延材料是器件制造的基础,因此如何确定和控制四元材料In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)的组分x、y,乃是制造发射波长λ=1.3μm光源的重要问题。四元材料In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)有二个自由度x、y,且其晶格常数和带隙(波长)是x,y的函数(服从Vegard定律),适当调整化学配比可使InGaAsP四元固溶体的带隙在1.35eV～0.74eV(对应波长λ=0.92～1.68μm)范围内变化,能得到与InP衬底相匹配的完整的外延     

GaAs/Al_xGa_(1-x)As和In_(1-x)Ga_xAs/GaSb_(1-y)As_y量子阱中激子的结合能

计算了GaAs/Al_xGa_(1-x)As和In_(1-x)Ga_xAs/GaSb_(1-y)As_y量子阱中激子的结合能,得到了结合能随阱宽和阱深的变化。结果表明,在这两类量子阱结构中激子结合能的变化规律有本质的不同。     

P-InP欧姆接触

本文对在P-InP上依次蒸发Au、Zn、Au所形成的多层金属结构的欧姆接触特性进行了研究。结果表明,当Zn层厚度大于300,第一层Au厚度在300左右时可获得较低的比接触电阻和良好的附着性,用带溅射剥离的俄歇电子能谱仪测量了合金前后样品组份的深度分布,同时利用修正的四探针方法和扫描电镜对样品进行了分析。     

Ⅱ型量子阱In_(1-x)Ga_xAs/GaSb_(1-y)As_y中激子的结合能

该文提出ρ和Z相耦合的试探波函数,采用变分法计算了Ⅱ型量子阱In_(1-x)Ga_xAs/GaSb_(1-y)As_y中激子的结合能。发现随合金组分(x,y)的增加结合能增加,随阱宽b的减小,结合能单调上升。当阱宽b在10 nm附近时,材料由半导体转变为半金属。此外,还与Ⅰ型量子阱GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs中激子结合能作了比较。     

In_(1-x)Ga_xAs材料的LP-MOVPE生长

本文研究了用低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)技术,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEIn)和AsH_3为原,在(100)InP衬底上生长In_(1-x)Ga_xAs外延层的生长条件,并用X射线单晶衍射仪和光电子能谱(XPS)仪给出了不同TEIn与TMG摩尔流量比下外延层的测量结果.     

GaAs-Ga_(1-x)AI_xAs双异质结激光器欧姆接触的研究

我们用正交表研究GaAs的欧姆接触工艺,实验结果表明,p—GaAs甩Au—Cr金、n—GaAs用Ag—Sn合金的欧姆接触工艺,比接触电阻率Rc<10~(-4)(欧姆)(厘米)~3应用于GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光器,得到良好的效果。     

分光光度法测定Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)P_y外延层中x,y值

本文研究了在銦、砷同时存在的情况下,用分光光度法直接测定镓和磷的显色条件,并应用于测定Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)P_y外延层中的x,y值。     

Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs双异质结激光器的液相外延研究

本文报导了Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs双异质结激光器液相外延过程中,有关组份、浓度、生长速率控制的一些实验结果。主要内容是Ga_(1-x)Al_xAs层的组份、平均生长速率随溶液中Al含量的变化和杂质Te在GaAs、Ga_(1-x)Al_xAs层中的掺杂行为等。利用所得结果可方便地控制外延层的组份、厚度和掺杂浓度。     

铁电晶体(K_xNa_(1-x))_(0.4)(Sr_yBa_(1-y))_(0.8)Nb_2O_6系列的热释电性质

本文介绍一种新的A位填满型钨青铜结构铁电单晶(K_xNa_(1-x)_(0.4)(SryBa_(1-y))_(0.8)Nb_2O_6系列的制备,以及介电行为和热释电系数随化学成份变化的测量结果.测量表明,当=x0.50,y=0.75时,晶体具有高于铌酸锶钡(SBN)的热释电优值指数:FM_(RV)=p/ρcpk10.2×10~(-13) C·m/J 和FM_(RN)=p/ρcp k~(1/2)=1.6×10~(-11)C·m/J,表明了晶体有用作热释电探测材料的实际应用价值.     

