磁场中异质界面上正施主中心

用变分法讨论了异质界面上中性施主D^0的能量随垂直于界面的磁场的变化情况，计算得到此结构中D^0中心的基态能量和束缚能．在此基础上，考虑电子与界面声子的相互作用，发现对于不同材料构成的异质界面，界面声子对施主中心的能量都有不同程度的影响，并且，随着磁场的增加，这种影响愈加显．     

半导体异质结中施主结合能的磁场效应

对单异质结界面系统，引入有限高势垒与考虑导带弯曲的真实势，利用变分法讨论磁场对界面附近束缚于施主杂质的单电子基态能量的影响，对磁场中的A1xGax-xAs／GaAs异质结系统的杂质态结合能作了数值计算，给出结合能随Al组合分、电子面密度和杂质位置的变化关系，结果表明：杂质态结合能随磁场强度的增大而显著增大。     

磁场中异质界面上中性施主的束缚能

用变分法研究了磁场条件下异质界面上中性施主Ｄ０问题．得到了该结构中Ｄ０的基态能量和束缚能随磁场的变化关系     

磁场对Ga1-xAlxAs/GaAs异质结系统中施主结合能的影响

对半导体单异质结系统，引入三角势近似异质结势，考虑外界恒定磁场对界面附近束缚于正施主杂质的单电子基态能量的影响，利用变分法对磁场下Gal-xAlxAs／GaAs异质结系统中杂质态的结合能进行了数值计算，并讨论了结合能随杂质位置、电子面密度和Al组分的变化关系及磁场对结合能的影响。结果表明：杂质态结合能随磁场的增强而显著增大。     

磁场中异质界在上中性施主的束缚能

用变分法研究了磁场条件下异质界面上中性施主Ｄ＾０问题，得到了该结构中Ｄ＾０的基态能量和束缚能随磁场的变化关系。     

磁场中量子点施主的低激发态

采用量子点的三维抛物势近似，利用Larsen给出的计算磁场中量子阱中心施主能级的方法，来计算磁场中量子点施主的低激发态，给出这些低激发态能量随外磁场的变化关系。     

弱磁场中的二维D—中心

有关负旋主离子Ｄ中心的问题是国际学术界十分关注的课题，我们研究了弱磁场下二维负施主离子Ｄ中心用变分方法，计算了二负施工离子角动量Ｌ＝－２自旋三重态的本征能量和束缚能，发现当无量纲的有效磁场强度     

屏蔽对GaAs／AlxGa1—xAs异质结系统中施主结合能的影响

对半导体单异质结系统，引入了三角势近似异质结势，考虑电子对杂质库伦势的屏蔽影响，利用变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的单电子基态能量，对GaAs/AlxGa1-xAs系统的杂质态结合能进行了数值计算，给出了结合能随杂质位置和电子面密度的变化关系，并讨论了有无屏蔽时的区别。     

外磁场对离子发动机中氙离子的约束研究

In order to produce a more uniform exit direction for the expulsive ions of ion thruster, a particle simulation is performed to study the confinement of xenon ions by external magnetic field. As a necessary step, the correlation is calculated between ions density and the exhaust velocity of the accelerated ions with a specific thrust. Furthermore, the ratio of mean interaction potential energy of the ions to mean thermal kinetic energy of the ions is analyzed. According to the magnetized condition for xenon ions, the required magnetic field is estimated for confining the xenon ions is B ≥ 15 T. The perpendicular diffusion of xenon ions in the presence and absence of magnetic field are compared. It is shown that magnetic field with B = 15 T only brings a slight confinement to the ions.     

屏蔽对GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结系统中施主结合能的影响

对半导体单异质结系统 ,引入三角势近似异质结势 ,考虑电子对杂质库仑势的屏蔽影响 ,利用变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的单电子基态能量 .对 Ga As/Alx Ga1-x As系统的杂质态结合能进行了数值计算 ,给出了结合能随杂质位置和电子面密度的变化关系 ,并讨论了有无屏蔽时的区别     

外磁场对铁氧体自旋波谱的影响

计算外磁场中铁氧体自旋波谱，并对频谱的特点进行讨论。     

受磁场作用的量子阱激子

本文试用两种方法计算ＧａＡｓ／Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ复合量子阱中激子结合能增量与磁场的关系，计算结果与实验相符。     

强磁场条件下垒D-心的多电子效应（英文）

利用无规相近似 ,讨论了长波极限强磁场条件下垒 D-心的多电子效应 .发现垒 D-心的本征能量随朗道能级填充因子作周期性振荡 ,且温度的降低加剧了这种振荡 ;当填充因子为偶数时 ,其本征能量的绝对值最大 ,此时电子气对库仑势的屏蔽效应最弱 .     

Zn1-xCdxSe/ZnSe异质结系统的施主能级

对单异质结界面系统,引入三角近似异质结势,利用变分法讨论在界面附近束缚于施主杂质的单电子基态能量。对Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ系统的杂质态结合能做了数值计算,给出结合能随杂质位置、电子面密度和Ｃｄ组分的变化关系。     

多发色团染料分子内能量传递研究进展

本文综述近几年多发色团染料分子内能量传递领域的研究概况，重点介绍了分子内能量传递对组装型多发色团有机染料光稳定性影响的研究进展，设计，合成一个发色团可充当内部光稳定剂的多发色团染料是提高染料光稳定性的一条有效途径。     

高磁场中的量子阱激子

本文讨论了GaAs/Ga_1-xAl_xAs量子阱中激子结合能与磁场的关系。当磁场增强时,目前理论计算结果与实验数据存在差距,本文采用新的变分波函数,计算结果与实验相符。     

低温强磁场下NdF3磁特性及L-S耦合影响

用量子理论计算了NdF3磁矩在不同温度下随外磁场的变化情况,并进一步分析L—S耦合对磁矩的重要影响,理论上分析了NdF3非线性磁性产生的微观机制。