Tb-Fe非晶薄膜的反常低温电阻率

引言非晶材料低温电阻率反常,在许多材料中都已观察到,它成为探索非晶材料电子输运性质颇有意义的实验数据。稀土-铁族磁性合金非晶材料无论从潜在的应用价值和其内壳层未填满的过渡金属特性的理论上的意义都有它值得研究的价值。对溅射的Gd-Co两类薄膜,垂直     

液态纯锑电阻率随温度的反常变化

利用直流四电极法精确测量了不同温度时液态锑（Sb)的电阻率。实验发现液态Sb的电阻率随温度升高存在有别于一般简单液态金属的反常变化。结合已报道的部分温度点的结构因子,利用液态金属电阻率Ziman理论讨论了实验现象,结果认为部分有序结构的存在是导致在熔化时发生半金属－金属转变的Sb在液态具有反常物理性质的原因,并分析了熔体结构转变的历程。     

非晶态Gd—Co膜中观察到低温电阻率反常现象

近年来,对稀土和铁族(Fe、Co、Ni、Mn)所组成的非晶态合金性能的研究,引起了人们很大的兴趣,这不仅因为这些合金的性能和相应的晶态合金相比有很大的差别,而且它们还具有潜在的应用价值。对非晶态稀土磁性合金的电子输运特性,也有一些报道,如Fert     

氧掺杂引起的T′相铜氧化合物低温磁性反常

采用高压合成的方法对 (Eu1-_xY_x) ₂CuO₄ 和Sm₂CuO₄ 样品进行了氧掺杂 ,并发现了一个位于29K附近新的低温磁性反常 .分析表明该反常也是铜原子磁矩的贡献 ,但有着和T′相化合物弱铁磁不同的形成机理 ,它的出现对应着由掺杂到CuO₂ 面上的空穴产生的铁磁性团簇 .这一结果还揭示了T′相化合物区别于p型超导材料的一个独特性质 ,即没有顶点氧存在的T′相化合物的CuO₂ 面只能接受极微量的空穴 ,一旦达到极限 ,不管有多少氧掺杂进物相 ,都不能在CuO₂ 上引入更多的空穴     

关于N=15的Springer猜想

设Σ′表示在区域1<|z|<∞中单叶函数F(z)=z sum from n=1 to ∞ b_nx~(-n)所组成的函数族。若G是F∈∑′的逆函数,则G在∞邻域的展式是     

氧掺杂引起的T′相铜氧化合物低温磁性反常

采用高压合成的方法对 (Eu1-xYx) 2 CuO4 和Sm2 CuO4 样品进行了氧掺杂 ,并发现了一个位于 2 9K附近新的低温磁性反常 .分析表明该反常也是铜原子磁矩的贡献 ,但有着和T′相化合物弱铁磁不同的形成机理 ,它的出现对应着由掺杂到CuO2 面上的空穴产生的铁磁性团簇 .这一结果还揭示了T′相化合物区别于p型超导材料的一个独特性质 ,即没有顶点氧存在的T′相化合物的CuO2 面只能接受极微量的空穴 ,一旦达到极限 ,不管有多少氧掺杂进物相 ,都不能在CuO2 上引入更多的空穴     

关于非线性Volterra积分方程解的存在性及连续依赖性问题

设E是实Banach空间(范数为‖·‖_E),T(r)是E中以正数r为半径,零元为心的闭球,设t_0,t_1是实数,t_0相似文献   

双端碇系烷烃链分子内光化学夺氢反应速度及对温度依赖性

分子2(n=16—22)和分子1一样,其酮基三线态在溶液中可与烷烃链亚甲基发生夺氢反应,其反应速度常数可通过用闪光光     

关于算子方程f(A)=A

设E是复Banach空间;(?)(E)表示E上线性有界算子全体;(?)_E(A)表示定义在复平面的开单位圆△={z:|z|<1}上,取值于(?)(E)中的解析函数全体。当f∈(?)E(△)时,f必可展开为幂级数其中1,2,…。如果且,则规定我们得到下述四个定理。     

ⅢA族元素甲基化合物的赝势从头算研究

三甲基ⅢA族元素化合物(MMe_3)的光电子能谱的实验研究已有不少报道。然而,除BMe_3外,关于Al,Ga,In和Tl三甲基化合物电离能的理论计算还未曾见到。前人关于Al,Ga,In三甲基化合物光电子能谱实验的光谱指定和电子结构的研究,都是假定其价电子基态组态与BMe_3的组态相同为前提来进行的。那么这种假设是否成立?其假设     

