多层陶瓷电容器中的机电谐振在快速无损检测中的应用

文章介绍了一种适用于铁电型多层陶瓷电容器的快速无损检测方法。这一测试方法建立在多层陶瓷电容器施加直流偏压时的机电谐振现象基础之上。电容器内部缺陷的存在会严重地影响电容器中的机电谐振，谐振过程所受到的阻尼可以很好地表征多层陶瓷电容器中的缺陷。     

多层陶瓷电容器可靠性的研究

多层陶瓷电容器ＭＬＣ在实际使用中，其电性能参数将会随着时间发生不同程度的偏离，直至电容器被判定为失效。文章分析了多层陶瓷电容器的失效机理及其模型，提出了采用１４０℃、６倍额定电压的高加速寿命实验测试方案，作为国标ＧＢ１７７２－７９标准寿命实验的替代实验。     

(Ba,Sr)TiO_3基电容器陶瓷的制备及介电性能

在对BaTiO3基电容器陶瓷掺杂改性的实验基础上就改善(Ba,Sr)TiO3电容器陶瓷介电性能做了大量实验研究.经测试结果分析表明,(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷最佳烧结温度为1350℃,由此温度烧结可获得最高介电常数为11784及介电损耗为0.100的优质电容器陶瓷.结合陶瓷的显微结构SEM照片分析,探讨了添加Sr2+,Ca2+,Zr4+及稀土Dy3+离子对改善(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷介电性能的机理.     

科技“生词”解释

<正>MLCC MLCC是片式多层陶瓷电容器英文Multi-layer ceramic capacitors的缩写。目前在便携产品中广泛应用的片式多层陶瓷电容器(MLCC)材料根据温度特性,主要可分为两大     

多层陶瓷电容器端电附着力研究

结合生产实际，从多层陶瓷电容器（ＭＬＣ）端电极的附着机理入手，对所用材料及制作工艺进行多方面的实验研究，制作出符合ＭＬＣ产品要求的端电极，并使小尺寸ＭＬＣ适用ＳＭＴ技术水平。     

PLZT多层陶瓷电容器瓷料的低温烧结

本文研究了反铁电体Pb(Cd_(1/2)W(1/2))O_3、Pb(Co_(1/2)W_(1/2))O_3及Pb(Mg_(1/2)W_(1/2))O_3和铁电体Ba(Cu_(1/2)W_(1/2))O_3及BiFeO_3对银改性的PLZT多层陶瓷电容器瓷料烧结的促进作用及其对瓷体介电性能的影响。并探讨了其低温烧结机理和介质损耗行为。     

多层陶瓷电容器端电极附着力研究

结合生产实际,从多层陶瓷电容器（ＭＬＣ）端电极的附着机理入手,对所用材料及制作工艺进行多方面的实验研究,制作出符合ＭＬＣ产品要求的端电极,并使小尺寸ＭＬＣ适用ＳＭＴ技术水平．     

ZnO对Ba(Ti,Zr)O3基电容器陶瓷性能和结构的影响

研究了ZnO加入量对Ba(Ti,Zr)O3(BTZ)基电容器陶瓷性能的影响 ,得到了ZnO影响其性能的规律 ,即随着ZnO加入量的增加材料的介电常数开始增大随后减少 ,而介质损耗开始减小随后增大 ,当w(ZnO) =0 .5 %时材料的介电常数达最大而介质损耗最小。得到了介电常数为 1 65 30、介质损耗为 5 0× 1 0 - 4 、耐压达 8MV/m以上综合性能好的电容器陶瓷 利用SEM研究了ZnO对BTZ基电容器陶瓷微观结构的影响 ,探讨了ZnO加入量对BTZ基电容器陶瓷性能和结构的影响机制 ,结果表明 :ZnO是通过细晶化、降低烧结温度、移峰作用、形成ZnO Ba(Ti,Zr)O3基复合材料、提高致密度等来影响瓷料性能和结构 这些结果为ZnO掺杂改性电容器陶瓷提供一定的依据     

后续处理对SrTiO3基晶界层电容器绝缘电阻的影响

采用二步法制备SrTiO3晶界层电容器,并对其进行后续热、电和液氮处理,研究处理前后电容器电学性能的变化.实验结果表明,在50 V直流电压和200℃ 条件下对SrTiO3晶界层电容器进行后续快速退火和液氮处理后,其介电常数和介电损耗在基本保持不变的情况下,其绝缘电阻值可得到大幅提升,从最初30 GΩ 上升至200 GΩ...     

