Fe-Ti多层组分调制膜的有效互扩散系数与调制波长的关系

当组分调制多层膜的调制周期较短时(纳米量级),在垂直于膜面方向形成一个一维的“人工晶格”。这种“人工晶格”同通常的晶体内原子点阵晶格一样,在X射线辐射下将产生Bragg衍射。由于多层膜的调制周期比一般晶格点阵周期要长,因此由组分调制周期产生的Bragg衍射峰出现在较低角度位置(其2θ~-值多在10°以下),这种由于组分周期性变化产生的衍射峰,     

H_2O/γ-Al_2O_3吸附体系的热容及相变

当固体表面发生了吸附现象后,该吸附体系的热力学性质将有所改变。热容是一个重要的热力学函数。精确测定吸附体系在不同温度时不同吸附量的热容,可以研究固体表面与吸附质之间的相互作用、表征吸附质的形态及推断吸附层的结构。有关这方面工作的文献报道     

吸附于铜表面的一氧化碳的平衡位置、结合能和芯电子能级移动——简化的集团模型研究

一、模型定量地研究原子(或分子)和固体表面之间的互作用,对于了解在表面上发生的吸附过程和化学反应极为重要。对一个真实的由吸附物和固体衬底组成的体系作精确的量子力学处理是不可能的,所以必须引入一些简化和近似,使这样一个多体体系可介。     

斜顽辉石加温产物中1.35nm周期的形成

辉石结构的a-b截面是呈“I”字形束(beam)排列。沿其a方向是由Si—O链层和八面体层相间排列而成,每两层八面体层或每两层Si—O层之间的距离接近0.45nm。辉石类矿物沿(100)面堆垛的八面体层倾转一般每隔两层或四层就产生重复,如斜方辉石、单斜辉石和原顽火辉石等沿a~*方向的堆垛就是偶数倍0.45nm重复周期。自1985年来,国内外陆续在陨石和斜长岩杂岩体辉石中观察到1.35nm的周期,它们是奇数倍0.45nm沿(100)面的     

用原子层覆盖法制造材料

世界各国一百多个实验室的科学家们在争先恐后地利用一项可开创新技术领域的工艺,其制造材料的方法极其精细,可一层原子一层原子地制造新材料。这一无比精密的方法称为“分子束晶体附生法(Molecular beam epitaxy)”,大致类似于用原子或分子缓慢地喷涂。科学家们可以用仅有两个原子厚的一层材料涂覆晶体表面,然后再在它上面涂一层     

吸附在石墨上的氧的磁化率

非常薄的一层氧存在于石墨表面时,氧的行为如何?回答是出人意外的复杂。美国康乃尔大学原子和固体物理学实验室的格里戈里博士(S. Gregory)研究了这个表面物理学的问题。据美国《物理评论通讯》杂志(1978年40卷723页)报道,他把不同量的氧吸附在片状剥落石墨衬底上,对氧的磁化率进行     

氧气在Al(001)面吸附的第一原理研究

采用基于广义梯度近似(GGA)交换关联近似的超软(ultrasoft)赝势和具有三维周期性边界条件的超晶胞模型, 用第一原理计算方法, 计算并分析了氧分子在Al(001)面吸附的价键结构和局域电子结构. 超晶胞表面为2×2原胞, 共有14层原子, 其中铝原子9层, 真空5层. 氧分子层与表面铝原子层的距离为一倍面间距, 选用了几种不同的初始吸附形态. 结果表明, 氧气在Al(001)面时, 分子键平行于铝表面时容易被吸附, 分子键垂直于铝表面时不容易被吸附. 吸附过程中价键的分析表明, 氧分子在O₂/Al(001)界面的吸附过程有两种形式: O₂→(O₂)^2−→2O^−→2O^2−和O₂→(O₂)^−→O^2−+O, 吸附过程与氧气在Al(001)面初始吸附形态有关.     