L_(a1-x)S_(rx)C_oO_3的性能及应用

用陶瓷法合成了L_(a_1-x)S_(rx)C_oO_3系列化合物。分别用x-ray衍射,伏安法测试了样品的晶体结构、导电性,发现X=0时,L_aC_oO_3是菱方畸变的钙钛矿结构,导电性质是半导体性的,随着S_r~(2+)的掺入,L_(a_1-x)S_(rx)C_oO_3的菱方畸变程度逐渐变小,到X=0.6时,变成完全的正交钙钛矿结构,X≥0.8时,有杂相出现。随着S_r~(2+)的掺入,电阻明显减小,X=0.5时,电阻最小,比 L_aC_oO_3小三个数量级。本文对L_(a_1-x)S_(rx)C_oO_3氧化物的催化活性等性能及应用作了介绍。     

流体静压力对纤锌矿Al_yGa_(1-y)N/Al_xGa_(1-x)N三角量子阱中极化子效应的影响

研究了纤锌矿Al_yGa_(1-y)N/Al_xGa_(1-x)N三角量子阱和GaN/Al_xGa_(1-x)N方量子阱中流体静压力对极化子能量和电子-声子相互作用对极化子能量的贡献(极化子效应)的影响.给出极化子基态能量、跃迁能量以及极化子效应随流体静压力p和组分x的变化关系.理论计算中考虑了纤锌矿结构中介电常数、声子频率、电子有效质量等参数的各向异性和随压力p和坐标z的变化.结果显示,随着流体静压力的增加,纤锌矿Al_yGa_(1-y)N/Al_(0.3)Ga_(0.7)N三角量子阱和GaN/Al_(0.3)Ga_(0.7)N方量子阱中极化子基态能量和跃迁能量缓慢减小.定域声子、半空间声子以及它们之和对基态能量的贡献随流体压力p的增加而逐渐增大,即极化子效应增大.随组分x的增加,在两种量子阱中极化子基态能量和跃迁能量逐渐增大.半空间声子对极化子基态能量的贡献随组分x的增加而降低,而定域声子对基态能量的贡献随组分x的增加而增加,它们之和对基态能量的贡献随组分x的增加而增大.纤锌矿Al_yGa_(1-y)N/Al_xGa_(1-x)N三角量子阱中极化子基态能量和跃迁能量以及极化子效应随流体静压力和组分的变化规律与GaN/Al_xGa_(1-x)N方量子阱结构中相应量的变化规律相似,但量值不同,前者中基态能量和跃迁能量以及极化子效应明显大于后者中相应值.     

液氮温区超导电性的Ba-Y-Cu氧化物

一、引言自从 Bednorz 和 Müller 报导了在 Ba—Y—Cu—O 系统中可能存在高临界温度超导电性之后,赵忠贤等认为,组份为 Ba_xLa_(5-x)Cu_5O_(5(3-y))的体系中,用 Y 取代La,可导致更高的超导转变温度.并且给出 x=0.5的样品的电阻测量结果.超导转变中点温度为92.8K,转变宽度为4K,赵忠贤等的样品是用光谱纯的 Y,Ba,Cu 的氧化     

In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构的LP-MOVPE生长

本文报导了在低温、低压下,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEI)为Ⅲ族源材料,100％砷烷(AsH_3)、100％磷烷(PH_3)为V族源材料,用金属有机化合物气相沉积技术在(100)InP衬底上生长出In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构材料.X光摇摆曲线观测到由于周期性多量子阱结构而产生的多级卫星峰,光致发光测量给出了不同阱宽下由量子阱尺寸效应而导致的PL谱.     

Mg_xZn_(1-x)Se合金的电子结构、光学性质和稳定性的第一性原理研究（英文）

基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了闪锌矿Mg_xZn_(1-x)Se合金的稳定性、电子结构和光学性质.研究结果表明,闪锌矿ZnSe和Mg_xZn_(1-x)Se合金都为直接带隙半导体,Mg_xZn_(1-x)Se合金的带隙宽度Eg和形成能Eb分别可以由Eg=1.30+1.34x和Eb=-1.48+0.60x-0.27x~2进行估计.同时,Mg_xZn_(1-x)Se合金的价带顶主要取决于Se 4p和Zn 3p态电子的相互作用,而其导带底则主要由Zn4s、Zn 3p以及Se 4s态电子共同决定.此外,随着镁掺杂系数x的逐渐增大,Mg_xZn_(1-x)Se合金的静态介电常数逐渐减小,而其吸收谱则出现明显的蓝移现象.研究结果为Mg_xZn_(1-x)Se合金在光电探测器方面的应用提供了重要的理论指导.     

