离子注入生物样品的正电子湮没研究

以云豆作为生物样品，测量了正电子湮没的寿命谱。比较了低能氮离子注入和未经氮离子注入的云豆样品的正电子湮没寿命谱，发现τ３有差异，说明氮离子注入到生物样品的影响深度可达到２００μｍ左右。由τ３和Ｉ３可知在生物样品中的正电子湮没过程中，大约有１／５正电子将形成正电子素Ｐ３。     

高Tc超导体Y—Ba—Cu—O超导临界涨落的正电子湮没研究

利用正电子湮没技术寿命谱测量系统首次细致地测量了高Tc超导体Y-Ba-Cu-O材料在Tc转变点附近的正电子湮没寿命谱参数的变化特性,发现在Tc处正电子湮没寿命呈峰。根据超导涨落的KSS理论和BCS超导理论的形式,推导出了正电子在超导转变温度Tc附近超导态和正常态内的湮没率公式。经计算机数值积分得到与实验一致的结果,从而解释了实验上发现的异常现象。     

低能离子注入彩棉种子的生物物理机理

通过建立与生物组织较为接近的靶模型,采用MonteCarlo方法研究了低能离子注入植物种子诱变的机理,为进一步指导育种实践提供重要的理论指导。结果表明在20-200keVN+注入彩棉种子,离子的深度在0-22μm之间,对于单个细胞大量离子被阻停在细胞质内较浅的区域,这段区域很可能是低能离子与生物组织发生三因子效应的主要区域,对于"马鞍型"曲线产生的原因推测是由能量、质量和深度等因素共同决定。     

我国正电子湮没技术研究的现状与展望

本文在论述正电子湮没技术的基本原理、实验方法及其应用领域的基础上,评介了目前国外正电子湮没技术的研究动态、发展趋势和我国正电子湮没技术研究的现状。为了开创我国正电子湮没技术的新局面,作者提出了一些有意义的设想。     

Zn-Al合金大角度晶界的正电子湮没研究

1 导言从正电子源发射出来的正电子射入固体中,和固体中的微观粒子发生了一系列的非弹性碰撞,很快地损失了能量,和周围环境达热平衡。至此,正电子在固体中运动的第一个过程——热化过程结束,正电子热化后,在固体中的原子间扩散,和固体中的电子、声子以及杂质等相互作用直至湮没。在湮没前,正电子可能是自由的,也可能为某种缺陷所捕获,由于捕获态和自由态正电子周围环境不同,它们的湮没特征必将有所差别,这种差别,在正电子湮没     

低能N^＋离子注入对超氧化物歧化酶分子二级结构及其活性的影响

超氧化物歧化酶经低能N 离子注入,应用圆二色光谱分析不同剂量低能N 离子注入对超氧化物歧化酶二级结构的影响,并分析了酶蛋白的二级结构变化对酶活性的影响.结果表明,在1×1015～10×1015ions/cm2范围,N 离子注入对超氧化物歧化酶二级结构产生影响,且不同剂量N 离子注入对超氧化物歧化酶的α-螺旋、β-折叠、β-转角及无规卷曲二级结构单元相对含量的影响程度不同.低能N 离子注入使超氧化物歧化酶的活性增加,酶活性增加与其α-螺旋结构的变化具有较好的关联性.     

聚合物共混体系的正电子湮没研究

用正电子湮没寿命谱仪对聚丙烯PP和三元乙丙橡胶EPDM的共混体系进行了测量.实验研究表明,正电子湮没寿命灵敏地反映了在95—370K温度范围内PP/EPDM共混物的微观结构变化.经分析得到PP/EPDM是两相共混体系的结论.     

X射线光储材料BaFCL的正电子湮没研究

本文用正电子湮没技术研究了BaFCL晶体的不同氟氯比的正电子湮没参数,发现第一、第二寿命值及强度与氟氯比呈有规律的变化,说明阴离子空位F(CL)心对正电子湮没的第二成份有贡献。     

高温超导体中的一个正电子陷阱湮没模型

从简单的正电子物理图像出发，引入正电子在陷阱中湮没竞争机制，提出了一个新的陷阱湮没模型，并采用这个模型分析了多陷阱的高温超导材料中的正电子湮没特征，此模型可用于探索非平衡缺陷问题的普遍情况．     

金属微粒-介质复合薄膜(Ag-BaO)的正电子湮没寿命实验

以真空蒸发方式制备的金属微粒-介质复合薄膜,会存在各种不同的微观结构缺陷。为研究它的这种缺陷,制备了Ag微粒-介质(BaO)复合薄膜,并在不同温度下退火,对这些样品做了正电子湮没寿命实验,结果发现随退火温度升高正电子湮没平均寿命减少,这是因为表征金属微粒与介质之间界面状况的缺陷经退火而得到改善。     

低能C离子注入对白芝麻生物学效应影响的研究

经低能C离子注入处理的白芝麻(SesamumindicumL.)种子,在田间进行了栽培实验,结果发现:种子注入不同注量的C离子,对其生长发育期的生物学效应有不同的影响,C离子注量为1×1011,1×1012,1×1015,5×1015,1×1016,5×1016cm-2的6个注量组的白芝麻植株的株高、叶数、茎粗及叶片面积均优于对照组,而且比对照组早进入花期,早结实,单株产量也有一定提高,特别是5×1015cm-2注量组为最优;但经较高的C离子注量(1×1017cm-2)处理后,对白芝麻种子的萌发率和生长势则有较大的抑制作用.该研究结果为应用离子注入技术对芝麻品种的改良提供了有价值的依据.     