利用“热壁扩散”法在金属衬底上生长C60单晶薄膜

自从石墨电弧放电制备克量级C_(60)的方法发现以来,研究不同衬底上C_(60)薄膜的生长行为就一直是科学家关注的热点之一.制备高质量的C_(60)薄膜,不仅在基础研究方面,而且在应用方面都具有重要的意义.例如,对于碱金属掺杂的C_(60)超导体,利用高质量的C_(60)单晶薄膜可以获得较窄的超导转变温区和较高的转变温度.此外高质量的C_(60)单晶薄膜对于研究由C_(60)和金属或半导体组成的双层膜或多层膜的非线性光学性能也具有重要的意义.C_(60)薄膜在不同衬底上的生长行为与许多因素有关,其中最重要的是衬底表面的原子排布是否与C_(60)的晶格相匹配,C_(60)与衬底之间是否存在电荷转移和是否存在键合.迄今为止,许多研究工作报     

69R及147R两种SiC多型体的微区电子衍射分析

SiC具有层状结构,根据层的堆垛方式不同,生成类型众多的多型体(Polytype),常见的有4H,15R,6H,21R等。这里用的是Ramsdell符号,H及R分别表示六角与菱面体单胞,但都用六角点阵描述,密排层就是六角点阵的基面(001)。H及R前面的数字N表示一个周期     

Si(100)-2×1表面一维Ag原子链形成机制

最近Hashizume等人用扫描隧道显微镜(STM)发现,在低覆盖度下,Ag在Si(100)-2×1表面,吸附于两dimer链间的凹槽(grooves),并形成一系列的Ag原子线性链,这些链都垂直于Si表面的dimer列,这与传统的Ag(或碱金属)原子链沿着dimer列方向的观念不同.同时,Samsavar等人用STM,光电子谱和高能电子衍射HEED等也得到了类似的结果,并进一步推测Ag原子恰好“掉入”凹槽中形成直线形的Si—Ag—Si结构(即吸附高度为零),但他们对一维Ag原子链的形成机制却未给出任何说明和解释.本     

Fe—C—Si合金C—Si偏聚理论研究(Ⅰ)

按固溶体微观不均匀性理论,异类原子(AB)间的结合力大于同类原子(AA)或(BB)间的结合力时,溶体原子在点阵中的位置将按一定的规则呈短程有序分布。据此,对Fe—C—Si合金奥氏体做出如下假设:     

从M-T曲线上“奇异峰”分析掺杂3d族ZnO基稀磁半导体的磁学本质

研究了用双束脉冲激光沉积法在蓝宝石衬底上制备的Zn_0.95Co_0.05O薄膜的结构和磁学性质. 晶体结构分析表明制备的薄膜是具有ZnO沿c轴择优取向的纤锌矿点阵结构的单晶膜. 当室温或低于室温时该薄膜具有磁性. Zn_0.95Co_0.05O薄膜的磁化强度随温度的变化曲线, 在55 K附近出现了一个小峰. 小峰出现的温度与文献中报道的“奇异峰”出现的温度相似, 虽然小峰凸起似乎并不如引文中的明显. 没有实验结果表明引文中的“奇异峰”与纳米材料的量子效应有相关性. Zn_0.95Co_0.05O薄膜的磁学行为并不能用稀磁半导体的铁磁性解释. 并对ZnO基稀磁半导体薄膜中的磁学本质进行了讨论.     

二氧化碳、甲醇及氮在几种硅胶上的吸附

多孔质固体的表面在吸附质临界点以下的温度吸附气体时,由等温吸附线可说明蒸气在固体表面上的吸附状态,最初是单分子层、多分子层,当孔隙中有一定分子层厚度时,发生毛细管凝缩作用,最后表面上所有的孔隙都为液体所充满。我们用五种表面孔隙     