YBa_2Cu_3O_(7-y)氧化物超导体在不同电流密度下的电阻转变特性

1 同一电流密度下的电阻特性YBa_2Cu_3O_(7-y)超导体(Φ10×2.5)采用四引线法测量电阻,电极间隔为1.5m,测量表明,对于名义成份为 YBa_2Cu_3O_(7-y),的样品,室温电阻约为5Ω,电阻随温度降低而减小.图1是恒流为20mA 的 R—T 曲线.温度在128k 以上样品呈金属行为;当温度降到128k 时,电     

草酸盐共沉淀工艺制备La_x Zn_x Ba_(1-x)Fe_(12-x)O_(19)铁氧体

采用草酸盐化学共沉淀工艺制备了 La_x Zn_x Ba_(1-x)Fe_(12-x)O_(19)磁铅石型铁氧体,研究了烧结过程的相变与磁性,主要结论如下:1) 当 La 的置换量小于0.8时,基本上可以形成 FeC_2O_4·2H_2O 为基的(La,Ba,Zn,Fe)草酸盐固溶体。2)La_x Zn_x Ba_(1-x)Fe_(12-x)O_(19)相的生成温度随 x 值的增加(x(?)0.8)而升高。3)La_x Zn_x Ba_(1-x)Fe_(12-x)O_(19)的室温比磁化强度随 x 值的增加(x(?)0.8)而增大,居里温度随 x 值的增加而降低。     

NdB2Cu3O7-x/YBa2Cu3O7-y高温超导薄膜的稳定性研究

采用脉冲激光沉积方法 ,在钇稳定氧化锆 (YSZ)衬底上制备了YBa2 Cu3 O7-y高温超导薄膜和NdB2 Cu3 O7-x/YBa2 Cu3 O7-y双层高温超导薄膜。X射线衍射分析结果表明 ,NdB2 Cu3 O7-x/YBa2 Cu3 O7-y双层膜在结晶度、表面光滑平整度和稳定性方面优于YBa2 Cu3 O7-y薄膜 ;电阻温度曲线测量结果表明 ,NdB2 Cu3 O7-x/YBa2 Cu3 O7-y双层膜的转变温度为 87.6 6K ,转变宽度为 0 .34K ;YBa2 Cu3 O7-y薄膜的则分别为 86 .6 4K和 0 .95K。与YBa2 Cu3 O7-y薄膜相比 ,NdB2 Cu3 O7-x/YBa2 Cu3 O7-y双层膜稳定性更高 ,在超导电子器件领域更具有应用潜力。     

GaAs(001)衬底上经双缓冲层生长的Hg_(1-x)Cd_xTe-HgTe超晶格结构

用 X-射线衍射测定了分子束外延 ( MBE)法生长的 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格样品在 ( 0 0 1 )附近的扫描徊摆曲线 ,并用动力学理论模拟计算出衍射曲线 ,实验曲线与理论计算基本上相符合 .由实验衍射曲线计算出的超晶格周期长度 ,阱 Hg Te层厚度及垒 Hg1-x Cdx Te层厚度与模拟计算的相一致 .用透射电子显微镜 ( TEM)对同一样品的横截面进行了分析 ,对 Cd Te/Zn Te/Ga As异质结界面失配位错的组态特征进行了研究 .证明用 Cd Te/Zn Te作为双缓冲层比单一的 Cd Te有较好的效果 .截面 TEM高分辨率明场象显示 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格的生长较为成功 ,界面较为平整 .由截面 TEM高分辨率明场象观测的周期长度与 X-射线衍射测定的结果相接近     

光声光谱法研究（Zn,Cd）（S,Se）发光材料的带隙

报道了采用自行设计组装的光声光谱(PAS)测量系统,直接测定无辐射过程,研究Ⅱ-Ⅵ族化合物粉末发光材料特性。测量了[CdS]_(1-x)[CdSe]_x和[ZnS]_(1-x)[CdS]_x 粉末固溶体带隙与材料制备组份重量百分比x的关系,结果表明,上述关系均呈非线性。     

Y_(1_x)Gd_xPO_4、La_(1_x)Y_xPO_4和La_(1_x)Gd_xPO_4体系固相线以下的相关系

用x射线衍射法测定了Y_(1-x)Gd_xPO_4、La_(1-x)Y_xPO_4和La_(1-x)Gd_xPO_4三个二元体系试样的品格参数,研究了它们固相线下的相关系。结果表明:只有La_(1-x)Gd_xPO_4体系形成完全互溶的固溶体。Y_(1-x)Gd_xPO_4体系形成一个较窄的两相区(0.74≤x≤0.86),而La_(1-x)Y_xPO_4体系则形成一个相当宽的两相区(0.20≤x≤0.96)。作者对结果作了初步讨论。