晶体管特性测试电路的改进

半导体三极管是电子电路中的核心器件。在半导体三极管特性测试过程中，经常会出现烧坏电阻器和晶体管的现象。通过分析测试电路的工作原理，结合电子实验室配备的仪器，对其进行改进，以便更快、更安全地完成实验。     

场效应管和双极型晶体管复合特性的分析及应用

用场效应管和双极型晶体管组成的复合管具有互补的特性．本文分析比复合管的特性，并举例说明其应用．     

双极型晶体管GP模型参数自动提取系统

在叙述晶体管模型参数提取原理的基础上,着重介绍了自制晶体管ＧＰ模型参数自动提取系统的工作原理,该系统通过计算机控制实现数据自动采集,采用模型参数总体优化模型方法提取晶体管ＧＰ模型参数,运用该系统对ＭＪＥ１３００５晶体管进行参数提取及ＰＳＰＩＣＥ模拟,模拟结果与器件外特性测试结果相符合。     

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动及保护电路的研究

介绍了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的电气特性和对栅极驱动的要求，结合IGBT模块的电气特性对IGBT驱动电路和保护电路的设计进行了分析和讨论，并给出了一些典型电路以供大家参考。     

双极型晶体管GP模型参数自动提取系统

在叙述晶体管模型参数提取原理的基础上,着重介绍了自制晶体管ＧＰ模型参数自动提取系统的工作原理．该系统通过计算机控制实现数据自动采集、采用模型参数总体优化提取方法提取晶体管ＧＰ模型参数．运用该系统对ＭＪＥ１３００５晶体管进行参数提取及ＰＳＰＩＣＥ模拟,模拟结果与器件外特性测试结果相符合     

绝缘栅双极型晶体管脉冲工作时结温特性及温度分布研究

建立了电热耦合和损耗热场耦合计算模型,采用该模型,获得了相同外部条件下的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片结温波动特性及温度分布特征,完成了使用红外热成像实时探测短时脉冲工作方式下IGBT芯片表面温度波动及分布特性的预测.探测结果表明,在一定散热条件和占空比不大的情况时,短时脉冲间歇等非周期瞬态工作方式下芯片表面温度快速上升之后,进入一个缓慢的上升周期,实验也表明,在特殊工作场合时可突破器件手册推荐使用的最大电流值.利用建立的热分析模型,还可以实现对不同工作方式下器件结壳温差和结温波动幅度的预测.     

伏安法测量晶体管输入特性的系统误差及其修正

本讨论了伏安法测量晶体管输入特性的系统误差及其修正方法。     

低温ECL电路直流特性测试与分析

低温ＥＣＬ电路直流特性测试与分析高梅芳，沈克强，魏同立，李垚（东南大学微电子中心，南京２１００１８）本文通过对低温ＥＣＬ电路和常温ＥＣＬ电路的比较和测试分析得知，晶体管饱和电流随温度下降而急剧下降，这是影响电路工作性能的主要因素．并指出，这种影响可通...     

高性能双极型晶体管器件研制成功

毫米波频段是满足日益强烈的高精度探测及高速率数据通信要求的关键资源。继8毫米波段（26．5～40GHz）之后，3毫米波段（75～111GHz）成为世界各国高频技术竞争的制高点。基于固态半导体技术的毫米渡单片集成电路（MMIC）由于具有体积小、重量轻、高性能及低成本等优势而被广泛应用于军事和民用领域。     

穿通型光电晶体管的直流特性测试

在ｎＷ－μＷ光功率下测试高增益穿通型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ光电晶体管的直流参数，光电灵敏度、光电增益和电流增益。以峰值波长为８３０ｎｍ的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ体激光器作光源，经光纤耦合与衰减，得到可变的光功率。测试结果表明，在３－１４Ｖ工作电压下，１μＷ入射光功率时光增益７１１３，４０－５０ｎＷ光功率时光电增为３６９３，高于国内外报道的光电探测器的同类指标。     

低温高速双极晶体管基区的优化设计

本文考虑禁带变窄效应和载流子冻析效应，分析了基区掺杂浓度的分布、基区峰值浓度的大小及位置对基区渡越时间的影响，结合基区电阻的温度模型，对低温度高速双极晶体管的优化设计作了探讨。     

伏安法测量晶体管输入特性的系统误差及其修正

本文讨论了伏安法测量晶体管输入特性的系统误差及其修正方法。     

用于双极型工艺认证的微电子测试图形研究

本文提出一种用于科学地评价双极型半导体器件(npn或pnp晶体管)工艺水平的微电子测试图形。该测试图形由物理分析及工艺参数测试结构、器件参数测试结构等部分组成,测试结构的探脚采用阵列式引出,适合2×N探卡进行探测。多数测试结构能用我们研制的微电子测试图形参数自动测试仪进行及数据处理。文中还给出利用本测试图形对工厂生产线工艺水平进行评估的实例。     

用于双极型工艺认证的微电子测试图形研究

本文提出一种用于科学地评价双极型半导体器件(npn或pnp晶体管)工艺水平的微电子测试图形。该测试图形由物理分析及工艺参数测试结构、器件参数测试结构等部分组成,测试结构的探脚采用阵列式引出,适合2×N探卡进行探测。多数测试结构能用我们研制的微电子测试图形参数自动测试仪进行及数据处理。文中还给出利用本测试图形对工厂生产线工艺水平进行评估的实例。     

G010650-073DD5144型低频放大管壳额定双极型晶体管

鉴定证书编号苏科鉴字[2000]第694号 　　组织鉴定单位江苏省科学技术厅 　　权属单位中国华晶电子集团公司 　　地址无锡市梁溪路14号(214061) 　　鉴定日期 2000.11.28……     

G010646-073DD1117型低频放大管壳额定双极型晶体管

鉴定证书编号苏科鉴字[2000]第691号 　　组织鉴定单位江苏省科学技术厅 　　权属单位中国华晶电子集团公司 　　地址无锡市梁溪路14号(214061) 　　鉴定日期 2000.11.28 　　……     

G010647-073DD4242型低频放大管壳额定双极型晶体管

鉴定证书编号苏科鉴字[2000]第692号 　　组织鉴定单位江苏省科学技术厅 　　权属单位中国华晶电子集团公司 　　地址无锡市梁溪路14号(214061) 　　鉴定日期 2000.11.28 　　……     

绝缘栅双极型晶体管失效机理与寿命预测模型分析

针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的主要失效机理,特别是键合引线失效过程,采用高速红外热成像仪对键合引线失效过程的结温温度场分布实时探测试验,同时对IGBT模块电气与传热特性进行监控,发现IGBT在高结温与高温度梯度时主要的失效形式是键合引线翘曲与熔化,在外部特性上表现为集射极压降值增大,而热阻基本不变.提出了提高器件可靠性、延长使用寿命的方法.在加速寿命试验原理的基础上,通过开展高温下的功率循环测试,并对试验数据进行拟合,得到了加入电流等级和最高工作结温的改进寿命预测模型.通过试验数据误差分析对比,发现该模型精度较原有模型在不同测试条件下均有提高,适用范围从80 K拓宽到100K.