低能Ti+注入彩棉种子的深度-浓度分布研究

本文用SEM-EDS(扫描电镜-能量色散X射线谱仪)测量了能量为20KeV,剂量为8×1016/cm2的钛离子注入彩棉种子后的浓度-深度分布,并对其分布曲线进行分析,我们认为,低能离子注入植物种子使其后代产生变异的机理,是注入离子直接作用和注入离子产生的次级效应的间接作用共同作用的结果.     

用正电子湮没研究γ辐照和压力驰豫对聚苯乙烯自由体积特性的影响

在γ辐照０～４０Ｍｒａｄ的范围内测量了高强度聚苯乙烯（ｈｉｇｈｉｍｐａｃｔｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ，ＨＩＰＳ）的正电子湮没寿命谱，发现随着辐照剂量的增加，ｏ－Ｐｓ寿命τ３基本不变（约为１．９８ｎｓ），而ｏ－Ｐｓ强度Ⅰ３下降；当辐照剂量由２０Ｍｒａｄ上升到４０Ｍｒａｄ时，自由体积孔洞的半径分布宽度变窄；此外，还测量了在压力驰豫期间ＨＩＰＳ的正电子湮没寿命谱，施加的静态压力为０，２５，５０ＭＰａ，发现τ３不随驰豫时间ｔ变化（约为２．０ｎｓ），但Ⅰ３随时间下降。     

正电子谱学技术在功能材料微结构表征中的应用

特殊功能材料是一些具有优良电学、磁学、学、热学、学、力学、化学、物医学功能,在各类高科技领域到泛应用.正电子湮没技术是一种对材料微结构特别有效探测技术,特别是对各种缺陷、空位和微孔尤为灵敏,通过正电子湮没寿命谱、多普勒展宽谱和慢正电子束技术,通过分析正电子湮没参数可以获材料从表面到内部缺陷分布信息和随外部物理和化学条件变化、引起微结构变化.本文选取几种特殊材料正电子湮没实验结果来分析材料内部微结构,表明正电子湮没谱学是一种独特研究微观结构方法.     

氮离子注入纤维素酶产生菌的诱变效应研究

作为一种新型的生物诱变手段,离子注入技术以其独特的诱变机理和显著的生物学效应受到关注,被广泛地应用于植物、微生物育种和转基因.本文应用低能离子注入技术对纤维素酶产生菌里氏木霉(Trichoderma reesei)进行诱变选育,研究低能N+注入对其存活率、菌体总抗氧化能力(T-AOC)、蛋白质含量以及产酶能力的影响.结果表明,低能N+注入对T.reesei的诱变效应显著,T.reesei经N+离子注入后存活率曲线呈现"双马鞍型",而菌体注量-总抗氧化能力曲线与注量-存活率曲线呈现一致的变化趋势.由此推测,离子注入微生物所诱导的总抗氧化能力的强弱变化很有可能决定微生物的存活情况.在注入剂量为250×1014N+/cm2的条件下得到突变幅度提高最多的菌株,CMCA活力较对照增加了24.3%.     

W-K合金的正电子湮没寿命谱研究

正电子湮没技术（PAT）是一种无损的材料探测技术,它可以反映正电子所在处电子密度信息,而电子密度信息能反映材料内部微尺寸变化,正电子对于纳米尺寸缺陷的变化非常敏感. 本文用正电子湮没技术中的正电子湮没寿命谱分析技术（PLAS）,对WK混合粉体在不同温度和压强条件下烧结后的微尺寸缺陷变化进行了分析,表明压强对于WK合金的缺陷变化没有明显的影响,而WK合金的微尺寸缺陷随温度有明显变化.     

用正电子湮没技术研究Ⅰ型裂纹尖端附近的损伤区

用正电子湮没技术研究LY12CZ铝合金材料裂纹尖端附近的损伤区,采用正电子湮没寿命谱的两态捕获模型,将正电子在缺陷中湮没的平均寿命τ作为损伤变量的参量,得到裂纹尖端附近区域损伤值D的分布,并发现从裂尖到离裂尖大约1／2板厚处范围内具有三维效应。     

离子注入种胚前后生物超弱发光研究

应用生物超弱发光的液闪仪测试了离子注入水稻种胚前后种胚的生物超弱发光值，并根据种子在不同时期这种超弱发光值的变化情况探讨了离子注入对种胚生长规律的影响。     

铜氧化物高温超导体的元素掺杂效应

简要介绍高温超导体的发展以及研究状况.实验显示,可用正电子湮没参数来表征元素掺杂对超导体的超导转变温度、结构缺陷和相变的影响.表明了正电子湮没技术是研究铜氧化物高温超导体的元素掺杂效应的有效手段.     

20SiMnV钢疲劳过程的残余应力和正电子寿命谱研究

本文测定了20SiMnV钢经疲劳后的正电子寿命谱和宏观残余力,观察了疲劳断口、表面滑移带和沿试样层深位错结构的变化。结果表明:随着循环周次的增加,正电子湮没寿命和强度呈周期性变化,宏观残余应力时增时减。正电子湮没参数的周期性,与点阵畸变和晶体缺陷的周期性变化有关。滑移过程的不断进行,使试样表面残余应力的积蓄和释放交迭进行,故宏观残余应力时增时减。随着层深的增加,位错密度减少,与塑性形变沿层深减少相对应。