LaCo13-xAlx化合物的磁矩和居里温度的计算

在所有已知的R-T(R=稀土元素,T=Fe,Co,Ni)化合物中LaCo_(13)是含有3d过渡族元素最多的,它的居里温度为1318K,室温饱和磁感应强度为13 kG。这些优越的磁性能曾引起子许多研究者的兴趣。然而由于其晶体结构为面心立方NaZn_(13)型结构,这就不可能具有足够的磁晶各向异性,因此也就不能成为实用的磁性材料。为了改善他们的磁性能,许多研究者作了大量实验工作。实验结果表明:在所有R-T化合物中,只有LaCo_(13)存在。LaFe_(13)和LaNi_(13)都不存在。只能通过加入Al,Ga或Si才能形成稳定的1:13型化合物,即R-T-M伪二元1:13化合物。然而皆未能降低其对称性甚至通过吸氮的方式。近期的研究结果表明,通过改善热处理条件,即降低退火温度和延长退火时间,可以在R(T,M)_(13)(R=La,Ce,Pr,Nd;T=Fe,Co;M=Al,Si)化合物中得到低对称性的四方或正交衍生NaZn_(13)型结构。在进行实验工作的同时,一些研究者曾尝试用理论计算LaCo_(13)基化合物的磁性。Ido等人应用刚带模型(rigid model)计算一些LaCo_(13)基化合物的磁距。饶光辉应用磁价模型计算LaCo_(13)基及其衍生化合物的磁矩。     

关于A.A.Albert一篇论文的注记

A1bert在文献[1]中主要是对四次循环数域κ加以分类并明显给出整基。这些结果近来被Edgar和Peterson引用来研究K/k的相对整基问题,其中k是K的唯一二次子域。 在文献[3]中我们已宣布过,Albert给出的分类和整基在全部16种情形下有9种是不对的,文献[3]还完全解决了K/k的相对整基问题。     

关于A.Aziz的一个问题

1984年，A.Aziz(参见J.Approximation Theory,41(1984),15-20)证明了一些有关多项式的Bernstein型不等式。其中之一是：P_n(z)是n次多项式，P_n(r)=0.0≤r≤1,则     

关于A.Cellina逼近定理的注记

众所周知,在凸分析、状态分析、微分包含、数理经济等领域的研究中,Cellina所给出的关于上半连续集值映射的逼近定理均有重要应用.Cellina逼近定理 设X为紧度量空间,Y为Banach空间,F:X→2~Y为上半连续集值映射.如果F的值都是非空闭凸集,则对任一个ε>0,存在局部Lipschitz单值函数     

A15Nb_3Si的超导转变温度与晶格参数的依赖关系

一、引言 有人预言,理想A15Nb_3Si的T_c可达25～28K,高于任何已知的超导体。因此,人们对A15Nb_3Si的合成工作怀有很大兴趣,十多年来,共发表过数十篇文章,报道用各种手段研制A15Nb_3Si的结果。但是,所得到的A15相的T_c大部分低于纯Nb的9.25K,而且,因A15相往往与Nb固溶体共存,在分析T_c数据时,难以区分是那一个相的贡献。虽然,Pan等     

关于ⅡA 族、ⅦA 族离子极化率的探讨

一些规律表明:“同价离子的半径越大,和与此相联系的负离子价数越高,正离子价数越低,极化率和可极化性越大.”对于这些规律还没有人用定量的关系来表达.本文准备对ⅡA、ⅦA 族离子进行初步探讨.我们发现ⅡA、ⅦA 族离子极化率与离子     

杂多化合物的应用

杂多化合物以其具有的独特性质而在分析化学、临床化学、工业催化、固体化学、医学和地质学方面得到广泛应用。     

化合物致癌作用的新概念

最近,美国的华盛顿邮报(The Washigton Post)、洛杉矶时报(The Los Angeles Times)和纽约时报(The New York Times)等主要新闻媒介,报道了发表在美国科学杂志(Science)上的二篇重要文章。这二篇论著的新观点是,从大剂量化合物的啮齿动物致癌试验结果,去推断人类肿瘤发生机制的研究中,细胞的有丝分裂增加和细胞增殖是肿癌发生的重要指标;大剂     

半导体陶瓷电阻率的电压效应的定量分析

电压效应是指材料的物理性能随外加电压变化的现象,在半导体陶瓷中这一现象是很普遍的.目前这一现象还没有定量的理论描述.本文由晶界势垒模型得到了半导体陶瓷电阻率的电压效应的定量结果,并探讨了减弱电压效应的方法.半导体陶瓷的电学性能主要是由晶界附近因电子结构不同而形成的晶界高阻层决定的,而晶界高阻层就是晶界附近的势垒层,因此晶界高阻层的电阻率可表为     

东南极Dome A 近地面气温及雪层温度的观测研究

利用我国在Dome A 获取的2005~2007 年自动站观测资料, 分析了冰盖近地面3 个高度的气温和近表层4 个深度雪温的季节变化及其差异特征, 并分析了近地面底层逆温及大气稳定状况, 最后对近地面观测气温、10 m 深度雪温以及地面气温的关系作了探讨. 结果表明, Dome A近地面温度变化具有典型的无芯冬季特征, 在长达半年的冬季期间近地面存在强而稳定的逆温. 雪层中季节温度波动的振幅随深度衰减, 同时位相逐渐滞后, 导致近表层内季节温度的垂直分布廓线具有显著差异. 由于很强的近地面逆温效应, 自动站观测的近地面年平均气温比 10 m 雪温所代表的年平均地面温度高得多. 而根据边界层理论对地面气温进行近似推算得到的年平均地面气温与10 m 雪温十分接近, 考虑到其极低的10 m 雪温和很强的近地面底层逆温, Dome A 可能是地球上地面温度最低的地点,这有待于观测进一步证实.