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反应烧结碳化硅的显微组织气孔率及电阻率 总被引:6,自引:0,他引:6
研究了反应烧结碳化硅及随后经1650℃和1800℃除硅处理后,材料的显微组织与电阻率之间的关系。反应烧结碳化硅显微组织中有约20%的游离硅存在,气孔率极低,电阻率也很低。 相似文献
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含碳耐火制品的再生利用 总被引:1,自引:0,他引:1
论述废弃耐火材料回收利用的必要性及其与材料价值、污染、人类健康及经济效益的关系,并着重通过对含碳制品的损毁机理及回收利用情况,阐明已用过的含碳制品的回收利用的可行性及其可观的经济价值。 相似文献
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以不同粒度的α - SiC为原料,通过配比试验、生坯成型方法的对比、成型后碳化硅制品的生坯性能分析,研究了不同粘结剂、不同成型压力与保压时间、不同成型方法对碳化硅制品的密度、气孔率、抗折强度的影响结果表明,水溶性粘结剂的粘结性能低于醇溶性粘结剂,但水溶性的最佳添加量低于醇溶性粘结剂成型方法中冷等静压的成型密度和抗折强度最大,气孔率最低同时无论使用何种成型方法,制品的密度随压力变化都具有一定的规律性 相似文献
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介绍2.5m3高温梭式窑的窑体结构、砌筑材料及窑的技术特性。经生产使用,以轻柴油为燃料,合理燃烧,该窑温度可达1500℃,为碳化硅制品生产建立了高温烧成设备。 相似文献
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传统的重结晶碳化硅制品成型方式,以干压成型、注浆成型、可塑成型为主,研究了重结晶碳化硅制品的等静压成型工艺。等静压成型重结晶制品,是将重结晶碳化硅制品的原料:50~200μm的碳化硅粒度砂和5~20μm的碳化硅微粉按一定比例,加上粘结性较强的水溶性纤维素和聚乙烯醇,加入成型模具,利用等静压机成型出密度高、强度大的重结晶碳化硅制品素坯。通过实验、测试分析、结果讨论,研究了成型压力、保压时间以及粘结剂含量对碳化硅制品素坯密度、强度和素坯和成品的微观结构的影响。通过扫描电镜分析:等静压成型的重结晶碳化硅制品的素坯和烧成品,致密度高,坯体中很少有气孔。研究结果还表明:随着成型压力增大,密度也不断增大,最佳成型压力为200 MPa;保压时间的长短,对素坯密度、强度也有影响,最佳保压时间为160 s,实验选用粘结剂最佳含量为2%.与传统成型方法相比,冷等静压成型所得的素坯和成品强度大、密度高、坯体均匀。 相似文献
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微孔碳化硅过滤材料的研究 总被引:8,自引:0,他引:8
研究了分别用锯末、碳粉和石油焦粉作为造孔剂,制备了氧化物结合碳化硅微孔陶瓷的工艺,并讲座了制备工艺与性能的关系,研究结果表明,碳硅颗粒通过莫来石结合成基本相,随着造孔剂质量分数的增加,材料的孔率增加,抗弯强度下降,而减小毛坯成型压力与增加造孔剂具有同样的效果,此外,增加氧化物结合剂的加入量和使用较细的碳化硅颗粒,会提高微孔陶瓷的强度,通过工优化,制备了满足使用要求的微孔碳化硅过滤材料。 相似文献
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渗硅碳化硅材料的制备与性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用不同工艺制备渗硅碳化硅,分析了生坯密度、成型方法、颗粒级配等对制品结构及性能的影响.结果表明:恰当的生坯结构及合理的成型方法、烧成制度,是制备结构致密均匀、气孔率低、密度及强度高的渗硅碳化硅材料的关键. 相似文献
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为了用计算机模拟电化学方法制备多孔硅的过程,基于Monte Carlo和扩散限制模型(DLA)建立一种新模型,引入耗尽区范围、腐蚀半径和腐蚀几率等参数,用Matlab来实现.模拟得到了电流密度、HF酸浓度、腐蚀时间以及硅片掺杂浓度等实验条件对多孔硅孔隙率的影响趋势,与实验结果一致,模拟出的孔隙率值也与实验值接近.因此所建立的模型可以用来模拟电化学法制备多孔硅的过程. 相似文献
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反应烧结碳化硅的显微组织 总被引:5,自引:0,他引:5
对不同生坯进行硅化处理后得到的反应烧结碳化硅的显微组织进行了研究。结果表明:选用α-SiC+C粉的混合物作为生坯,SiC相的体积分数随生坯中wC的增加而增加,但过大的WC将使硅化后的试样出现残碳;选用碳毡作为毛坯,反应烧结碳化硅的显微组织特点是C/SiC反应生成的碳化硅颗粒均匀细小,并呈线状分布在游离硅中,浸渍过树脂的碳毡硅化处理后的显微组织特点是反应生成的碳化硅颗粒粗大呈不均匀分布。X射线衍射结 相似文献
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工艺参数对反应烧结碳化硅导电性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
对碳化硅颗粒尺寸,工艺参数与反应烧结碳化硅导电性的关系进行了研究,试验结果表明,随着碳化硅颗粒尺寸的减小,生坯成型压力增加,烧结气氛压力增大,碳化硅电阻率也增大,且烧结温度对电阻率的影响不大,同时,对不同烧结工艺下显微结构与电阻率的关系进行了分析讨论。 相似文献
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添加元素对反应烧结碳化硅导电特性的影响 总被引:5,自引:0,他引:5
研究了Ni、Mo和Al元素对反应烧结碳化硅导电特性的影响.试样通过室温、高温电阻率的测定和显微组织分析,可知在室温与高温下,加入Ni、Mo和Al均可明显降低反应烧结碳化硅的电阻率,随着Ni、Mo和Al加入量的增加,碳化硅的室温电阻率也下降.其中,Ni、Mo对反应烧结碳化硅电阻率的影响比Al大.在烧结过程中,Ni、Mo分别与液态Si反应,并在碳化硅粒子界面处生成Ni 相似文献
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以二氧化硅粉和竹炭粉为原料,在无催化剂的条件下,于1 400℃下用碳热还原制备了SiC纳米线.采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和能谱(EDS)分析了该纳米线的形貌和化学组成,同时探讨了SiC纳米线的形成机理.结果表明,所制备的纳米线为β-SiC,纳米线直径为100~150 nm,长度可达数毫米. 相似文献
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自结合碳化硅材料高温氧化行为研究 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了气孔率为11 .5 % 的自结合碳化硅材料在1 300 ℃空气中的高温氧化行为.研究结果表明:氧化初期形成的非晶态SiO2 对材料中孔隙与裂纹尖端起钝化作用,造成材料室温强度随氧化时间的增加而增加.当氧化22 .5 h 时,材料强度最高,达293 MPa;随着氧化时间的增加,非晶态SiO2 晶化形成方石英,以及冷却过程中引发的表面裂纹,造成材料室温强度的降低.表面裂纹的出现,使得自结合碳化硅的氧化增重动力学曲线符合对数规律 相似文献
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基于灰度计算饱和粘土的孔隙率@李强$华南师范大学计算机系!广州510631
@鲍苏苏$华南师范大学计算机系!广州510631~~~~ 相似文献