CaCO3:Mn2+体系局域晶格结构理论研究

通过对角化组态离子在三角配体场中的完全能量矩阵,研究了CaCO3∶Mn2+体系中(MnO6)10-过渡金属配位复合物的局域晶格结构畸变.在具体的结构计算中,同时考虑了二阶零场分裂参量602和四阶零场分裂参量b04.通过理论计算,发现Mn2+离子掺杂碳酸钙单晶的局域结构畸变为△R=-0.0169nm,△θ=0.996°.理论计算结果与实验结果符合的非常好.     

KMgF_3∶Mn~(2 )晶体自旋晶格-耦合系数的理论研究

在晶体场理论的强场图象下 ,建立了轴对称 (三角和四角 )晶场中 3d5离子零场劈裂D因子的四阶微扰公式 ,进而得出相应的自旋 晶格耦合系数G11和G4 4.并将上述公式应用于KMgF3 ∶Mn2 晶体 ,在不引入调节参量的情况下 ,得到的计算值G11和G4 4与实验结果符合较好 .     

KMgF_3∶Ni~(2+)晶体局域结构研究

采用赵敏光等的μkα模型，在强场图象中建立了3d^8电子组态的多重态计算公式，利用高阶微挠公式推导出顺磁g因数的计算解析表达式，并在能量矩阵、g因数与掺杂真实晶体结构常数之间建立起关联公式．将此模型应用于KMgF3：Ni^2＋晶体，计算其d—d跃迁光谱和EPR谱并与实验数据对比，发现KMgF3晶体在掺入Ni^2＋后其结构应发生同向延伸变化，畸变量△R=0．004nm，计算结果与实验值符合较好．     

AlF3:Fe3+系统局域晶体结构理论的研究

本文通过对角化d5电子组态的能量矩阵,同时模拟二阶和四阶EPR参量D和（a-F）,发现Fe3+在AlF3:Fe3+系统有一个膨胀的畸变。这个膨胀的畸变可能是由于Fe3+离子半径大于Al3+离子半径,当Fe3+取代Al3+离子时, Fe3+离子将会推动氟配体向外移动.     

Zn_2SiO_4∶Mn~(2+)电子结构及光学性质的第一性原理计算

采用基于密度泛函(DFT)理论的第一性原理平面波超软赝势计算方法,对Zn2SiO4∶Mn2+的电子结构(能结构、态密度)和光学性质进行了理论计算。计算结果表明,Zn2SiO4∶Mn2+是一种间接带隙半导体,禁带宽度为2.934 eV;其能态密度主要由Zn-3d,O-2p和Si-3p决定;静态介电函数ε1(0)=2.82;折射率n0=1.75;吸收系数最大峰值为7.37×104cm-1;利用计算的能带结构和态密度分析了Zn2SiO4∶Mn2+材料的介电函数、反射谱、复折射率以及消光系数等光学性质,为Zn2SiO4∶Mn2+发光材料的设计与应用提供了理论依据。     

LiTaO_3:Fe~(3 )(Mn~(2 ))的EPR参量D与局域结构的研究

用晶体场理论研究了LiTaO3:Fe3 (Mn2 )的EPR参量D和掺杂晶体局域结构间的内在联系 .计算值与实验值符合较好 .结果表明 ,LiTaO3:Mn2 局域结构的畸变程度大于LiTaO3:Fe3 .     

Al2O3晶体中Cu3+离子自旋哈密顿参量及其局域结构研究

利用自旋哈密顿理论,在建立Al2O3Cu3+晶体结构和自旋哈密顿参量之间的定量关系的基础上,采用掺杂离子位移模型,统一计算了Al2O3Cu3+晶体的自旋哈密顿参量,解决了前人工作中可调参量过多的问题.理论结果与实验数据符合很好,说明采用的模型是合理的.结果表明,Cu3+离子掺入Al2O3基质晶体后,并没有准确占据Al3+格位,而是沿C3轴移动了0.0179nm.     