化学气相沉积法在Cu-Ni合金衬底上生长多层六方氮化硼

六方氮化硼(h-BN)由于其原子级平整的表面和宽带隙性质使其成为众多二维半导体材料理想的绝缘衬底.通常情况下通过化学气相沉积法在金属表面生长的h-BN表现出明显的自限生长效应,仅得到单原子层的h-BN.采用单原子层的h-BN作为其他二维半导体材料的基底对其下方衬底表面悬挂键及电荷的屏蔽效果有限,多层h-BN可以提高屏蔽效果.本文通过化学气相沉积法,采用生长-刻蚀-再生长的方案在铜镍合金衬底上成功制备得到多层h-BN晶畴,刻蚀过程使铜镍合金重新漏出,显著提高了下一阶段生长过程中多层h-BN的外延生长速率,通过该方案得到三角形状的多层h-BN晶畴尺寸可达10~20mm.同时,使用扫描电子显微镜、X射线光电子能谱、拉曼光谱、透射电子显微镜等一系列测试手段对多层h-BN表面形貌、化学成分及微观结构做了进一步表征.结果表明,h-BN中B 1s和N 1s的电子能谱峰值分别为190.4和397.8 e V,并且B和N两种元素的含量比为1.02:1;多层h-BN的拉曼光谱峰值位移在1365 cm~(-1),半高峰宽为18 cm~(-1);选区电子衍射结果说明,多层h-BN层间具有严格的AA′堆垛且每一层h-BN都具有相同的晶格取向.所有表征结果说明本文所得的多层h-BN单晶具有较好的晶体质量.     

有序化几率和扩散系数之间的关系

<正> 在代位固溶体有序化微观过程中,原子的移动依靠空穴作为媒介。因为有了空穴,原子才可以从一个位置移到另一位置.这和点阵结点上的原子扩散的机构相似,在结点位置上的原子的扩散也是依靠空穴作为媒介的。由于空穴的迁移引起原子的迁移,因此我们希望有序化的几率和扩散系数之间存在着某些联系关系。我们曾将有序化激活能和扩散激活能比较,     

硅烯表面的氢吸附

硅烯是类似于石墨烯的单原子层硅薄膜.作为硅的一种新型同素异形体,其拥有奇特的狄拉克电子态,可带来新奇的物理性质,近年来引起人们的广泛关注.由于硅烯中硅原子的化学键未饱和,可以用来吸附外来原子,从而实现对硅烯的化学修饰以及电子态的调控.本文主要介绍了不同原子在硅烯上吸附的一些理论进展,以及最近在实验上对Ag(111)上的单层硅烯进行氢化的重要研究结果.     

Fe-Ni/ZnSe多层膜的磁性质

由磁性层和非磁性层组成的多层膜,通过改变非磁性层材料的类型及多层膜的结构,可以得到各种不同性质的新材料.ZnSe属于Ⅱ—Ⅴ族半导体化合物,当掺入磁性杂质原子时,便形成稀释磁性半导体,它有许多独特的磁学和光学性质.由磁性层和ZnSe组成的多层膜,界面处由于原子扩散,会形成一层很薄的稀释磁性半导体层,因而使多层膜形成了一个复杂的系统.我们曾研究过Fe/ZnSe双层膜,发现在700nm的波长下;极向克尔旋转角增加可     

论金属键的本质

引言我们知道固体的结构和性能主要决定于组成固体的粒子(原子、分子、离子等)的结构和它们之间的相互作用力与热运动。因此,分析和研究组成固体的粒子的结构和它们之间的结合力及结合力的性质是固休物理最基本最重要的问题之一。当原子、分子、离子等通过结合力而形成固体时,我们就称为形成了固体键。由于组成粒子和结合力的不同,固体可以形成多种多样的键。我们已熟知,最简单最典型的固体键,不外有下列四种:     

固体物理学的主要成就与发展方向

固体是一种重要的物质结构形态,与基本粒子、原子、分子等一样,是当前物理学中主要的研究对象之一。固体物理是研究固体的微观结构和组成粒子(原子、离子、电子等)之间相互作用与运动的规律,并从而阐明其性能与用途的科学。我们知道,固体是由大量微观粒子(原子、分子、离子、电子等)组成的。当这些微观粒子聚集在一起形成固体时,它们是怎样相互作用的,这些相     

液态GaAs快速结晶过程中的微观结构演变

采用分子动力学方法对液态Ga As在1×10~(10) K/s冷速下的快速结晶过程进行模拟,并采用双体分布函数、原子平均能量、键角分布函数、二面角分布函数和可视化等方法对凝固过程的微观结构变化进行分析.结果表明:凝固过程中,Ga As的结晶温度T_c为1460 K,当温度高于T_c时,体系处于液态无规网络结构;当温度低于T_c时,Ga和As原子迅速形核结晶,形成闪锌矿为主的多晶结构,并在晶界处形成共晶格孪晶结构,其中晶界处形成一层纤锌矿结构.在温度低于520 K时,As原子偏聚形成简单立方结构As_8.