碳纳米管的制备与应用

综述了清华大学机械工程系纳米碳材料实验室10年来在碳纳米管相关领域的研究成果。采用浮动催化法制备了多壁碳纳米管、单壁碳纳米管、双壁碳纳米管和定向碳纳米管薄膜,针对各种产物的结构特点,研究了碳纳米管在力学、电学、复合材料、双电层电容器、场发射、储氢和环保等方面的性能。不同类型的碳纳米管具有不同的力学、电学和吸附性能,具有潜在的应用前景。     

改性钛酸锶陶瓷电容器

采用溶胶凝胶法在一定条件下合成组成为0．91SrTiO_3＋0．09（Bi_2O_3·3TiO_2）的高纯、超细陶瓷粉料。该粉料添加PbO．Li_2O,Cs_2O等物质．可制成高质量改性SrTiO_3电容器材料。用此法制备的电容器材料可大大地降低合成温度，经改性后可使其烧结温度展宽，并具有较为理想的介电常数和介电损牦。     

SrTiO3基高压陶瓷电容器材料的组成与性能

研究了Bi2O3.3TiO2和PbTiO3的加入量对SrTiO3基高压陶瓷电容器材料性能的影响.实验的结果表明:最佳加入量的摩尔分数分别是Bi2O3.3TiO2为9%,PbTiO3为18%.在1 250 ℃的温度下烧结获得了性能为:εr=3 295;Eb=10.2 kV/mm;tgδ=6×10-4;ΔC/C(-25～+85 ℃)≤±12%;绝缘电阻R=7.5×1012 Ω的高压陶瓷电容器材料.     

大功率陶瓷真空电容器的失效分析与应对措施

本文阐述了真空电容器的基本知识,并对陶瓷真空电容器在使用和存储过程中的问题进行了失效分析,提出了防止陶瓷真空电容器失效的应对措施,供维护技术人员参考。     

不同烧结温度La/Ce稀土离子掺杂CBN陶瓷的电性能研究

采用传统固相烧结工艺制备了多元稀土离子La/Ce掺杂CaBi2 Nb2 O9(CBN)陶瓷,分析了不同烧结温度对陶瓷晶体结构、显微形貌以及电学性能的影响.X射线衍射分析数据表明:当烧结温度为1000～1150℃时,陶瓷物相结构表现出单一铋层状晶体结构;而当烧结温度为1200℃时,陶瓷中出现Ca2 Nb2 O7的第二相杂...     

插脚式陶瓷电容器的焊接工艺技术研究

介绍了陶瓷电容器热冲击后出现开裂的失效模式和插脚式陶瓷电容器的常用焊接加热方式,通过试验结果表明焊接方式的合理选择可有效提高焊接面的结合强度,并将焊接过程中由于热冲击使产品本体产生裂纹造成的损失降低到最小程度。     

电解电容器的漏电流及影响因素

介绍了电解电容器电流这一重要电学参数的测试方法，对汽车仪表延时电路用电解电容器电流的检测实践，指出影响测试结果的各项因素，并对诸影响因素进行作出简要的分析。     

多层瓷介电容器专利题录

1:多层瓷介电容器导电浆料(日本,1992)2.多层瓷介电容器内电极导电浆料(日本,1992)3.多层瓷介电容器的制造方法(日本,1992)4多层瓷介片式电容器的制造(日本,1992)5.多层瓷介电容器的生产旧本)6.多层瓷介电容器(美国,1992)7,独石多层瓷介电容器(美国,1992)8.多层瓷介电容器(加拿大,1992)9.不需高温烧结的多层瓷介电容器(日本,1991)10.多层瓷介电容器的生产(日本,1992)n.高介电常数瓷料(日本,1992)12.多层瓷介电分层电容器的生产(日本。1992)13.叠层瓷介电容器(日本,1992)14.叠层瓷介电容器内电极浆料(日本,1992)巧.高介电常数介电瓷料(日本,1…     

高储能密度电容器复合介质材料的研究

对高储能密度电容器复合介质材料作了研究．在采用介电陶瓷／有机聚合物作复合介质材料的实验中，研究了复合材料的介电系数与组成成分的关系，研究发现，ε随陶瓷成分的增加而增大，并且存在一个临界组分，在此组分时，ε有突变．研究表明，用介电陶瓷与有机聚合物复合可制出储能密度较高的电容器介质材料．     

压敏-电容双功能多层器件

介绍了压敏-电容器双功能多层器件的结构原理、特征、用应等.利用多层压敏电阻器和多层陶瓷电容器复合制备了压敏-电容器双功能多层器件.压敏-电容器双功能器件应用试验结果证实,所研制的器件具有抑制静电放电与降低噪声的双重功能、大容量、抗干扰等优点,可望在信息及家电行业获得广泛应用.     

化学镀镍陶瓷电容器的研制

本文首次全面系统地报告:对国产陶瓷介质采用合适的化学镀镍配方和工艺,并用其制成各类镍电极陶瓷电容器,测试了它们的各种性能,从理论上分析影响这些性能的因素。研制结果表明国内烧结良好的陶瓷介质完全可以制成镍电极陶瓷电容器,投入工业生产。