SiO_3∶M_n~(2+)光吸收谱的研究

本文使用d~5电子组态,C_(4v)双值群不可约表示Hamiltonian矩阵和点电荷模型,对SiO_3:M_n~(2+)光吸收谱进行了计算,理论与实验结果符合很好,表明四角畸变晶场对SiO_3:M_n~(2+)的光吸收谱起主要作用和M_n~(2+)具有高离子性。     

K2MgF4∶Mn2+体系局域结构的理论研究

采用对角化四角晶体场中d5组态离子的完全能量矩阵的方法,研究了K2MgF4∶Mn2 体系的EPR谱与局域晶格结构间的关系,通过拟和EPR谱的低对称参量b02,b04的实验值计算给出了过渡金属Mn2 离子在K2MgF4∶Mn2 体系中局域结构参量R1=0.203 82 nm,R2=0.205 58 nm,以及晶格畸变量ΔR1=0.004 75 nm,ΔR2=0.007 08 nm.     

无隔膜电解氧化Mn~(2 )/Mn~(3 )电流效率的研究

在有机电解合成工业中 ,硫酸介质中的 Mn2 /Mn3 是最常用的氧化媒质 .采用无隔膜电解槽 ,设备简单容易操作 ,有利于有机电解合成的工业化进程 .研究电解电流密度、电极间距、温度以及超声波等各种因素对电解电流效率的影响 .实验结果表明电流密度如果控制在 80 0 A/m2 左右 ,温度选取 3 5～ 4 5℃之间可以获得较大的电流效率     

LiNbO_3:Ni~(2+)晶体中Ni~(2+)离子的占位研究

本文研究了Ｎｉ２＋离子在ＬｉＮｂＯ３晶体中的占位．采用完全对角化哈密顿矩阵方法，计算了Ｎｉ２＋：ＬｉＮｂＯ３的零场分裂和光谱结构，计算值与实验观测值一致．研究表明，Ｎｉ２＋离子占Ｌｉ＋位并且沿Ｃ３轴向氧八面体中心移动约０．２２     

BaClF∶Sm~(2+),Ce~(3+)微晶中Sm~(2+)发光光谱研究

对微晶 Ba Cl F∶ Sm2 + ,Ce3 +低温光谱的测量 ,观察到 Sm2 +发光中心的 5D2 ,5D1发射的温度猝灭现象 ,以及谱线半宽度随温度升高而非均匀增宽 ,这种非均匀增宽只与电子跃迁的基态 7F0 ,7F1,7F2 有关 .     

ZnF2:Ni2+晶体局域结构的理论研究

从光谱和EPR数据出发,用完全对角化方法确定了ZnF:Ni 晶体中的23(4 515 键长与键角,证实了 ZnF:Ni晶体的局域结构畸变的存在%研究结果表明,ZnF:Ni晶体与/01( 基晶的结构参数对比,发现掺杂23(4 离子的ZnF:Ni晶体分别产生了沿. 轴的伸长畸变和在,平面的压缩畸变.光谱和,-.参量计算的理论值与实验值非常接近.     

Nd~(3+)∶KLa(MoO_4)_2激光晶体的光谱特性分析

采用中频感应提拉法生长出了Nd3+∶KLa(MoO4)2单晶,测试其室温下非偏振吸收光谱、荧光发射光谱.805 nm处吸收峰半峰宽10 nm,吸收截面为3.74×10-20cm2.主荧光发射峰位于1 059.45 nm处,荧光寿命160.6μs.利用Judd-Ofelt理论计算出J-O强度参数Ωt(t=2,4,6)及自发辐射概率、荧光分支比、辐射寿命、荧光量子效率及受激发射截面等参数.     

两亲配体包覆法制备水溶性Mn~(2+)掺杂NaYF_4:Yb~(3+)/Er~(3+)纳米粒子

采用水热法,以稀土硝酸盐为原材料合成了油酸(OA)包覆的Mn~(2+)掺杂Na YF_4:Yb~(3+)/Er~(3+)(Mn~(2+)dopedNa YF_4:Yb~(3+)/Er~(3+))纳米粒子(UCNPs),然后将氨基修饰的聚乙二醇与聚马来酸酐十八烯反应生成的两亲性聚合物m PEG-PMAO作为亲水性配体,通过两亲配体包覆法制备具有水溶性的Mn~(2+)掺杂Na YF_4:Yb~(3+)/Er~(3+)纳米粒子.随后采用透射电子显微镜(TEM)、动态光散射仪(DLS)、X射线衍射仪(XRD)、荧光分光光度计、傅立叶变换红外光谱仪(FT-IR)及热重分析仪(TGA)对合成的样品进行了表征.结果表明,m PEG-PMAO聚合物包覆的Mn~(2+)掺杂Na YF_4:Yb~(3+)/Er~(3+)纳米粒子具有较好的水分散性,且粒子的平均粒径约为17.25 nm.     

ZnF2：Ni^2＋晶体局域结构的理论研究

从光谱和EPR数据出发,用完全对角化方法确定了ZnF2：Ni^2＋晶体中的Ni^2＋-F^-键长与键角,证实了ZnF2：Ni^2＋晶体的局域结构畸变的存在.研究结果表明：ZnF2：Ni^2＋晶体与ZnF2基晶的结构参数对比,发现掺杂Ni^2＋离子的ZnF2晶体分别产生了沿C2轴的伸长畸变和在xy平面的压缩畸变;光谱和EPR参量计算的理论值与实验值非常接近.     

Cs2NaMF6:Fe3+ (M=Al,Ga)体系局域结构理论研究

构建了d5组态离子在三角晶体场中包含电子—电子间库仑相互作用、自旋—轨道耦合相互作用及配位体相互作用的完全能量矩阵,通过对角化完全能量矩阵研究了过渡金属Fe3↓离子掺杂Cs2 NaMF6(M=Al,Ga)体系的局域晶格结构.得到了Cs2 NaMF6:Fe3+(M=Al、Ga)体系中局域结构参量,对Cs2 NaAlF6:...     

Cu∶Zn比对CuO-ZnO-Al_2O_3催化剂结构的影响

利用XRD和TG研究了CuO ZnO Al2 O3 催化剂的结构 ,发现CuO∶ZnO =5 0∶5 0的样品 ,晶粒度最大 ,但结晶程度相对较差 ,可能发生了同晶取代 ,使得该样品的最大还原峰温最高     

SrAl_(12)O_(19):Mn~(2+)晶体的吸收光谱及g因子的理论研究

本文引入平均共价因子, 采用点电荷模型, 对SrAl12O19:Mn2+晶体的吸收光谱及因子进行理论研究, 计算结果表明理论值与实验值符合较好. 其次, 利用=110时g因子的实验值, 得出了键长随温度变化的关系.     

Eu~(3+)∶Y_2SiO_5晶体的格位选择光谱研究

在室温和液氨温度下, 测量并研究了 Ｅｕ３＋ ∶ Ｙ２ Ｓｉ Ｏ５ 晶体的透射光谱, 荧光光谱, 激发光谱和格位选择荧光光谱． 实验结果表明, 在该晶体中 Ｅｕ３＋ 替换 Ｙ３＋ 离子, 占据 ２ 个不等价的 Ｃ１ 光学格位, 这 ２ 个格位的５ Ｄ０ ７ Ｆ０ 能级跃迁谱线相隔大约只有 ０．２ ｎｍ ．并用 Ｘ 射线对晶体的晶格常数 ａ,ｂ,ｃ 和晶面角度 β进行了测量,测量结果显示掺杂后的晶格常数和未掺杂 Ｙ２ Ｓｉ Ｏ５ 的晶格常数基本一致．